本文提供用于使用在基板处理系统中的靶材组件。在一些实施例中，用于使用在基板处理系统中的一种靶材组件可包括：源材料，所述源材料将沉积于基板上；第一背板，所述第一背板被配置成用来将所述源材料支撑在所述第一背板的正面上，使得所述源材料的前表面...

本文提供用于改良横越基板的温度均匀性的设备。在某些实施方式中，一种沉积环，用于使用在基板处理系统中来处理基板，该沉积环可包括：环状主体，该环状主体具有第一表面、相对第二表面、和中央开口，该中央开口通过所述第一表面与第二表面，其中该第二表...

本发明提供用于控制气体流动至半导体处理腔室的方法与设备。方法和设备包括：使流量比率控制器中的比率设定点反馈控制无效；启动气体流动经过所述流量比率控制器；当上游压力达到储存的上游压力值时，移动所述流量比率控制器的阀门至基于储存位置的预设位...

兹揭露切割具有数个IC的基板的方法。一方法包括下列步骤：形成遮罩并以飞秒激光划线工艺图案化遮罩，以提供具有间隙的经图案化遮罩。图案化暴露了介于IC之间的基板的区域。透过经图案化遮罩中的间隙蚀刻基板，以单分IC。移除遮罩，且将经切割基板上...

提供用于封装有机发光二极管(OLED)结构的方法及装置，上述有机发光二极管结构使用材料混合层布置于基板上。封装方法可以作为单一或多重腔室处理来实行。在材料混合层的沉积期间所使用的处理参数允许控制沉积的混合层的特征。混合层可被沉积，使得在...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源...

本发明的实施方式大体涉及固态电池组(诸如Li离子电池组)结构、所述电池组的制造方法和制造工具。一个或更多个电极和分隔件每个可以使用生坯带法浇铸，其中可以以卷对卷或分段片/盘工艺将活性材料、导电添加剂、聚合物粘结剂和/或固体电解质的混合物...

在处理腔室中处理基板的方法及设备，包括：从工艺控制器接收用于一或多个装置的工艺控制参数，以进行第一腔室工艺；确定发送所述工艺控制参数中的每个工艺控制参数到所述一或多个装置的时间；对于所述一或多个装置中的每个装置，使用与所述一或多个装置中...

本发明一般是有关于一种用于在一基板处理腔体中使用的基板支撑件。一粗糙化的基板支撑件减少在腔体内的电弧且亦提供均匀沉积于基板上。粗糙化可以两个步骤执行。于一第一步骤中，基板支撑件是进行喷珠以初步地粗糙化表面。接着，粗糙化的表面是以较细的磨...

提供了一种用于修复及降低半导体制造中所使用的低k介电层的介电常数的方法。在一个实施例中，一种修复损伤低k介电层的方法包括使多孔的低k介电层暴露于含乙烯基硅烷的化合物；及可选择地使该多孔的低k介电层暴露于紫外线(UV)固化工艺。

一种制造电化学装置的方法可包括：在沉积腔室中利用物理气相沉积(PVD)工艺，在基板之上沉积电极层，其中腔室压力大于约10mTorr，且基板温度为约室温与约450℃之间或更高；和退火处理电极层，使电极层结晶，其中退火温度低于或等于约450...

本文所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及...

本发明的实施方式针对半导体处理系统中以高采样率缓冲来自各种传感器的数据的系统及/或方法。此类采样可提供关于诊断系统中导致处理故障的条件的处理的较佳数据。

本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层，以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括：通过使氧气和净化气体以约1:...

在此提供气体混合设备的实施方式。在一些实施方式中，气体混合设备可包括容器、多个第一入口和出口，所述容器界定内部容积，所述容器具有封闭的顶部和底部以及相对于穿过顶部和底部的容器的中心轴的具有圆形截面的侧壁；所述多个第一入口在靠近容器的顶部...

本发明的实施方式提供一种加热组件，所述加热组件使用热交换装置冷却多个加热元件。所述加热组件包括：多个加热元件；冷却元件，所述冷却元件具有用于收纳冷却流体于其中的一或更多冷却通道；及热交换装置，所述热交换装置设置于多个加热元件与冷却元件之...

一种化学机械研磨装置包含承载头、原处监控系统与控制器，该承载头包含扣环，该扣环具有塑胶部分，该塑胶部分具备与研磨垫接触的底部表面，该原处监控系统包含传感器，该传感器根据该塑胶部分的厚度产生信号，该控制器经配置以从该原处监控系统接收该信号...

用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入，同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室，所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座，所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板...

本文揭示了用于半导体工艺处理设备的基板支撑组件。所述组件可包括基座及与所述基座连结的主杆。所述基座可被配置以提供多重区域，所述多重区域具有独立控制的温度。每一区域可包括流体通道，藉由循环温度控制流体，以在所述区域内提供实质上均匀的温度控...