应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6594项专利

  • 本实用新型通常涉及用于处理腔室中的衬底支撑件。衬底支撑件被分成多个象限,其中每一象限能够独立于其他象限加热。独立加热允许衬底支撑件提供不同加热至同时布置在衬底支撑件上的不同衬底,或至公用衬底的不同区域。因此,衬底加热可被定制以确保发生衬...
  • 所提供的是包括铝、碳和金属的膜,其中铝的元素含量是大于约16%的量,且碳含量小于约50%。还提供了沉积所述膜的方法。
  • 本文提供在基板处理腔室中使用的用于选择性气体注入和抽取的方法和设备。在一些实施方式中,气体注入和抽取设备包括:板,所述板具有穿过板的厚度的多个孔,多个孔中的每一个孔具有孔壁;多个管,每一个管部分地设置在多个孔中的一个孔内,其中每一个管的...
  • 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤素等离子体。对所述特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。
  • 用于快速热处理的最小接触边缘环
    本文提供用于半导体基板处理腔室的基板支撑件的边缘环的实施方式。在一些实施方式中,用于半导体处理腔室的边缘环可包括:具有中央开口、内缘、外缘、上表面和下表面的环形主体;设置于内缘附近且从上表面向下延伸的内唇;和从内唇向上延伸且沿环形主体的...
  • 针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料
    为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层,该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物,该化合物包含自约50摩尔%至约75摩尔%范围内的Y2O3、自约10摩尔%至约30摩尔%范围内的Z...
  • 用离子防护件处理基板的方法和设备
    提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中,一种处理具有第一层的基板的方法可包括以下步骤:设置基板于基板支撑件上,所述基板支撑件位于工艺腔室的下处理空间内且在离子防护件下,所述离子防护件具有被施加到所述离子防护件的偏压功率,所述离子...
  • 用于快速热处理的最小接触边缘环
    本公开内容的实施例大体涉及一种在工艺腔室中支撑基板的支撑环。在一个实施例中,支撑环包含:内环;外环,所述外环通过平面部分连接至内环的外部周边;边缘唇,所述边缘唇从内环的内部周边径向向内延伸以形成支撑凸部;及基板支撑件,所述基板支撑件从边...
  • 在一些实施方式中,一种具索引的串联基板处理工具可包括:具有基底和一对相对的基板支撑件的基板载体,所述相对的基板支撑件具有从基底向上和向外延伸的各自的基板支撑表面;和以线性布置耦接至彼此的多个模块,其中多个模块的每一模块包括具有第一端、第...
  • 用以涂布溅镀材料层于基板上的装置及沉积系统
    本发明描述了一种用以涂布溅镀材料层于基板(12)上的装置(10;166;224)。所述装置(10;166;224)包括至少两个磁铁组件(60、74、82、90、98、106),其中每个磁铁组件(60、74、82、90、98、106)具有...
  • 闭合回路电解液分析器
    一种用于电镀半导体晶片和类似基板的处理系统包括电解液贮槽、通过流体管线连接到所述电解液贮槽的至少一个处理腔室以及电解液分析器。所述电解液分析器可具有在所述电解液贮槽中的探测器(比如伏安法探测器)、泵、储存器以及至少一个阀,其中这些部件通...
  • 本文提供用于提供热能至处理腔室的设备。该设备可包括:该处理腔室的处理腔室主体;固态源阵列,该固态源阵列具有数个固态源,该固态源阵列设置于第一基板上,以提供热能至该处理腔室来加热靶材元件,该靶材元件设置于该处理腔室主体中;以及至少一反射体...
  • 本发明一般提供一种具有遮覆框支撑件的处理腔室,遮覆框支撑件导引清洁气体流至腔室的角落。遮覆框支撑件沿着部分的腔室壁设置,因此遗留角落成空着的状态。在清洁期间,遮覆框以置于基板支撑件与遮覆框支撑件上的方式设置。因此,沿着腔室壁流动的清洁气...
  • 本实用新型涉及遮蔽框、基板支撑件以及等离子体增强型化学气相沉积设备。金属材质的基板支撑件具有陶瓷插入物,以避免处理过程中基板支撑件与遮蔽框之间的电弧作用,所述遮蔽框用以保护基板支撑件边缘。在诸如大面积基板的处理腔室之类处理腔室的腔室主体...
  • 本文描述用于处理基板的方法。所述方法可包括将含硅基板定位于处理腔室中,在偏压基板的同时将等离子体递送至基板的表面,将基板的表面暴露于氟化铵(NH4F),及将基板退火至第一温度以升华一或多种挥发性副产物。
  • 本发明的实施例提供一种通过在向腔室中引入清洁剂之前装载包含氮化铝陶瓷晶片或者氧化铍陶瓷晶片的陶瓷覆盖衬底到基座上,用于在清洁操作期间保护基座的方法和装置。在一个实施例中,提供一种氮化铝陶瓷覆盖衬底,该氮化铝陶瓷覆盖衬底包括氮化铝陶瓷晶片...
  • 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件,以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节...
  • 接合基板的方法
    披露了一种接合基板的方法、使用此方法形成组件的方法,以及整修这些组件的改良方法,这些方法利用在用于结合两个基板的粘结剂中形成的至少一个沟道来改良组件的制造、性能和整修。在一个实施方式中,组件包括通过粘结层固定至第二基板的第一基板。所述组...
  • 本文揭示滚轮衬套与用于处理腔室的基板支撑件。滚轮衬套包括外壳及至少部分在所述外壳内所形成的至少四个滚道,外壳具有沿着纵向轴通过所述外壳所形成的内孔而用以容纳升举销。所述至少四个滚道包含设置于滚道中且可移动的数个轴承元件。各滚道包括第一通...
  • 计算系统接收用户输入的排程问题数据。排程问题数据涉及排程问题,且该排程问题数据包括一个或多个站以及待通过至少一个站执行的任务。计算系统使用排程问题数据建构图形问题。图形问题包括图形。计算系统使用切分算法将图形切分成子图形以产生满足一阈值...