在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的...

披露了具有可倾斜阀的处理腔室气流控制设备。所述气流设备包括适于容纳基板的处理腔室；处理腔室的出口，所述出口包括阀座和可倾斜阀，所述可倾斜阀被配置成适合相对于阀座倾斜，以控制处理腔室内的流动非均匀性。披露了包括可倾斜阀设备的系统和方法，亦...

本文描述了用于处理基板的多种方法。所述方法可包括将具有包括硅氧化物层的暴露表面的基板定位于处理腔室中，将所述基板偏压，处理所述基板以使硅氧化物层的一部分变粗糙，加热所述基板至第一温度，将所述基板的所述暴露表面暴露于氟化铵，以在保持第一温...

在此提供一种用于等离子体处理基板的设备。所述设备包含处理腔室、配置在所述处理腔室中的基板支撑件以及耦合至所述处理腔室的盖组件。所述盖组件包含耦合至电源的导电气体分配器(诸如面板)以及耦合至导电气体分配器的加热器。分区阻隔板耦合至所述导电...

本发明提供一种研磨设备，该研磨设备包括：在平台上得以支撑的数个站，该等数个站包括至少两个研磨站及一传送站，每一研磨站包括一平台以支撑研磨垫；数个承载头，该等承载头自轨道悬置及可沿轨道移动，使得每一研磨站可选择性地定位在该等站处；及控制器...

在支撑件上多层印刷的方法包括：多个印刷步骤，其包括在相应印刷台中进行的第一印刷步骤和进一步后续印刷步骤；以及多个排列步骤，每个排列步骤设置在第一印刷步骤之后、且相应的进一步后续印刷步骤的上游，其中排列装置实现支撑件的准确配置和/或印刷台...

一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于该侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从该气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，该N通道气体流率控制器具有分别耦接于该等N个气体入口的N个输出；及(e)M...

印刷一或多个印刷轨迹至印刷支撑件或基板上的印刷方法包含二或多个印刷步骤，其各自利用印刷装置，根据预定印刷轮廓，沉积材料层至印刷支撑件上。在各印刷步骤中，继第一步骤后，各材料层至少部分沉积于前一印刷步骤印刷的材料层顶部，使各印刷材料层相对...

提供了一种用于自基板处理系统的处理腔体取出遮蔽元件或插入遮蔽元件至处理腔体中的方法。基板处理系统包括处理腔体、第一遮蔽元件、及基板传输系统。第一遮蔽元件用于排除材料应用于基板的数个部分。基板传输系统用于传输数个基板或数个基板载体至处理腔...

一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。

在一些实施方式中，一种模块化化学输送系统可包括多个气体输送单元，所述多个气体输送单元直接地且可移除地耦接至彼此，其中每一气体输送单元包括：主体，该主体具有第一空间；设置于该第一空间中的多个气体棒，其中所述多个气体棒的每一者经配置以经由主...

提供一种用具有可旋转靶(20)的阴极组件(10)涂覆衬底(100)的方法。可旋转靶具有至少一个位于其内的磁体组件(25)。该方法包括将磁体组件定位在第一位置，使得其相对于平面(22)不对称地排列达预定第一时间间隔，所述平面从衬底(100...

描述了一种可转动溅镀靶材，可转动溅镀靶材被配置以绕着一轴转动，此轴定义一轴方向。可转动溅镀靶材包括形成靶材的至少第一靶材区段与第二靶材区段，其中第一靶材区段与第二靶材区段的数个相对侧表面中的至少一者被粗糙化，特别是被粗糙化为10μm R...

本发明大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，会将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住”OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。平坦表面...

本发明提供一种使用组合蚀刻掩模的组合掩模的方法，所述组合蚀刻掩模包括材料层堆叠的顶层和在所述顶层上的次级掩模，以蚀刻所述堆叠的其他材料层。所述方法包括图案化在材料层堆叠的顶上的第一层，和在图案化第一层的顶上提供次级掩模。所述方法进一步包...

提供用于在处理腔室中处理基板的设备。在一些实施方式中，用于处理腔室中的气体注射器包括第一组出口，该第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和邻接该第一组出口的第二组出口，该第二组出口大致上沿着该平面表面提供第二工艺气体的...

本实用新型所描述的实施方式大体涉及一种屏蔽掩模组件。所述屏蔽掩模组件能用于沉积腔室中，尤其用于OLED领域。在一个实施方式中，屏蔽掩模组件包括：掩模，所述掩模具有由围绕图案的多个掩模支撑件界定的图案，其中所述掩模由陶瓷材料制成；及连接至...

兹描述根据PECVD工艺来处理基板的设备和方法。调整基板的温度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。调整等离子体密度分布，以改变基板各处的沉积速率分布。加热暴露于等离子体的腔室表面，以改善等离子体密度均匀性及减少腔室表面处低品质沉积物的形...

一种制造电化学装置的方法，包括以下步骤：在基板上沉积装置层和电解质层，所述装置层包括电极和相应集电器；和通过激光束入射在衍射光学元件上所产生的激光图案直接图案化所述装置层的至少一个装置层，所述激光图案在单激光照射中直接图案化至少一整个装...

提供用以在基板处理系统中测定基板的方向的定向腔室。在一些实施方式中，一种定向腔室包括包围内部空间的壳体；位于该壳体内部的可旋转台座，该可旋转台座包括基板支撑表面，该基板支撑表面适以支撑基板；位于该台座上方的光源，当基板被载至该可旋转台座...