本发明的实施例一般是关于降低半导体制造中所使用的低k介电质薄膜的介电常数之方法。在一实施例中，一种用于降低低k的含硅介电质薄膜的介电常数(k)的方法包括使多孔的低k的含硅介电质薄膜暴露于氢氟酸溶液，接着使该低k的含硅介电质薄膜暴露于硅烷...

本文中提供用于输送工艺气体至基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可以包括位于处理腔室的处理空间中、基板支座上方的气体分配管道，当该基板位于该基板支座上时，该气体分配管道分配工艺气体至该基板的处理表面；和耦接至该气体...

在此描述的是沉积贫氧金属膜的方法，该方法是透过基板上具有预定贫氧度的至少一个前体的化学反应所完成。示范性方法包括：于金属氧化物沉积循环期间，将该基板暴露至包含金属的金属反应物气体与包含氧的氧反应物气体，以在基板上形成含有金属氧化物的层；...

本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法，所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置，如电源装置、发光二极管(light emitting diode；LED)、激光二极管(laser ...

本发明描述用于基板传送系统的吊杆驱动装置及方法。吊杆驱动装置适于驱动旋转地装设至吊杆的一个或多个多臂机械手，以有效地放置或提取基板。吊杆驱动装置具有：吊杆，吊杆包括毂盘、腹板、在腹板上方的第导向器及在腹板下方的第二导向器；第一驱动构件，...

本发明提供了挡板盘组件，所述挡板盘组件用于使用在处理腔室中，以保护设置于所述挡板盘组件之下的基板支撑件免于不希望的材料沉积。在一些实施方式中，用于使用在处理腔室中以保护设置于挡板盘组件之下的基板支撑件的一种挡板盘组件可包括：上盘构件，所...

本发明的实施方式提供用于执行快速热处理的设备及方法。本发明的一个实施方式提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括设置于腔室主体外且被配置以向处理容积提供热能的加热源。基板支撑件界定基板支撑平面，且所述基板支撑件被配置以在基板支撑平面内支...

兹提供用于处理腔室的基板支撑件的处理套组组件。在一些实施例中，一种处理套组环可包括：环形主体，该环形主体具有外缘、内缘、顶表面及底部，其中该外缘具有约12.473英寸至约12.479英寸的直径，且该内缘具有约11.726英寸至约11.7...

一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源，该等离子体源具有对称RF馈送及围绕该对称RF馈送的对称RF遮罩。

在实施例中，为晶粒单切而进行包括初始激光划线和后续的等离子体蚀刻的一种混合式晶圆或基板切割工艺。该激光划线工艺是用以洁净地移除遮罩层、有机与无机介电层、以及器件层。接着在暴露出、或部分蚀刻晶圆或基板时终止激光蚀刻工艺。在实施例中，多重等...

在前侧激光画切与等离子体蚀刻之后进行背面研磨以单切集成电路晶片(ICs)。遮罩形成而覆盖晶圆上所形成的集成电路以及对该等集成电路提供界面的任何凸块。该遮罩通过激光画切而图案化，以提供具有间隔的图案化遮罩。图案化暴露出形成集成电路的薄膜层...

描述了用于切割半导体晶圆及运送单切晶粒的方法。在一实例中，一种用于切割具有多个集成电路在其上的晶圆的方法包含了将该晶圆切割为配置在一切割胶带上方的多个单切晶粒。该方法也包含在该切割胶带上方、该多个单切晶粒上与其间形成一水溶性材料层。

一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源及对称腔室排气，该等离子体源具有对称射频馈电，该腔室排气具有数个支柱穿过排气区域提供出入口至所局限的工作件支座。可包括用于自处理区域遮蔽支柱的空间效应的栅格。

本发明一般包括用于将大面积基板传送进入真空处理腔室的加载锁定腔室。所述加载锁定腔室可以具有一或多个分隔开且环境隔离的环境。各个处理环境可以具有数个用以抽吸真空的排气端口。所述排气端口可以位于所述处理环境的角落。当基板自工厂界面而置入所述...

微波辐射可应用到电化学装置，以快速热处理(RTP)(包括退火、结晶、致密化、形成等)电化学装置各层和装置堆叠，所述装置堆叠包括块体和薄膜电池和薄膜电致变色装置。制造电化学装置的方法可包含：沉积电化学装置层于基板上；及对所述层进行微波退火...

本文描述了用于使用激光及等离子体蚀刻的晶圆切割的均匀遮蔽。在实例中，一种切割具有数个具有凸块或立柱的集成电路的半导体晶圆的方法包括以下步骤：在半导体晶圆之上均匀地旋涂遮罩，该遮罩由覆盖及保护集成电路的层所组成。然后，利用激光划割工艺图案...

本文描述图案化低k介电膜的方法。在实例中，一种图案化低k介电膜的方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子体工艺来修正低k介电层的曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操...

本发明提供用于使用快速热处理的薄膜原子层沉积的方法及设备。本案所描述的方法可用以使用快速热处理转化非晶薄膜以形成外延薄膜，或用以选择性地在基板的一部分上沉积薄膜。设备中的热元件能够藉由暂时使非晶薄膜的温度快速上升来整体或局部地改变非晶薄...

本发明揭示使用UV可固化胶膜进行激光与等离子体蚀刻的晶圆切割法。形成掩模以覆盖该些形成在晶圆上的集成电路(IC)和任何用于为IC提供连接界面的凸块。利用双面UV可固化胶膜使该半导体晶圆与载体基板耦合。利用激光划线法对该掩模进行图案化以提...

本文描述一种用于处理基板的装置。装置可包括辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能。孔洞可包括一或更多构件及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。一或更多结构可影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。安置于孔洞上的...