在一种用于去除晶片边缘(包括从所述晶片的所述边缘中的凹口)处的金属的方法中，将水滴到或者以其他方式供应到晶片的面朝上的镀金属的前面上，同时旋转晶片。以一流率将金属蚀刻剂(比如硫酸)提供到晶片的背面上，所述流率是水流率的数倍。所述蚀刻剂在...

描述电子装置处理系统及机械手设备。此系统及装置适于通过具有能独立旋转的第一及第二悬臂及能独立旋转的第一及第二上臂而有效地取放基板进入双腔室，其中每一上臂具有前臂、腕部构件及端效器，所述端效器适于承载基板，所述基板耦接于端效器。在某些实施...

揭示了一种用于将氮化硅材料层沉积在基板上的方法，包括：将所述基板置放在处理室中；传送由所述材料层的前驱物组成的混合物，并传送氢气至所述处理室中，以改善所述材料层的水阻障效能。控制所述基板温度至约100℃或以下的温度；在所述处理室中产生等...

本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体，在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可...

一种扣环，包括环形下部和环形上部。环形下部具有主体、内缘、外缘和多个方位上分离的互锁特征结构，所述主体具有用于在抛光期间接触抛光垫的底表面，所述内缘从主体向上伸出，所述外缘从主体向上伸出并与内缘通过间隙分隔开，所述互锁特征结构定位于内缘...

本文提供用于控制制造设备的方法与装置。在一些实施方式中，制造系统可包含具有一或多个输入端的集成控制器以接收输入值，输入值对应于工艺工具、质量流量控制器或至少一个附属制造厂辅助系统中至少之一的操作信息，其中集成控制器被配置以接收输入值、根...

本发明公开了一种通过一阴极配置来涂布一基板的方法，所述阴极配置包括至少二个可转动阴极。此方法包括于一第一方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者，且同时于一第二方向中转动所述至少二个可转动阴极的至少一者。第一方向是相反于第二方向。再者...

本发明描述在基板上进行化学反应以沉积金属膜的方法。该方法包括：使基板暴露于含有第二族金属的第一反应物气流及含有卤化物的第二反应物气流下，以在基板上形成含有金属卤化物的第一层；使该基板暴露于含有氧化剂的第三反应物气体下，以在基板上形成含有...

在此提供用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备。在一些实施方式中，一种用于热管理在基板处理中使用的前驱物的设备可包括：主体，所述主体具有开口，所述开口依一定尺寸设计以接纳储存容器，所述储存容器内设置有液体或固体前驱物，所述主体由导热材...

在此提供具有射频(RF)返回路径的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件可包括介电支撑主体、夹具电极和RF返回路径电极，所述介电支撑主体具有支撑表面和相对的第二表面，所述支撑表面用以在其上支撑基板；所述夹具电极位于支撑主体内...

本文提供了基板支撑载体和用于处理基板的系统的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑载体可包括第一基板支撑板、第二基板支撑板和具有支撑特征部件的基座，所述支撑特征部件将第一基板支撑板和第二基板支撑板以距彼此约0°至180°的角度可移动地定位...

本文提供了用于沉积聚合物材料的工艺腔室和该工艺腔室中用的喷头。在一些实施方式中，在被配置用于沉积聚合物材料的工艺腔室中使用的喷头可包括：区隔板，具有多个通孔以允许包含聚合物的工艺气体流经所述区隔板；和主体，设置在区隔板之下，由不锈钢制造...

本发明提供适于将来自射频(RF)发生器的射频能量输出匹配到可变阻抗负载的射频匹配网络。本发明亦提供用于所述射频匹配网络的系统和方法。本发明包括提供适于共同使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的多个电子元件。所述电子元件相对于一个轴对...

本发明提供用于预CMP半导体基板抛光模组的方法与设备。本发明包括一研磨垫组件，该研磨垫组件适于对着基板的主表面旋转，一夹盘，当研磨垫组件旋转时，该夹盘适于托住基板且对着研磨垫组件旋转基板，以及一侧向移动马达，当研磨垫组件对着旋转的基板旋...

提供用于在脉冲激光熔化期间测量基板熔化深度的方法和设备。所述设备可包括热源、其中形成有开口的基板支撑件及干涉仪，所述干涉仪被安置成将相干辐射导向所述基板支撑件。所述方法可包括将具有第一表面的基板安置在热处理腔室内、使用热源加热所述第一表...

一种制造研磨垫的研磨层的方法，包括使用3D印刷机相继地沉积多个层，藉由从喷头喷出垫材料前驱物、并固化该垫材料前驱物以形成固化的垫材料的方式来沉积该多个研磨层的每一层。

本文提供用于半导体制造工艺监测与控制的方法与设备。在一些实施方式中，用于基板处理的设备可包括：工艺腔室，所述工艺腔室用于在所述工艺腔室的内部空间内处理基板；辐射源，所述辐射源设置于所述工艺腔室的外部，以提供频率在约200GHz至约2TH...

公开改善选择性氧化工艺中氧化物生长速率的方法。作为一个实施方式，提供一种选择性氧化合成衬底的材料的方法，包括：将该合成衬底设置在处理室中；将气体混合物引入到该处理室，该气体混合物包括含氧气体和体积百分比大于65％的含氢气体；将该处理室加...

一种电镀处理器包括电极板，该电极板具有在通道内形成的连续流动路径。流动路径可视情况为盘绕形流动路径。一或更多个电极定位于通道内。薄膜板附接于电极板，两者之间具有薄膜。电解液高速穿过流动路径，防止气泡粘住薄膜的底表面。流动路径内的任何气泡...

本发明涉及在电化学装置中具有高离子导电性的真空沉积的固态电解质层，和用于制造所述电解质层的方法和工具。电化学装置可包括固态电解质，所述固态电解质具有所并入的过渡金属氧化物、硅、氧化硅或将诱导电解质堆叠的离子导电性增加的其他适当材料(例如...