在此提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括挡板，所述挡板具有配置成围绕第一容积的一个或更多个侧壁，所述第一容积设置在工艺腔室的内容积内；以及第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，...

提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环...

披露了在单一腔室中用于基板的材料处理和热处理的设备和方法。在一个实施方式中，设置有边缘环。边缘环包括环形主体，环形主体具有内周边边缘、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一凸起构件，第一凸起构件从第二表面实质上正交地延伸出；第二凸起构...

本文提供用于处理基板的设备。在一些实施例中，一种用于处理基板的设备包含基板支撑件，所述基板支撑件可包含具有表面以在所述表面上支撑基板的介电构件；设置在所述介电构件之下的一或更多个第一导电构件且所述一或更多个第一导电构件具有与所述介电构件...

在此提供气体输送系统和气体输送系统的使用方法。在一些实施方式中，气体输送系统可包括第一气体供应器，以沿着第一流动路径提供第一气体；流量分配器，流量分配器设置在第一流动路径中以将第一流动路径划分成通往多个对应的气体输送区的多个第二流动路径...

本发明的实施例提供用于在升高的温度下操作的静电夹具。本发明的一个实施例提供用于静电夹具的介电夹具体。介电夹具体包括基板支撑板、电极及轴，该基板支撑板具有用于接收基板的顶表面及与顶表面相对的背表面，该电极嵌入基板支撑板中，该轴具有第一端及...

本发明提供一种动态可调式工艺套件、一种具有动态可调式工艺套件的处理腔室，以及一种使用动态可调式工艺套件来处理基板的方法。该动态可调式工艺套件使得工艺套件的电气状态及热状态的一者或两者，在不改变工艺套件的物理结构下，能被改变，是以，不需替...

一种在硅基板上形成共形III/V族层的方法和所产生的具有III/V族层形成在上面的基板。该方法包括：从基板去除原生氧化物；将基板在处理腔室内定位；将该基板加热至第一温度；将该基板冷却至第二温度；将III族前驱物流入该处理腔室；当将III...

本实用新型涉及带有加热器的基板支撑组件。本实用新型的实施方式提供一种提供均匀的温度分布的基板加热器。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑基座和加热组件，其中所述基板支撑基座具有基板支撑表面。所述加热组件设置在所述基板支撑基座中，紧...

揭露了用于测量基板的温度的装置与方法。所述装置包含：指示温度的辐射的源；关于指示温度的辐射的检测器；以及解相关器，所述解相关器设置于在所述指示温度的辐射的源与所述关于指示温度的辐射的检测器之间的光路中。所述解相关器可以是宽带放大器和/或...

在此描述用于形成锗锡层的方法与所得的实施例。将锗前驱物与锡前驱物提供至腔室，且在基板上形成锗锡的外延层。锗锡层选择性沉积在基板的半导体区域上，且可包括具有改变的锡与掺杂剂浓度的厚度区域。可通过交替地或同步地将卤化物气体流入以蚀刻基板表面...

提供了一种用于测试太阳能电池或其他电子装置的测试设备，包括：用于进行测试的每个基板(150)的支撑套件(18)，其中该支撑套件(18)包括多个测试孔洞(23)，每个测试孔洞(23)适于允许插置该设备的相应的电气测试探针(42)，以使各探...

本发明的实施例关于以改善的均匀性提供处理气体至处理腔室的方法与设备。本发明的一个实施例提供气体注入组件。气体注入组件包括入口枢纽、喷嘴与分配插入件，喷嘴具有抵靠入口枢纽设置的数个注入通道，分配插入件设置于喷嘴与入口枢纽之间。分配插入件具...

本发明涉及掺杂的氮化铝硬模以及制造掺杂的氮化铝硬模的方法。在形成所述氮化铝硬模时通过添加少量掺杂剂，例如氧，可显著降低所述硬模的湿蚀刻速率。此外，与无掺杂的氮化铝硬模相比，硬模的颗粒尺寸由于掺杂剂的存在而缩小。缩小的颗粒尺寸使硬模中的特...

兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有数个集成电路。方法包括形成遮罩于半导体晶圆上。遮罩由覆盖及保护集成电路的层组成。利用多步骤激光划线工艺图案化遮罩，以提供具有间隙的图案化遮罩。图案化露出集成电路间的半导体晶圆区域。接着经由图案化遮...

本文中描述使用线性等离子体源来控制膜沉积的方法和设备。该设备包括其中具有用以供气体流过的开口的喷洒头、设置于该喷洒头附近用以支撑一或多个基板在其上的输送器以及用以离子化该气体的电源。该离子化气体可以是用以在基板上沉积材料的来源气体。可以...

在此提供的原子层沉积的设备与方法包含气体分配板材与至少一激光源，该激光源邻近该气体分配板材发射激光束，以活化来自该气体分配板材的气相物种。同样提供具有诸细长气体注入器端口的诸气体分配板材，其中沿着该等细长气体注入器的长度引导该至少一激光束。

本发明描述用于在腹板上沉积沉积材料的沉积设备及方法。沉积设备包括界定第一可旋转式溅射装置的第一轴的第一溅射装置支撑件、界定第二可旋转式溅射装置的第二轴的第二溅射装置支撑件及涂覆窗。第一溅射装置支撑件及第二溅射装置支撑件经调适成支撑第一可...

本发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄...

本发明的实施例涉及使用非旧有控制器执行旧有半导体应用程序的系统及方法。在一些实施例中，硬件抽象层及/或模仿器可用于提供非旧有操作系统与包括旧有应用程序的旧有部件之间的通信。在一些实施例中，多种方法及/或装置可用于模仿及/或翻译旧有部件与...