本文中描述用于处理基板的方法。用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分离能量的一或多个金属特征结构；在一或多个金属特征结构和上表面的经暴露部分上方形成层；将透射性辐射能量...

本发明揭示使用UV可固化黏着薄膜进行激光与等离子体蚀刻晶圆切割的方法和系统。方法包括形成遮罩以覆盖晶圆上形成的集成电路(IC)。利用UV可固化黏着薄膜使该半导体晶圆与薄膜框架接合。使该UV可固化黏着薄膜预固化以使超出晶圆边缘的黏着剂周围...

本公开描述了一种在真空腔室中涂覆衬底(110)的方法，所述方法包括在衬底(110)上形成溅射材料层(806)的步骤。形成溅射材料层的步骤可以包括以下步骤：将来自至少一个可旋转靶材(120’)的材料溅射在衬底(110)上；以及改变至少一个...

本文揭示一种用于热处理系统的脉冲宽度控制器。脉冲电磁辐射被引导穿过转动式波片至偏振分束器，所述偏振分束器根据所述波片的相角而反射及透射。通过所述偏振分束器透射的辐射被引导至光路，所述光路经渡越时间后使所述辐射返回所述偏振分束器。第二转动...

本发明的实施例一般涉及一种支撑环，用以支撑在处理腔室中的基板。在一个实施例中，所述支撑环包括：内部环；外部环，所述外部环通过平坦部而连接至所述内部环的外部周边；边缘周缘，所述边缘周缘从所述内部环的内部周边向内径向延伸，以形成支撑突部来支...

一种用于基板的薄膜处理的磁性处理组件，一种用于组装和拆卸阴影掩膜以覆盖工件的顶部以暴露于处理条件的系统和方法。所述组件可包括：磁性处理载体以及阴影掩膜，所述阴影掩膜设置于所述磁性处理载体上方并磁性耦合至所述磁性处理载体，以覆盖当暴露于处...

描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法，且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域，在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的Sicon...

本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及...

描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下...

提供了一种传输装置，用于沿着传输方向进行基板传输且用于在沿着传输方向延伸的第一传输路径与第二传输路径间进行交换。第一传输路径在垂直于传输方向的转换方向中相对于第二传输路径移开。传输装置包括第一基板支撑组件，定义第一轨道以支撑腔体内的基板...

本发明描述用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法。在一个实施例中，一种方法涉及经由等离子体蚀刻平坦化半导体晶圆中形成的沟槽的侧壁。该方法包括利用自氟气产生的等离子体定向蚀刻半导体晶圆以平坦化沟槽的侧壁，该沟槽具有由诸如氧或聚合气体的第二处理气...

本发明提供了用于光掩模刻蚀的终点检测的装置和方法。该装置提供具有衬底支撑构件的等离子体刻蚀腔室。该衬底支撑构件具有用于终点检测的在其中设置的至少两个光学部件。通过使用为在光掩模的不同位置处监控的不同的光测量技术而实现用于光掩模刻蚀的改进...

本申请提供用以在基座所支撑的晶圆上执行等离子体处理的设备及方法。该设备可包括基座、可变电容器、马达、马达控制器以及来自该可变电容器的输出，该基座上可支撑晶圆，该可变电容器具有可变的电容量，该马达附接至该可变电容器并可改变该可变电容器的电...

本发明揭示了一种快速热处理腔室，所述快速热处理腔室具有灯具驱动电路，灯具驱动电路包含两个晶体管和两个二极管。快速热处理腔室包含多个卤素灯具、灯具驱动器、测量晶片温度的温度传感器以及连接至温度传感器和灯具驱动器的温度控制器，温度控制器提供...

兹描述蚀刻经图案化异质结构上的暴露的氧化硅的方法，且该方法包括自远端等离子体蚀刻所产生的气相蚀刻。远端等离子体激发含氟前体。将来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区，等离子体流出物在基板处理区与水蒸气结合。藉此产生的反应物蚀刻经...

提供了一种基板处理系统。基板处理系统包括前端模块、载入模块、及处理模块。这些模块是配置用于沿着传输方向于这些模块之间进行基板传输。前端模块、载入模块及处理模块的至少一者包括传输装置，提供至少两个单独的轨道，用于支撑基板或基板载具。传输装...

本文中描述用于处理基板的方法和设备。真空多腔室沉积工具可包含除气腔室，且该除气腔室具有加热机构和变频微波源两者。用于进行基板除气的方法可包括将含有聚合物或环氧化物的基板放置在处理腔室内并使该处理腔室保持在除气温度与玻璃转化温度之间，使该...

本发明是公开一种形成含硅的外延层的方法。具体的实施例是关于半导体器件(例如金属氧化物半导体场效晶体管MOSFET)中的外延层的形成与处理。在具体的实施例中，外延层的形成包括将处理室中的基材暴露给沉积气体，沉积气体包括二或更多个硅源，例如...

在此提供一种便携式静电夹盘的实施方式，该便携式静电夹盘使用在基板处理腔室中，当超薄基板设置在该便携式静电夹盘上时，该便携式静电夹盘支撑该超薄基板。在一些实施方式中，便携式静电夹盘可包括：载体，该载体包括介电材料；导电层，该导电层设置在该...

在一些实施方式中，提供一种连结型处理工具系统，该连结型处理工具系统包括(1)第一处理工具，该第一处理工具具有经设置以耦接至多个处理腔室的至少一第一移送室；(2)第二处理工具，该第二处理工具具有经设置以耦接至多个处理腔室的至少一第二移送室...