本发明专利技术大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，会将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住”OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请为申请日为2009年02月17日、申请号为200980108629.5、名称为“”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术的实施例大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。
技术介绍
相较于液晶显示器(IXD)，有机发光二极管(OLED)显示器的反应时间更快、视角更大、对比度更高、更轻、功率更低、且能顺应柔性基板，因此近来在显示器应用方面深受注目。除了用于OLED的有机材料外，也开发许多用于小分子柔性有机发光二极管(FOLED)和聚合物发光二极管(PLED)显示器的聚合物材料。许多有机和聚合物材料具有柔性而可用于在各种基板上制造复杂的多层器件，使其适合应用于各种透明多色显示器，例如薄型平板显示器(FPD)、电泵有机激光(electrically pumped organic laser)和有机光放大器(organic optical amplifier)。显示装置的寿命时间有限，其特征在于电致发光效率下降和驱动电压上升。寿命时间有限起因于有机或聚合物材料劣化(degradat1n)及形成不发光的暗点(non-emissive)。湿气和氧气侵入将引起材料劣化和暗点问题。例如，8_轻基喹啉销(Alq3)常做为发光层，但发现暴露于潮湿大气中会造成8-羟基喹啉铝形成结晶结构，导致阴极剥落并产生随时间逐渐扩大的不发光暗点。此外，接触空气或氧气会造成阴极氧化。有机材料一旦与水或氧气反应，即全然失效。因此，本领域需要一种不会劣化或形成不发光暗点的OLED结构。也需要制造此结构的方法。
技术实现思路
本专利技术大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住” OLED结构。封装层在与OLED结构和封装层间的界面的对面具有实质平坦的表面。该平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透而进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。在一实施例中，有机发光二极管结构包含基板和置于基板上的有机发光二极管部。有机发光二极管部包含空穴传输层(hole transport layer)、发光层(emissivelayer)和封装部。封装部包含有机层，其实质围住有机发光二极管部并连接至有机发光二极管部和基板两者。封装部具有延伸整个有机层且位在该有机发光二极管部与封装部的界面的对面的实质平坦的表面。在另一实施例中，有机发光二极管制造方法包含沉积有机发光二极管层迭(layered)结构至基板上，以及沉积有机封装层至有机发光二极管层迭结构和基板上。有机封装层可耦接至基板和有机发光二极管层迭结构两者。有机封装层可具有延伸越过与有机发光二极管层迭结构和有机封装层的界面相对的整个表面的实质平坦的表面。在又一实施例中，有机发光二极管制造方法包含喷墨沉积有机封装层至基板上。基板上设置有有机发光二极管层迭结构。封装层耦接至基板和有机发光二极管层结构两者。封装层在该有机发光二极管层迭结构与有机封装层的界面的对面设置有实质平坦的表面。【附图说明】为让本专利技术的上述特征更明显易懂，可配合实施例阅读本专利技术的详细说明，部分实施例绘示于附图中。须注意的是，所附图式揭露的仅是本专利技术的代表性实施例，但其并非用以限定本专利技术的精神与范围，任何本领域的技术人员，当可作各种更动与润饰而得其他等效实施例。图1为根据本专利技术一实施例的喷墨列印设备100的透视图。图2为根据本专利技术一实施例的OLED结构200。图3为根据本专利技术一实施例，包含封装层320的OLED结构300。图4为根据本专利技术另一实施例，包含封装层406的OLED结构400。为助于了解，各图中相同的元件符号代表相同的元件。应理解某一实施例的元件和特征结构当可有益地并入其他实施例，在此不另外详述。【具体实施方式】本专利技术大体上是关于有机发光二极管(OLED)结构和其制造方法。为延长OLED结构的寿命时间，将封装层沉积至OLED结构上。封装层可完全围住或“封住” OLED结构。封装层具有实质平坦的表面，其位于OLED结构与封装层的界面的对面。该平坦表面容许后继层均匀沉积于OLED结构上。封装层能减少任何氧气穿透而进入OLED结构，故可延长OLED结构的寿命时间。图1为根据本专利技术一实施例的喷墨列印设备100的透视图。应理解虽然图中显示二个喷墨头102、104，但也可设置更多或更少的喷墨头。设备100还包括架桥114，其上装设喷墨头102、104。喷墨头102、104沿着架桥114相隔排列成阵列方式，使多个喷墨头102、104将有机封装材料送至基板118。在一实施例中，喷墨头102、104将有机封装材料送至基板118的不同区域。在另一实施例中，喷墨头102、104连接在一起。一或多个监视器或摄影机116装设在架桥114。基板118置于基板支撑台(substrate stage) 120上。操作期间，基板支撑台120可在喷墨头102、104下方移动基板118，在此将墨滴分配到基板118上。监视器或摄影机116可测量墨滴和沉积材料。喷墨设备100可用来沉积OLED结构的许多膜层。图2为根据本专利技术一实施例的OLED结构200。结构200包含基板202。在一实施例中，基板202为柔性可卷绕式基板。应理解虽然基板202叙述为可卷绕式基板，但也可采用其他基板来制造0LED，包括碱石灰(soda lime)玻璃基板、硅基板、半导体晶圆、多边形基板、大面积基板和平板显不基板。基板202上设置阳极204。在一实施例中，阳极204包含金属，例如铬、铜或铝。在另一实施例中，阳极204包含透明材料，例如氧化锌、氧化铟锡等。阳极204的厚度为约200埃(Angstroms)至约 2000 埃。空穴注入层206接着沉积在阳极204上。空穴注入层206的厚度为约200埃至约2000埃。在一实施例中，空穴注入层206包含具有苯二胺(phenylenediamine)结构的直链低聚物的材料。在另一实施例中，空穴注入层206包含具有苯二胺结构的支链低聚物的材料。空穴传输层208沉积在空穴注入层206上。空穴传输层208的厚度为约200埃至约1000埃。空穴传输层208包含二胺(diamine)。在一实施例中，空穴传输层208包含萘基取代联苯胺(NPB)衍生物(naphthyl-substituted benzidine (NPB) derivative)。在另一实施例中，空穴传输层108包含N，N’ - 二苯基-N，N’ -双(3-甲基苯基)-1，I’ - 二苯基-4，4，-二胺(TPD) (N, N，-diphenyl_N，N，_bis (3-methylphenyl) - (I, I’-biphenyl)-4，4’ -diamine)。发光层210沉积在空穴传输层208上。发光层210的沉积厚度为约200埃至约1500埃。做为发光层210的材料通常属于荧光金属螯合复合物类。在一实施例中，发光层210 包含 8_ 轻基喹啉销(8-hydroxyquinoline aluminum，Alq3)。电子传输层212沉积在发光层210上。电子传输层212包含金属螯合喹啉酮化合物(metal chelated oxi本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光二极管结构，该结构包含：基板；有机发光二极管部，置于该基板上，该有机发光二极管形成于一设备中；以及多层防水层封装结构，置于该有机发光二极管部上，该防水封装结构包括一或多个含硅层以及一或多个含碳层，其中该多层防水封装结构的各层具有相同的厚度，该多层防水封装结构形成于所述设备中。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：元泰景，乔斯·曼纽尔·迭格斯坎波，桑杰伊·D·雅达夫，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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