用于旋转基板的非径向温度控制系统技术方案

本发明专利技术的实施例提供了降低热处理期间不均匀性的设备与方法。一个实施例提供了种处理基板的设备，包括腔室主体，其限定处理容积；基板支撑件，其置于该处理容积中，其中该基板支撑件被配置以旋转该基板；传感器组件，其被配置以测量该基板在多个位置处的温度；以及一个或更多个脉冲加热组件，其被配置以对该处理容积提供脉冲式能量。

【技术实现步骤摘要】
用于旋转基板的非径向温度控制系统 本申请为申请日为2009年05月01日、申请号为200980115810. 9、名称为用于 旋转基板的非径向温度控制系统的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例大致涉及处理半导体基板的设备与方法。具体而言，本专利技术的实 施例与快速热处理腔室中的基板处理有关。
技术介绍
快速热处理（RTP)是半导体处理中的一种基板退火程序。在RTP期间，基板一 般是由靠近边缘区域的支撑装置予以支撑，并在受一个或更多个热源加热时由其加以旋 转。在RTP期间，一般是使用热辐射将受控制环境中的基板快速加热至最大温度（高达约 1350°C)，根据处理所需而使此最大温度保持一段特定时间（从一秒以下至数分钟）；接着 将基板冷却至室温以进行其它处理。一般会使用高强度钨卤素灯作为热辐射源，也可由传 导耦接至基板的加热台来提供额外热能给基板。 半导体制程中有多种RTP的应用，这些应用包括热氧化、高温浸泡退火、低温浸泡 退火、以及尖峰退火。在热氧化中，基板在氧、臭氧、或氧与氢的组合中进行加热，其使硅基 板氧化而形成氧化硅；在高温浸泡退火中，基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，所述设备包括：腔室主体，所述腔室主体限定处理容积；基板支撑件，所述基板支撑件置于所述处理容积中，其中所述基板支撑件包括边缘环，以在边缘区域处容纳和支撑基板；传感器组件，所述传感器组件放置为测量所述基板和所述边缘环在一个或更多个位置处的温度；第一加热源，所述第一加热源对所述处理容积提供能量，其中所述第一加热源包括多个加热组件，这些加热组件被分组成多个加热区；和第二加热源，所述第二加热源对所述处理容积中的所述边缘环提供脉冲式能量。

【技术特征摘要】
2008.05.02 US 61/050,167;2008.05.23 US 61/055,8141. 一种用于处理基板的设备，所述设备包括： 腔室主体，所述腔室主体限定处理容积； 基板支撑件，所述基板支撑件置于所述处理容积中，其中所述基板支撑件包括边缘环， 以在边缘区域处容纳和支撑基板； 传感器组件，所述传感器组件放置为测量所述基板和所述边缘环在一个或更多个位置 处的温度； 第一加热源，所述第一加热源对所述处理容积提供能量，其中所述第一加热源包括多 个加热组件，这些加热组件被分组成多个加热区；和 第二加热源，所述第二加热源对所述处理容积中的所述边缘环提供脉冲式能量。2. 如权利要求1所述的设备，其中所述第二加热组件包括激光二极管或线发光体。3. 如权利要求1所述的设备，其中所述第二加热源的频率、相位与振幅中的至少一者 为可调整。4. 如权利要求1所述的设备，其中所述第一加热源和所述第二加热源放置于所述基板 支撑件的相对侧上。5. 如权利要求1所述的设备，进一步包括置于所述处理容积与所述第二加热源之间的 光纤、导光管、镜体和内反射棱镜之一，以将能量从所述第二加热源导向至所述处理容积。6. 如权利要求1所述的设备，其中所述第一加热源的所述多个加热区是同心区，并且 在每个同心加热区中的加热组件中的一部分是脉冲加热组件。7. 如权利要求6所述的设备，其中所述脉冲加热组件的频率、相位与振幅中的至少一 者为可调整。8. 如权利要求7所述的设备，进一步包括系统控制器，所述系统控制器可操作为调整 来自所述第一加热源的所述脉冲加热组件和所述第二加热源的脉冲式能量的频率、相位与 振幅中的至少一者。9. 如权利要求1所述的设备，进一步包括系统控制器，所述系统控制器可操作为调整 来自所述第二加热源的脉冲式能量的频率、相位与振幅中的至少一者。10. -...

【专利技术属性】
技术研发人员：沃尔夫冈·R·阿得厚德，亚伦·亨特，约瑟夫·R·拉尼什，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US