应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6594项专利

  • 本发明的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本发明的一个实施例提供一种处理腔室,所述处理腔室包括:可透过UV光的气体分配喷头,所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方,所述基板支撑件位于所述...
  • 半导体基板处理系统
    本发明提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中,处理系统可包括第一移送腔室和耦接至移送腔室的第一处理腔室,处理腔室进一步包含:基板支撑件,所述基板支撑件用于支撑位于处理腔室内的基板的处理表面;喷射器,所述喷射器安置于基板支撑件的第一侧且...
  • 提供一种包括多个气体分配板的原子层沉积设备及方法,所述多个气体分配板包括台,这些台用于在这些气体分配板之间移动基板。
  • 本发明的实施例关于用于选择性射极太阳能电池制造的单步骤扩散工艺。在一个实施例中,将掺杂剂胶选择性施加于基板前表面,基板的导电类型与掺杂剂胶相反。接着让基板暴露于含掺杂剂蒸汽,以在基板前表面上沉积导电类型与基板相反的掺杂层。虽然基板暴露于...
  • 本发明描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积(CVD)来沉积含硅-氮-氢(聚硅氮烷)的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气,将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体(例如,...
  • 本发明描述了一种蒸发器,所述蒸发器用于将材料蒸发到基板上。所述蒸发器包括导向装置,所述导向装置用于引导材料朝向至少一个开式喷嘴。所述导向装置包括用于材料的一部分的测量出口。所述蒸发器进一步包括第一测量系统及第二光学测量系统,所述第一测量...
  • 本发明的实施例大体上包括形成低成本挠性基板的方法,所述挠性基板具有一个或多个导电元件,所述导电元件用于形成低电阻载流路径,所述低电阻载流路径用于互连配置在光伏模块中的多个太阳能电池器件。所述一个或多个导电元件的每一个的表面将大体上包含多...
  • 提供了使用微波能或毫米波能辐射处理半导体基板的方法和设备。微波能或毫米波能可具有在约600MHz和约1THz之间的频率。来自磁控管的交流电流被耦合至具有内导体和外导体的漏泄微波发射体,所述外导体具有尺寸小于所发射辐射的波长的开口。内导体...
  • 刷新气体分配板表面的方法与设备
    此述的实施例大体上关于用于刷新用在沉积腔室或蚀刻腔室中的气体分配板组件的方法与设备。一个实施例中,提供一种用于刷新气体分配板组件的方法。该方法包括以下步骤:推抵气体分配板组件的面板靠住研磨(polishing)装置的研磨垫,该面板具有配...
  • 本发明提供原子层沉积设备与方法,所述设备与方法包括气体缓冲板,所述气体缓冲板包含多个开口,所述多个开口配置成在气体缓冲板附近建立气体缓冲,使得衬底能移动穿过处理腔室。
  • 本发明的实施例大致涉及干式剥离硼-碳膜的方法。在一个实施例中,利用氢与氧的交替等离子体来移除硼-碳膜。在另一实施例中,利用共同流动的氧与氢等离子体来移除含硼-碳的膜。除了上述氧等离子体的任一个以外可利用一氧化二氮等离子体,或者可利用一氧...
  • 提供从表面移除氧化物的方法与设备,该表面包含硅与锗至少其中一种。该方法与设备特别适用于从触点结构的金属硅化物层移除原生氧化物。该方法与设备有利地将蚀刻终止层蚀刻工艺与原生氧化物移除工艺两者整合于单一腔室中,而在基板传输工艺期间消除原生氧...
  • 本文描述用于使用氨和水蒸气的基材表面的羟化的系统与方法。
  • 本发明的实施方式大体上提供一种由紧固在一起的多个板所制成的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括气体歧管,所述气体歧管由顶板与中间板界定,且所述喷淋头组件还包括分流板,所述分流板由中间板与热交换底板界定。第一处理气体进入气体歧管,并且由分流板分...
  • 选择性沉积外延锗合金应力源的方法与设备
    本发明描述形成异质结应力源层的方法与设备。将锗前驱物与金属前驱物提供至腔室,并在基板上形成锗-金属合金的外延层。金属前驱物通常是金属卤化物,可由升华固态金属卤化物或通过卤素气体接触纯金属来提供金属卤化物。可通过喷头或通过侧进入点来提供前...
  • 本发明提供包括气体分配板的原子层沉积设备及方法,其中所述气体分配板具有热元件。所述热元件能够藉由暂时升高或降低温度而局部改变一部分基板表面的温度。
  • 本发明涉及一种用于基于退火系统的高功率激光二极管的自动聚焦装置。一种热处理衬底的设备包括具有沿着慢轴排列的多个激光二极管的激光辐射源、将来自源的激光辐射定向到衬底的镜片,以及沿着垂直于慢轴的快轴排列并接收从衬底反射通过镜片的部分激光辐射...
  • 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明,公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法,所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性,以降低其在半导体...
  • 本实用新型涉及基板承载板,并且提供了用于同时处理多个基板的方法和设备。在一个实施例,提供了用于支撑多个基板的承载板。所述承载板包括盘状主体,所述盘状主体具有第一侧和与所述第一侧相对的、实质平坦的第二侧,并且所述承载板包括形成在所述盘状主...
  • 本发明的实施例大体而言是关于形成供光电模组使用的挠性基板的方法。所述方法包括以下步骤:使金属箔成形,且将该金属箔粘接于挠性背板。可随后将任选的层间电介质及抗锈材料涂敷于设置在挠性背板上的经成形金属箔的上表面。可使用刀模切割、辊切割或激光...