本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下...

此处描述的实施方式大体上关于与热处理腔室中的灯头组件一起使用的柔性支座。在一个实施方式中，所述灯头组件可包括：灯头，具有一个或多个固定的灯头位置；灯泡；灯座，具有支座接触适配器；以及柔性支座，能够附接和定位所述灯组件。所述柔性支座可包括...

一种集成极紫外线坯料生产系统包括：用于将基板置放在真空中的真空腔室；沉积系统，所述沉积系统用于沉积多层堆叠物而不从真空移除基板；以及处理系统，所述处理系统用于处理多层堆叠物上的层，所述层待沉积为非晶金属层。一种用于制造极紫外线掩模坯料的...

本文描述的实施方式大体关于用于处理基板的设备。该设备大体包括处理腔室，该处理腔室具有在该处理腔室中的基板支撑件。多盏灯经定位以提供穿过光学透明窗而至基板的辐射能，基板定位于基板支撑件上。所述多盏灯定位于灯箱中。冷却通道形成于灯箱中。灯箱...

本文提供形成含氮层的方法和设备。在一些实施方式中，方法包括把基板放到处理腔室的基板支撑件上，基板具有设置在上面的第一层；将基板加热至第一温度；和使第一层暴露于RF等离子体，RF等离子体由包括氨(NH3)的工艺气体形成，以将第一层转化成含...

本发明通常有关于测量针孔的确认方法。在一方面，提供了在叠层中测量针孔的方法，所述叠层例如是薄膜晶体管叠层。所述方法可包括形成有源层于基板的沉积表面上、形成介电层于有源层之上、传送蚀刻剂于至少所述介电层，以蚀刻介电层与形成于介电层中的任何...

本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的一个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的一个实施例提供一种用于测量处理腔室中的一或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括：用于接触正经测量的腔室部件的尖端；具有自第一端及...

提供了用于形成图案化的磁性基板的方法和装置。将图案化的抗蚀部形成于基板的磁致激活表面上。通过可流动式CVD工艺将氧化物层形成在所述图案化的抗蚀部之上。蚀刻所述氧化物层，以使所述图案化的抗蚀部的部分暴露出来。随后，使用经蚀刻的氧化物层作为...

本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体...

本发明的实施例一般涉及简化的、高电压钨卤素灯具，用于使用作为快速热处理(RTP)腔室或其它灯具加热热处理腔室中的热辐射源。实施例包括灯具设计，灯具设计包括外部的保险丝，同时减少现有技术灯具的费用与部件数量。另外，本文所述的灯具的实施例提...

本发明提供具有可拆卸式气体分配板的喷淋头的实施例。在一些实施例中，一种使用于半导体处理腔室的喷淋头可包括：基座，该基座具有第一侧与第二侧；气体分配板，该气体分配板设置成邻近于该基座的该第二侧；及夹具，该夹具设置于接近该气体分配板的周围边...

本文所述的实施方式涉及用于温度测量的方法和装置。基座可被配置以在第一表面上支撑基板，且所述基板的第二表面可相对于所述第一表面定向。一个或更多个反射特征可形成在所述第二表面上。所述一个或更多个反射特征可在由温度传感器观察的半径处以各种图案...

包括沟槽(110)和(186)和过孔(202)的导电互连是通过在工件之上施加介电膜堆叠(120)，且之后在膜堆叠之上施加光刻胶(140)而形成在工件(100)中。沟槽(142)在光刻胶中被图案化，其中所述沟槽处于彼此端对端设置的区段中。...

示例性系统可包括腔室，所述腔室经配置以在所述腔室的处理区域中含有半导体基板。所述系统可包括第一远程等离子体单元，所述第一远程等离子体单元与腔室的第一入口流体耦合且经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。所述系统可更进一步包括第二远...

本实用新型涉及一种用于处理基板的罩框和一种基板支撑组件，所述罩框被设计成降低基板边缘区域上的高沉积速率。所述罩框可与无遮蔽结构式基板支撑件一起使用，并且可与气体限制器一起使用或者不与气体限制器一起使用。所述罩框包括基部和遮罩。所述遮罩可...

描述了一种用于涂布薄膜于柔性基板上的设备。此设备包括涂布鼓轮及气体分离单元，涂布鼓轮具有外表面，用于导引柔性基板通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域，气体分离单元用于分离第一真空处理区域与至少一第二真空处理区域，且适用于形成狭缝...

本文提供用于磁控管组件的方法与设备。在一些实施方式中，一种磁控管组件包括：第一板，所述第一板具有第一中心轴，所述第一板能绕所述第一中心轴旋转；第一开环磁极，所述第一开环磁极耦接于所述第一板；第二板，所述第二板具有第二中心轴，所述第二板能...

描述了一种沉积薄膜于基板上的设备。设备包括基板支撑件，具有外表面，引导基板沿基板支撑件的表面通过第一真空处理区域及至少一第二真空处理区域；对应第一处理区域的第一沉积源与对应该至少一第二真空处理区域的至少一第二沉积源，其中至少第一沉积源包...

描述了一种用于沉积薄膜于基板上的设备。此设备包括基板支撑件、等离子体沉积源及致动器。基板支撑件具有外表面，用于导引基板通过真空处理区域。等离子体沉积源用以沉积薄膜于真空处理区域中的基板上，其中等离子体沉积源包括电极。致动器配置用以调整电...

提供一种在化学机械平坦化(CMP)之后清洗基板的方法及设备。该设备包含壳体；可在第一轴上旋转并被配置以将基板保持在大致垂直的方向的基板固持件；具有垫保持表面的第一垫固持件，该垫保持表面以平行和间隔开的关系面向该基板固持件，该第一垫固持件...