在清洁衬底处理室部件的表面以去除处理沉积物的方法中，所述部件表面被冷却至低于大约－４０℃的温度，由此使所述表面上的处理沉积物破裂。所述表面可以通过将所述表面浸入诸如液氮的低温流体中来冷却。在另一种方法中，所述部件表面被加热以使所述沉积物...

本发明公开了一种用单一处理室无电沉积多层膜的方法和装置，它使用（多种）处理溶液进行清洁，然后将具有不连续或变化成分的金属膜沉积到导体表面上。该处理包括原位清洁步骤，通过在清洁和无电沉积处理步骤之间减少或防止导体表面暴露于氧气而减少导体表...

本发明提供了用于沉积无定型碳材料的方法。在一个方面中，本发明提供一种处理衬底的方法，该方法包括：在处理室中放置所述衬底；将处理气体引入所述处理室，其中，所述处理气体包括载气、氢气和一种或多种烃化合物或其衍生物；通过从双频ＲＦ源施加功率产...

根据本发明的实施例涉及可以单独或组合使用以减少或消除在半导体工件（８８２）的斜壁上沉积材料的各种技术。在一种方法中，遮蔽环（８８０）位于衬底（８８２）边缘的上方，以阻挡气体流至斜壁区域。遮蔽环的边缘（８８０ａ）的几何特征将气流向晶片引导...

本发明提供了一种用于在处理区域中的衬底上进行化学气相沉积的处理室的方法和装置，所述处理室包括气体盒和面板，所述气体盒具有包括气体入口通道的加热盖，所述面板连接到所述加热盖并设置成将气体从被加热的气体盒导向衬底处理区域。另外，还提供了一种...

本发明公开了一种移除在处理室的内表面上形成的沉积物的反馈回路清洁系统，包括：流动控制器，其设定供应到等离子体产生系统的清洁气体混合物的流率，其中等离子体产生系统由清洁气体混合物产生等离子体，所述等离子体包括反应清洁物质；检测器，其产生具...

本发明公开了一种用于对沉积室进行干燥的方法，其中，在衬底上沉积有机硅材料之前，用不含碳的材料对室部件和壁进行致密的涂敷。可以在其间沉积含碳层。提供了一种使用低能量等离子体和低压来从内部室表面除去残余物的室清洁方法，该方法可以与干燥处理相...

本发明涉及一种制造金属化网（３）的方法和设备，具体为箔式电容器的金属化塑料网，所述方法中，金属层（１７）以蒸气相或气相进行沉积，其中，在沉积所述金属层以前，进行经等离子体支持的金属晶种层的蒸气相或气相沉积过程，所述金属晶种层的厚度在至多...

本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）中“第一晶片效应”的装置和方法。本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括在清洁步骤之后，根据空闲时间长度调整进行干燥步骤和加热步骤。

本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物...

一种紫外（ＵＶ）固化室，能够对布置在衬底上的介质材料进行固化并对其进行原位清洁。串列处理室设有两个单独并相邻的处理区域，这些处理区域由盖子所覆盖的主体限定，盖子分别位于各个处理区域上方并具有对准的窗口。每个由耦合到盖子的壳体所覆盖的处理...

一种用于溅射涂敷设备（１）的磁控管溅射源，包括至少一个阴极（３）以及设置在该阴极上或形成为该阴极的至少一个靶材（４）。靶材为衬底的涂敷和／或处理提供涂敷和／或处理材料。该磁控管溅射源还具有产生涂敷等离子体的装置及用于产生磁场的至少一个磁...

本发明涉及用于制造衬底上的ＳｉＮ：Ｈ层的方法，该ＳｉＮ：Ｈ层将光转换成电压，其中对包括硅的靶进行溅射，并且至少一个反应气体引入到靶和衬底之间的空间中，其特征在于：靶以管状靶的形式实现，并由Ａｌ的含量为２至５０ｗｔ．％的Ｓｉ基合金组成。

本发明涉及一种用于支持等离子体增强涂敷处理的装置（８），所述装置可布置在等离子体和／或待涂敷的衬底和／或为产生等离子体而提供的电极附近，其中设有框架，框架至少部分地围绕或限制了等离子体区域或平面的边或面，衬底或承载衬底的承载元件可以布置...

本发明涉及一种用于玻璃的银低Ｅ涂层，该涂层是可回火的并且可以通过溅射工艺涂覆在玻璃上。该涂层的各层是低成本的标准材料。本发明的一种实施方式组成如下：玻璃基材；玻璃上的厚度约为１５ｎｍ的Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层；Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］层上...

一种涂覆设备包括处理室和气体管路系统，其用于将气体供应到涂覆设备的处理室中。气体管路系统具有用于将气体供应到气体管路系统中的供应开口和用于将气体排出气体管路系统的排出开口。管路被形成为使得在供应开口与排出开口之间的管路的流动阻力基本相等...

本发明描述了一种蒸发坩埚。所述蒸发坩埚包括：导电腔管（１２０），其具有形成封闭空间的壁，所述腔管具有管轴线（２）；第一电连接（１６２；１８２）；第二电连接（１６２；１８２），其中所述第一电连接和所述第二电连接适用于提供基本平行于所述管轴...

本发明描述了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅（１００；３００；４００；５００）包括：导电主体（１２０）和盖（１５０；５００）；所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接（１６２）和第二电连接（１６４），所述主体包括提供熔融蒸发区域...

本发明涉及用于涂覆设备的灌流室，利用该灌流室能够实现更短的灌流时间，和更短的时钟循环。在其中利用了两个灌流装置，衬底对称设置在两个灌流装置之间。灌流装置将气体喷射导向到衬底。由此衬底固定在灌流装置之间。

本发明涉及一种用于在真空室内移动托架的结构。此托架形成为板形并被支撑为其狭窄侧边缘位于由驱动系统驱动的辊上。优选地利用磁性耦合作为间接驱动器，其部分位于真空室内并部分位于真空室外。在沿着竖直方向作用的力的帮助下，磁性耦合的两个部件可以相...