应用材料公司专利技术

应用材料公司共有6594项专利

  • 配置中的除污及剥除处理腔室
    本发明的实施例提供了包括两个或更多隔离腔室容积的一种负载锁定腔室,其中一腔室容积被配置来用于处理基板,且另一腔室容积被配置来提供冷却给基板。本发明的一实施例提供了一种负载锁定腔室,该负载锁定腔室具有形成在腔室主体组件中的至少两个隔离腔室...
  • 本实用新型涉及铁镍合金涂层的改进。本实用新型的实施方式通常提供在用于OLED制造的CVD腔室中使用的掩模。掩模由涂有氧化物材料的镍铁合金制成,所述氧化物材料诸如为氧化铁(III)(Fe3O4)或氧化钇(Y2O3)。
  • 描述一种沉积材料的层于基板上的方法。此方法包括当基板未暴露于等离子体时,点燃用于材料沉积的溅镀靶材的等离子体;维持等离子体至少直到基板暴露于等离子体来沉积材料于基板上;以及沉积材料于基板上,其中基板为了静态沉积工艺而定位。
  • 晶片边缘的测量和控制
    提供用于定位和/或旋转非固体接触的基板(诸如使晶片浮动于气体薄层上)的装置和方法。由于与处理腔室的各部件无固体接触,因此使用晶片上的各特征结构来确定晶片位置和旋转速度。闭环控制系统设置有电容式传感器,以监测晶片边缘在水平平面中的位置。控...
  • 藉由热隔离工艺环与静电夹盘的隔离圆片,以及藉由提供热传导及电绝缘的热环,来阻止半导体工艺环的不希望的加热,其中该热传导及电绝缘的热环接触半导体工艺环及底层的金属基底两者,该底层的金属基底具有内部冷却剂流动通道。
  • 本发明的实施方式一般涉及具有减少的载子复合的太阳能电池,以及用于形成所述太阳能电池的方法。所述太阳能电池具有共晶局部触点和钝化层,所述共晶局部触点和钝化层通过促进背面电场(back surface field;BSF)的形成来减少复合。...
  • 本实用新型公开用于硅基板处理的高性能和持久边缘环。提供一种具有可嵌套在一起的外环主体和内环主体的边缘环组件。外环主体由石英材料制造且具有顶表面和基本上平行于顶表面的多个底表面。外环主体具有第一环形台阶、第二环形台阶和第三环形台阶。内环主...
  • 沉积包封膜的方法
    描述一种将材料层(例如包封膜)沉积至基板上的方法及装置。于一实施例,包封膜形成方法包括:传送气体混合物至处理室中,此气体混合物包括含硅气体、第一含氮气体、第二含氮气体以及氢气;施加介于约0.350瓦/平方厘米至约0.903瓦/平方厘米的...
  • 在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中,在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤:脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一...
  • 本文提供了用于改进针对工艺腔室中的金属的选择性氧化的方法和设备。在一些实施方式中,氧化设置在具有由一或多个腔室壁界定的处理空间的工艺腔室中的基板的第一表面的方法可包括:将基板暴露于氧化气体以氧化第一表面;和主动地加热一或多个腔室壁的至少...
  • 等离子体腔室的传输线RF施加器
    一种传输线RF施加器装置和用于将RF功率耦接至等离子体腔室中的等离子体的方法。装置包括内导体和一个或两个外导体。所述一个或两个外导体的每个外导体的主要部分包括多个孔,所述多个孔在外导体的内表面和外表面之间延伸。
  • 本发明提供了在硅基基板的表面上形成钝化薄膜堆叠的方法。在一个实施例中,钝化薄膜堆叠包括氮化硅层和氧化铝层,所述氧化铝层被布置在氮化硅层和硅基基板之间。氧化铝层被沉积以使得氧化铝层具有小于约17原子%的低氢(H)含量和大于约2.5 g/c...
  • 本发明提供一种动态负载锁定腔室,该动态负载锁定腔室包括沿该动态负载锁定腔室的长度放置以实现从腔室的大气压力侧至处理压力侧的期望气压梯度的数个致动器。该腔室包括传输带,该传输带连续贯穿腔室以完成以下步骤:若基板位于生产线的入口侧,则将基板...
  • 用于金属栅极电极的原子层沉积方法
    提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiG...
  • 用于原子层沉积的涡流室盖
    本发明的实施方式是关于在原子层沉积工艺期间沉积材料至衬底上的设备和方法。在一实施方式中,提供用于处理衬底的处理室,其包括含有置中设置的气体分配道的室盖组件,其中气体分配道的汇流部往气体分配道的中心轴逐渐变细,气体分配道的分流部则背离中心...
  • 一种用于等离子体增强式化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)装置的分段式天线组件。于一实施例中,所述装置包括具有上表面及下表面的处理室体、天线以及电介质层。天线包括...
  • 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic;PV)装置,所述硅基光电装置包括高功函数(high work-function;HWF)缓冲层,所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductiv...
  • 多腔室基板处理系统
    在此提供一种用于处理多个基板的基板处理系统,且该基板处理系统大体上包括至少一个基板处理平台以及至少一个基板储备平台。该基板处理平台包括旋转轨道系统,该旋转轨道系统能够支撑多个基板支撑组件,且能够连续地旋转该等基板支撑组件,每一基板支撑组...
  • 提供一种用于制造高电容量能量存储装置的方法和设备。在一个实施例中,提供一种用于制造能量存储电极的沉积系统。该沉积系统包括:传送机构,用于传送基板;活性材料供应组件,用于沉积电活性粉末混合物至该基板上;和热源,用于干燥该刚沉积的电活性粉末...
  • 用于旋转基板的非径向温度控制系统
    本发明的实施例提供了降低热处理期间不均匀性的设备与方法。一个实施例提供了种处理基板的设备,包括腔室主体,其限定处理容积;基板支撑件,其置于该处理容积中,其中该基板支撑件被配置以旋转该基板;传感器组件,其被配置以测量该基板在多个位置处的温...