一种处理柔性基板的方法包括以下步骤：提供具有聚合表面的柔性基板；发射电子束；将所述聚合表面暴露于所述电子束；经由将所述聚合表面暴露于所述电子束而修改所述聚合表面；以及将阻挡层沉积在经修改的表面上。

本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀...

本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而...

本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体...

本发明大体而言提供一种用于支撑处理腔室内的基板的轴衬组件。在一个方面中，轴衬组件包含管状主体，所述管状主体具有外周长及延伸穿过所述外周长的孔；具有第一内边缘的第一环，所述第一环安置在管状主体的上部分中的孔中；及具有第二内边缘的第二环，所...

在此公开热处理半导体基板的装置及方法。所述装置的方面包括强烈辐射源和旋转能量分配器，所述旋转能量分配器将强烈辐射散布至校正器。所述校正器将辐射导向基板。所述方法的方面包括使用旋转能量分配器将脉冲能量分布至基板以进行处理。根据能量源的脉冲...

本发明提供了一种用以在基板上沉积沉积材料层的沉积装置。所述装置包括：基板支撑件，适于支撑基板；靶材支撑件（520），适于支撑靶材组件，所述靶材组件包括背部元件与至少两个靶材元件（510、511），所述至少两个靶材元件配置在所述背部元件上...

一种溅射沉积介电薄膜的方法，可包含：在处理腔室中的基板基座上提供基板，所述基板被定位成面向溅射靶材；将来自第一电源的第一射频频率和来自第二电源的第二射频频率同时施加到溅射靶材；和在基板与溅射靶材之间的处理腔室中形成等离子体，用于溅射所述...

描述了用以于基板处理腔室中支撑至少具有0.174平方米的面积的大面积玻璃基板的载体。载体包括至少一固定元件及至少一支撑部，至少一固定元件被配置成于基板处理期间握持住基板的上侧并承载至少60%的基板重量，至少一支撑部用以于基板处理期间于实...

本发明提供一种用于引入气体到处理腔室中的装置，所述处理腔室包含具有气体注入孔的一或多个气体分配管，所述气体注入孔可在需要通过气体注入孔更大气体传导的气体引入管的管段处尺寸更大、数目更多，和/或彼此间隔更紧密。具有较大气体注入孔的外部管可...

一种在铜衬底上形成碳纳米管的方法可包含：提供铜衬底；在铜衬底上沉积钛金属薄膜粘合层；在钛金属薄膜上沉积氮化钛薄膜，氮化钛薄膜厚度在100纳米至200纳米之间；在氮化钛薄膜上沉积催化剂金属，所述催化剂金属在氮化钛薄膜的表面上处于离散颗粒形...

描述用于处理基板的方法与设备。本发明的一个实施例提供用于形成薄膜的设备。设备包括腔室、等离子体源与至少一个气体注入源，腔室界定内部体积，等离子体源设置在内部体积中而至少一气体注入源设置成邻近内部体积中的等离子体源，其中至少一个气体注入源...

本发明的实施例提供一种设备，该设备包括基板支撑件；激光辐射源，该激光辐射源沿着光学路径发射激光辐射；和照明光学器件，该照明光学器件沿着光学路径设置。照明光学器件包括慢轴透镜集合和快轴透镜集合。设备进一步包括均化器，该均化器沿着光学路径设...

本发明大体涉及激光处理系统，该激光处理系统用于对基板进行热处理。激光处理系统包含屏蔽，该屏蔽设置在基板和激光处理系统的能量源之间，该基板将进行热处理。屏蔽包含光透明的窗口，该光透明的窗口被设置为与屏蔽内的腔体相邻。光透明的窗口允许退火能...

在此叙述配置用以沉积层于一矩形基板上的遮罩结构，例如配置用以沉积层于矩形基板上的边缘排除遮罩。遮罩结构包括遮罩框，用于在层沉积过程中遮盖基板的边缘，其中遮罩框包括至少两个遮罩框侧边部分，于至少两个遮罩框侧边部分之间的角落区域形成角落，其...

本发明提供了一种用于制造在触控面板中使用的透明主体的工艺。所述工艺包括：在基板上沉积第一透明层堆叠，所述第一透明层堆叠包括第一含硅电介质薄膜、第二含硅电介质薄膜和第三含硅电介质薄膜。所述第一和第三含硅电介质薄膜具有低折射率，而所述第二含...

周期性地切换环绕等离子体反应器的处理区域的电子束源阵列以改变电子束传播方向并消除或降低不均匀性。

一种在工作件处理腔室中通过电子束产生等离子体的等离子体反应器，该等离子体反应器具有电子束源及分段束收集器，该分段束收集器是剖面式的以促进电子束产生的等离子体中的均匀性。

说明了用于处理具有非晶半导体层或具有小晶体的半导体层的基板以于基板中形成大晶体的设备与方法。识别基板的处理区，并利用对处理区传送脉冲能量的逐步熔化工艺来熔化处理区。接着利用对该区域传送脉冲能量的逐步结晶化工艺来使该处理区重新结晶化。在逐...

本发明描述了一种抑制对图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的蚀刻速率的方法，且所述方法包括两阶段远端等离子体蚀刻。相对于氮化硅及含硅与氮的其他材料，使用本方法可增加硅的蚀刻选择性。远端等离子体蚀刻的第一阶段将等离子体流出物与图案化异质结...