本发明提供制造适用于鳍式场效应晶体管结构的金属栅极的方法。在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上...

在此提供用于提供电流的设备与利用此设备的基板支撑件。在一些实施例中，一种馈通结构可包括：主体，所述主体具有界定一或更多个开口的壁，所述一或更多个开口设置成从第一端穿过所述主体至第二端；一或更多个第一导体与一或更多个第二导体，每个第一导体...

本文提供用于在处理腔室内加热基板的方法及设备。在一些实施例中，一种用于在处理腔室内加热基板的设备包括：灯群组，所述灯群组包含一或更多组灯，用于在基板设置于处理腔室内时提供辐射能来加热所述基板，其中每组灯包含多个串联线接的灯，且其中每组灯...

在具有至少一个阳极和一个窃流电极的电镀处理器中，参考电极用于测量晶片边缘附近的电解质中的电压梯度。利用控制容积/电流平衡技术，电压梯度用于计算晶片表面的电流。测定总晶片电流流向晶片边缘区域的分率并与目标值相比。处理器控制器改变阳极和窃流...

本文提供处理配件屏蔽和包括处理配件屏蔽的物理气相沉积(PVD)腔室的实施方式。在一些实施方式中，用于在物理气相沉积处理中沉积第一材料的处理配件屏蔽可包括环形主体和蚀刻终止涂层，所述环形主体界定由主体围绕的开口，其中所述环形主体由第一材料...

在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述...

本发明描述使用UV-可硬化黏着膜的激光及等离子体蚀刻晶圆切割。在实例中，本发明的方法包括以下步骤：形成掩模于半导体晶圆上。半导体晶圆利用UV-可硬化黏着膜耦接至承载基板。掩模覆盖及保护集成电路。以激光划线工艺图案化掩模，以提供具有间隙的...

在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的前级真空管线中的废气的设备，所述设备可包括介电管，所述介电管经配置以耦接至基板处理系统的前级真空管线，以允许废气从前级真空管线流动通过介电管；射频线圈，所述射频线圈围绕介电管的外表面卷绕，所...

描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮...

提供了一种制造用于触控屏幕面板的透明体的工艺。所述工艺包括：沉积第一透明层堆迭(12)于透明基板(14)之上，其中所述第一透明层堆迭(12)至少包括具有第一折射率的第一介电膜(16)和具有第二折射率的第二介电膜(18)，第二折射率不同于...

本文所述的实施例大体涉及用于加热基板的设备。所述设备通常包括处理腔室，所述处理腔室具有基板支撑件于所述处理腔室中。多个灯被定位以提供通过光学透明拱形结构的辐射能量至位于所述基板支撑件上的基板。聚光组件位于所述腔室内，用以影响所述基板上的...

描述具有射频(RF)及温度均匀性的静电夹盘(ESC)。例如，ESC包括顶部介电层。上金属部设置于该顶部介电层之下。第二介电层设置于多个像素化的电阻式加热器之上，且所述第二介电层部分地由该上金属部所围绕。第三介电层设置于该第二介电层之下，...

本发明是在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积。一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一导电层沉积在部件中，其中第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；通过电化学沉积将第二导电层沉积在部件中，其中电...

本文提供了气体回收和减量。在一些实施方式中，气体回收和减量系统可包括：腔室，所述腔室具有界定内部容积的壁；第一主体，所述第一主体延伸到内部容积中且具有设置在第一主体中的沟道以将第一气体提供至腔室，其中所述第一主体与壁间隔开以在第一主体与...

在此提供处理基板的设备。在一些实施方式中，在基板处理中所使用的灯头包括具有轮廓表面的单块构件；位于轮廓表面中的多个反射腔，其中每一个反射腔都具有作为反射镜或接收灯的可替换反射镜的形状；和多个灯通道，其中每一个灯通道都从多个反射腔之一延伸...

本发明的实施例提供具有保护性元件的腔室部件，该保护性元件用于遮蔽黏接材料隔绝处理环境中的处理环境。该保护性元件可包括保护性密封物、保护性结构、抗侵蚀填料，或前述元件的组合。本发明的实施例减少用于处理腔室中的黏接材料的侵蚀，因而改良处理品...

本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。

在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋...

提供了一种制造用于触控屏幕面板的透明体的工艺。此工艺包括：沉积第一透明层堆迭(12)于透明基板(14)上方，其中所述第一透明层堆迭(12)包括至少第一介电膜(16)及第二介电膜(18)，第一介电膜(16)具有第一折射率，第二介电膜(18...

提供了用于确定铸造单晶硅晶片的晶体分数的方法和装置。光源被导向晶片且通过检测器测量透射或反射。通过处理器产生晶片图像且根据所产生的图像计算晶体分数。晶体分数与所生产的太阳能电池的效率有关，晶体分数的确定允许在处理之前拒绝次级晶片。