本发明描述了将传感器数据链接至计量数据和将计量数据链接至传感器数据的方法及系统。在一个实施例中，接收产品的计量数据的用户选择，呈现该产品的所选计量数据的相关处理工具故障检测摘要，从该处理工具故障检测摘要接收处理工具的用户选择，以及呈现所...

本文描述的实施方式涉及用于支持基板处理腔室的框架结构及直列式基板处理系统。在一个实施方式中，提供了一种用于支持基板处理腔室的框架结构。所述框架结构包括第一侧，用一或多个支撑件耦合到所述第一侧的第二侧，以及在所述框架结构内形成在所述第一侧...

本发明描述根据一个实施例的具有多个气体分配组件的示例性设备。在一个实施例中，该设备包括两个或更多个气体分配组件。每一气体分配组件具有孔，通过所述孔将至少一种工艺气体引入至处理腔室。两个或更多个气体分配组件可被设计为具有互补的特征径向膜生...

一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工...

在用于镀半导体晶片与类似基板的电镀处理器中，接触环具有多个间隔开的接触触头。屏蔽件至少部分地上覆于接触触头。屏蔽件改变工件外部边缘与接触触头周围的电场，从而减少或消除使用高窃流电极电流(thief electrode current)和...

本发明提供一种用于处理多个基板的基板处理系统，且该基板处理系统大体包括至少一处理平台及至少一分段平台。每一基板定位于安置于基板支撑组件上的基板载具上。各自经配置以于其上载运基板的多个基板载具定位于基板支撑组件的表面上。处理平台及分段平台...

本申请公开了用于沉积腔室的扩散器。本实用新型通常涉及气体分配板，所述气体分配板被设计以确保基板上的大体上均匀沉积。气体分配板可补偿基板角落区域以及基板边缘中的非均匀性。为了补偿非均匀性，气体通道口可被根据需要不同地定尺寸以使得允许更多的...

本发明的实施方式提供热处理腔室，所述热处理腔室包括设置在基板支撑组件的相对侧上的加热组件与驱动机构。特定而言，加热组件设置在基板支撑组件下方以处理以器件面朝上的基板且驱动机构设置在基板组件上方。

本发明提供一种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板，以及该板具有两个区域，这两个区域具有彼此不同的至少一种属性，诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分...

此处揭露的数个实施例有关于薄膜晶体管(TFT)与用以制造薄膜晶体管的方法。特别是，此处的实施例有关于用以在低温下形成半导体层的方法，半导体层用于TFT中。半导体层的形成可通过：沉积氮化物层或氮氧化物层，例如氮化锌或氮氧化锌，且接着将氮化...

本发明大体提供一种用于形成太阳能电池装置的一或更多个区域的高产出基板处理系统。在处理系统的一个配置中，于包含在高产出基板处理系统内的一或更多个处理腔室内沉积并进一步处理一或更多个太阳能电池钝化层或介电层。处理腔室可为(例如)等离子体增强...

本文公开了用于将III‑V族层沉积于基板上的方法。在某些实施例中，一种方法包括下列步骤：在范围自约300摄氏度至约400摄氏度的第一温度下，将第一层沉积在含硅表面上，该第一层包含第一III族元素或第一V族元素中的至少一者，该含硅表面定向...

本发明提供一种用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理设置于处理腔室中的基板的方法包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所...

本文提供用于清洁基板表面的方法和设备。在一些实施方式中，一种清洁基板表面的方法可包括：提供含氢气体到其中设置有多个热丝的第一腔室；使电流流经所述多个热丝以将所述多个热丝的温度升高到足够分解至少一些含氢气体的工艺温度；以及通过使所述基板暴...

本发明的实施方式一般涉及太阳能电池的制造且更具体地涉及用于提高Si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层。一般来说，包含缓冲层(中间层)的钝化层堆叠形成在基于硅的基板的表面上。在一个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的背表面上。在另...

本发明实施例是针对用于制造太阳能电池的工艺。具体而言，本发明实施例同时提供布置在太阳能电池基板的第一表面和第二表面上的共烧结(例如，热处理)金属层，以在一个步骤中完成金属化工艺。通过这样做，在太阳能电池基板的第一表面和第二表面上形成的两...

一种用以提供待沉积的材料于基板上的靶材配置。靶材配置包括由待沉积的材料所制成的靶材部分(210)。靶材部分可以实质上具有中空圆柱的形状，中空圆柱具有内部(260)及外部(250)直径，其中中空圆柱包括一圆柱面(211)及两个端面(212...

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀...

本发明提供一种用于在基板上图案化磁性薄膜的方法，所述方法包括：在所述磁性薄膜周围提供图案，其中所述图案的选择性区域允许一或多种元素的能量化离子的穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与这些选择性区域相邻的所述磁性薄膜的部...

根据本公开案，提供一种用于处理柔性基板的基板处理设备，所述基板处理设备包含：真空腔室，配置成被抽成真空并配置成具有在其中提供的处理气体；处理模块，适配用于处理所述柔性基板，其中所述处理模块设置在所述真空腔室内；以及放电组件，配置用于产生...