使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割制造技术

本发明专利技术描述了切割半导体晶片的方法，其中各个晶片具有数个集成电路。一种方法包括形成遮罩于该半导体晶片上方。该遮罩覆盖且保护这些集成电路。以激光刻划工艺将该遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩。该图案化暴露介于这些集成电路之间的该半导体晶片的区域。然后，蚀刻该半导体晶片通过该图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路。然后，将该图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用可物理性移除的遮罩的激光及等离子体蚀刻晶片切割
本专利技术的实施例是关于半导体处理的领域，并且本专利技术的实施例尤其是关于切割半导体晶片的方法，其中每一个晶片上具有数个集成电路。
技术介绍
在半导体晶片处理中，集成电路被形成在由硅或其他半导体材料组成的晶片(亦称为基板)上。大体上，各种半导电、导电或绝缘的材料层被利用来形成集成电路。使用各种已知的工艺来掺杂、沉积与蚀刻这些材料，以形成集成电路。各个晶片被处理以形成大量的含有集成电路的个别区域(即所谓的切割粒)。在集成电路形成工艺之后，晶片被“切割”以将个别晶粒彼此分离，而用于封装或以非封装形式用在更大的电路内。用于晶片切割的两个主要技术是刻划与锯开。通过刻划，以钻石为尖端的刻划器沿着预形成的刻划线而移动横越晶片表面。这些刻划线沿着切割粒之间的空间延伸。这些空间一般称为“街道(street)”。钻石刻划沿着街道在晶片表面中形成浅刻痕。一旦施加压力(诸如通过滚轮)，晶片沿着刻划线分离。晶片中的刻缝循着晶片基板的结晶晶格结构。刻划可用于厚度为约10密尔(数千英寸)或更小的晶片。就更厚的晶片而言，目前锯开对于切割是较佳的方法。通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤：形成遮罩于所述半导体晶片上方，所述遮罩覆盖且保护这些集成电路；以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩，而暴露介于这些集成电路之间的所述半导体晶片的区域；蚀刻所述半导体晶片通过所述图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路；及将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.15 US 13/161,0361.一种切割半导体晶片的方法，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述方法包含以下步骤: 形成遮罩于所述半导体晶片上方，所述遮罩覆盖且保护这些集成电路； 以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化，以提供具有间隙的图案化遮罩，而暴露介于这些集成电路之间的所述半导体晶片的区域； 蚀刻所述半导体晶片通过所述图案化遮罩中的这些间隙，以形成单一化集成电路；及 将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步骤包含以下步骤:将薄聚合物片黏附到这些集成电路。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述薄聚合物片对于这些集成电路是透明的且所述薄聚合物片具有约等于或小于50微米的厚度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩的步骤包含以下步骤:沉积光阻剂层于这些集成电路上。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述图案化遮罩从这些单一化集成电路分离的步骤包含以下步骤:通过工艺物理性地移除该图案化遮罩，所述工艺选自由抬离工艺、滚离工艺或剥离工艺构成的群组。6.如权利要求1所 述的方法，其特征在于，以激光刻划工艺将所述遮罩予以图案化的步骤包含以下步骤:以飞秒基底的激光刻划工艺进行图案化。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成遮罩于所述半导体晶片上方的步骤包含以下步骤:形成适于忍受高密度等离子体蚀刻工艺的遮罩。8.一种切割半导体晶片的系统，所述半导体晶片包含数个集成电路，所述系统包含: 工厂界面； 激光刻划设备，所述激光刻划设备和所述工厂界面耦接； 等离子体蚀刻腔室，所述等离子体蚀刻腔室和所述工厂界面耦接；及 沉积腔室，...

【专利技术属性】
技术研发人员：WS·类，S·辛格，M·R·亚拉曼希里，B·伊顿，A·库玛，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：