本发明提供用于产生化学前驱物的装置和方法。所述装置包括连接到安瓿的入口管线和连接到安瓿的出口管线。所述入口管线具有入口阀门以控制进入安瓿内的载气的流量，以及所述出口管线具有出口阀门以控制引出安瓿的流量。旁通阀门允许载气绕过所述安瓿以及净...

兹描述切割半导体晶片的方法，每一晶片具有多个集成电路。方法包括形成掩模于半导体晶片上。掩模由覆盖及保护集成电路的层组成。接着以电流激光划线制程图案化掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。图案化露出集成电路间的半导体晶片区域。接着经由图案化掩...

一种用于封装有机发光二极管（OLED）器件的系统和方法，允许：将基板和多个遮罩有效地接收至真空处理环境中、在一或更多个工艺腔室间传输基板和多个遮罩以沉积封装层，并且从处理系统中移除基板和多个遮罩。一种封装有机发光二极管（OLED）器件的...

描述一种形成介电层的方法。该方法首先通过自由基成分的化学气相沉积（CVD）沉积含硅氮与氢（聚硅氮烷）层。该含硅氮与氢层是通过将自由基前驱物（在远端等离子体中激发）与无激发的无碳的硅前驱物结合而形成。氧化硅覆盖层可由一部分的无碳的含硅氮与...

本发明描述用于在基板上沉积材料的方法及系统。一种方法可包括以下步骤：提供处理腔室，该处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域。方法可进一步包括以下步骤：将基板输送至处理腔室，其中该基板可占据第二等离子体区域的一部分。方法可额外包...

一种具有磁性性质图案的基板，可通过以下方法形成：在基板上形成磁性非活性层、在磁性非活性层上形成磁性前驱物、及通过施加热能至磁性前驱物而在磁性前驱物中形成由磁性非活性畴隔开的磁性活性畴。可使用激光施加热能，该热能可为脉冲式。形成磁性活性畴...

本发明提供了一种离子注入器（1），该离子注入器具有减速透镜组件（9），该减速透镜组件包括多个电极（60、61、65），其中减速电极中的一个或多个孔隙（62、63、67）以可以提高离子注入器性能的方式成形。在一个实施例中，电极孔隙（67）...

提供形成锂离子电池和电池单元部件的方法和设备，且更特别地提供利用沉积工艺形成三维多孔结构，以制造此类电池和电池单元部件的系统和方法。一种方法包含通过压延位于相对丝网结构之间的导电基板，以纹理化导电基板；在已纹理化的导电基板的表面上形成具...

本发明描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导...

本文提供了用于基板处理的静电夹具的实施方式。在一些实施方式中，静电夹具可包括：压带盘，所述压带盘用于支撑基板，所述压带盘由介电材料形成并且具有设置在所述压带盘内、紧邻所述压带盘的支撑表面的夹具电极，以当所述基板设置在所述压带盘上时静电地...

本文描述的实施例提供使用具有可移动式孔的离子蚀刻腔室来蚀刻基板的设备及方法。离子蚀刻腔室具有腔室主体，腔室主体包围处理区域、基板支撑件、等离子体源、离子-自由基屏蔽件及可移动式孔部件。基板支撑件布置于处理区域中且具有基板接收表面。等离子...

描述一种切割半导体晶圆的方法，其中每个晶圆具有多个集成电路。一种方法包括在半导体晶圆上方形成掩模，所述半导体晶圆位于可水溶管芯附接膜上，所述掩模覆盖并保护所述集成电路。以激光划线工艺图案化所述掩模，以提供具有间隙的图案化掩模。所述图案化...

电化学处理器可包括具有转子的头部，头部构造成支承工件，头部可移动而将转子定位于容器中。内部与外部阳极位于容器内的内部与外部阳极电解质腔室中。容器中的上杯具有弯曲上表面和内部与外部阴极电解质腔室。电流取样器设置成邻接该弯曲上表面。该弯曲上...

本文提供了在集成电路中形成金属硅化物区域的方法。在一些实施方式中，在集成电路中形成金属硅化物区域的方法包括下列步骤：在基板的第一区域中形成硅化物-电阻区域，该基板具有第一区域及第二区域，其中掩模层沉积于该基板的顶部并被图案化以暴露该第一...

在此提供一种用于处理基板的设备。在某些实施方式中，基板支撑件包括：基板支撑面及轴；RF电极，该RF电极被设置在基板支撑件中而邻近基板支撑面以从RF源接收RF电流；加热器，该加热器被设置为邻近基板支撑面，以当基板被设置在该基板支撑面上时供...

本文披露方法和设备。在一些实施方式中，控制处理腔室的方法可包括预先确定作为工艺参数的函数的排放阀的位置与处理容积中的压力之间的关系；将处理腔室设定成第一状态，第一状态具有处理容积中的第一压力和工艺参数的第一值，其中将排放阀依据预定关系设...

一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin?film?batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或...

本发明大体上关于一种制造薄膜晶体管的方法。薄膜晶体管具有包括铟镓锌氧化物(IGZO)或氧化锌的有源沟道。在形成源极电极与漏极电极之后，但在保护层或蚀刻停止层沉积于其上之前，将该有源沟道暴露于一氧化二氮(N2O)等离子体或氧气等离子体。在...

本发明提供用于检测在快速热处理(RTP)工具中的灯泡故障的设备和方法。本发明提供灯泡故障检测系统，该灯泡故障检测系统可容纳DC和/或AC电压。系统沿着电路路径采样电压信号，该电路路径由至少两个串联连接的灯泡形成；基于采样的电压信号来计算...

本发明的实施例大体上关于用等离子体蚀刻基板的方法与设备，更详言之，关于保护受处理的基板的边缘、侧边及背面的方法与设备。本发明的实施例提供一种边缘保护板，该边缘保护板具有通孔，该通孔在尺寸上小于受处理的基板，其中该边缘保护板在等离子体腔室...