在一些实施例中，基板处理设备可包括：腔室主体；设置在腔室主体顶部的盖；耦接至盖的靶组件，该靶组件包括待沉积在基板上的材料靶；具有绕靶的外边缘设置的内壁的环形暗区屏蔽；邻近暗区屏蔽的外边缘设置的密封环；以及支撑构件，该支撑构件耦接至贴近支...

本发明提供包含狭长壳体的组件，该狭长壳体包含一材料，该材料对在处理腔室中经历的温度下的热膨胀有抗性。至少一个加热元件沿着狭长壳体的纵轴经由开放内部区域延伸，该开放内部区域允许气体流以实质上垂直于纵轴的方向通过加热元件。亦描述了使用加热元...

在第一方面中，提供一种在基材上形成外延层叠层的方法。此方法包含：(1)选择所述外延层叠层的目标碳浓度；(2)在所述基材上形成含碳硅层，所述含碳硅层所具有的初始碳浓度、厚度以及沉积时间中的至少之一依据所选择的目标碳浓度进行选择；以及(3)...

本发明描述了用于冷却加热管的热交换器，所述热交换器包含：至少两个冷却管，其中所述至少两个冷却管被布置以使得所述至少两个冷却管的每个冷却管被配置以与加热管热接触；和用于产生气雾剂的装置，所述装置被配置以在至少两个冷却管中提供气雾剂。

本发明的实施方式一般涉及用于制造光生伏打装置的方法，以及更具体地涉及用于原位清洗太阳能电池基板的方法。在一个实施方式中，提供了一种制造太阳能电池装置的方法。所述方法包括以下步骤：将单结晶硅基板或多结晶硅基板暴露于湿法清洗工艺，以清洗所述...

本发明所述的实施例提供用于通过将离子通过压印的氧反应掩模注入到磁性基板的磁致激活表面来处理磁性基板，和通过将基板暴露于含氧等离子体来去除掩模的方法和设备，所述磁性基板具有形成在所述磁性基板上的压印的、氧反应掩模，其中离子不降低掩模的氧反...

本发明提供抛光基板的方法、装置及系统。本发明包括上部平台；耦接至上部平台的扭矩/应变测量仪；以及耦接至扭矩/应变测量仪并适于经由扭矩/应变测量仪驱动上部平台旋转的下部平台。在其他实施例中，本发明包括上部托架、耦接至上部托架的侧向力测量仪...

本发明描述掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻挡性质。还描述提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层和第二层，该第一层包含掺杂的...

本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。

本发明公开了划线设备。在一个态样中，双阶站划线设备包括：第一阶站，适以接收第一基板；第二阶站，适以接收第二基板；和一个或更多个激光，适以发出激光光束朝向所述第一阶站和所述第二阶站，并适以对基板划线。当在所述第二阶站执行定向处理时，可在所...

本实用新型提供了一种用于处理基板的腔室，所述腔室包括箍组件，箍组件包括:限制环，该限制环于该限制环内限定限制区；及三或更多个升降指，该三或更多个升降指附接于该箍。该三或更多个升降指经设置以支撑在限制环的内容积外的基板。

电处理设备包括在头部中的转子、和在转子上的接触环组件。接触环组件可具有在环基座上的一个或更多个条的接触指，其中接触指夹紧在环基座上的位置中。所述条可具有间隔开的凸出物开口，其中环基座上的凸出物延伸至凸出物开口中或穿过凸出物开口。遮蔽环可...

本发明的实施方式涉及用于在基板处理系统中控制激光装置以及与激光装置的运用相关的安全特征的方法和设备。一个实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括：腔室，所述腔室具有处理容积；第一激光装置，所述第一激光装置向所述处理容积中发射...

本发明揭示抛光基板的方法、装置及系统。该装置包括上部平台；扭矩/应变测量仪，该扭矩/应变测量仪耦接至上部平台；以及下部平台，该下部平台耦接至扭矩/应变测量仪并适于经由扭矩/应变测量仪驱动上部平台旋转。在其他实施例中，该装置包括第一托架；...

一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区域流体连接；射频电源，该射频电源耦接至该气体分配...

本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1-C6烷基，...

在某些实施例中，间层多晶硅电介质帽设置在基板的顶上，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极和设置在第一浮置栅极与第二浮置栅极之间的绝缘层，所述间层多晶硅电介质帽可包括：第一含氮层，设置在第一浮置栅极和第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；第一...

在此提供用于流量控制器的原位校正的方法和设备。在一些实施例中，流动气体的方法包含以下步骤：提供流量控制器，所述流量控制器经配置以：基于计算出的第一关系，提供具有第一数值的流量的第一气体，所述第一关系通过使用标准气体来确定；从处于流量控制...

在此提供用于流量控制器的原位校正的方法和设备。在一些实施例中，流动气体的方法包含以下步骤：提供流量控制器，所述流量控制器经配置以：基于计算出的第一关系，提供具有第一数值的流量的第一气体，所述第一关系通过使用标准气体来确定；从处于流量控制...

本实用新型的实施例提供一种用于沉积工艺的防护罩。在一个实施例中，防护罩包含矩形框架构件，矩形框架构件具有两个相对的主要侧面和两个相对的次要侧面，主要侧面和次要侧面中的每一个包含第一侧面、第二侧面、第二外部侧壁和内部侧壁，第二侧面与第一侧...