本文所述的多个实施方式大体涉及用于减少半导体处理腔室中聚合物沉积的装置与方法。提供了加热器外壳与多个热源，该加热器外壳与多个热源可被配置成保持该处理腔室的均匀温度剖面。还提供了一种保持该处理腔室介电顶板的均匀温度剖面的方法。

本发明的实施方式提供用于在基板上沉积层的方法及设备。在一个实施方式中，该方法包括将设置在处理腔室内的基板的表面暴露于流体前驱物；把产生自辐射源的电磁辐射引导至光扫描单元，使得电磁辐射在基板的整个表面上被偏转及被扫描，材料层待形成于该基板...

本文提供一种用于基板处理系统中的基板支撑夹盘。在一些实施方式中，用于基板处理腔室中的基板支撑件可包括：静电夹盘，所述静电夹盘具有顶部基板支撑表面与底部表面；以及冷却环组件，所述冷却环组件具有中心开孔，所述冷却环组件设置于所述静电夹盘的底...

本发明的实施方式一般涉及具有用于将图案成像于基板上的光学元件的激光退火系统。光学元件可包含将图像整形以暴露于基板的表面上的多个孔或一个孔。该图像可由光学元件系统内的孔的形状加以确定。

描述了用于前驱物的稳定化的方法及设备，这些方法及设备可用于沉积含锰膜。某些方法及设备涉及经添加衬里的安瓿和/或2-电子供体配体。

提供的是包括气体分配板的原子层沉积设备和方法，气体分配板包括多个细长的气口，气口具有沿着气体分配板的外部长度延伸的气帘。还提供的是包括气体分配板的原子层沉积设备和方法，气体分配板具有多个细长的气口，气口具有气帘。

本发明的实施方式大体涉及基座支撑杆及包括该基座支撑杆的处理腔室。基座支撑杆支撑基座于基座支撑杆上，该基座又在处理期间支撑基板。即使当旋转基座支撑杆时，基座支撑杆也能通过为射向基座和/或基板的高温计聚焦射束提供一致的路径而减小基座和/或基...

描述一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置。所述装置包括：真空腔室；运输系统，其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于内联沉积；第一支撑件，所述第一支撑件用于可围绕所述真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第一旋转溅射阴极，其...

一种电镀晶片的方法基于电压变化来检测电镀浴失效。所述方法对电镀具有TSV特征结构的晶片有用。可监测电镀处理器的每个阳极的电压。电压急剧下降表示由诸如SPS的加速剂转换成其副产物MPS所导致的浴失效。通过电流脉冲输送或电流递增输送延迟或避...

本文公开用于沉积多层阻挡层结构的方法及设备。在一个实施方式中，在有机半导体之上形成的薄阻挡层包括：非共形有机层、在该非共形有机层之上形成的无机层、在该无机层之上形成的金属层及在该金属层之上形成的第二有机层。在另一实施方式中，沉积阻挡层的...

在一些实施方式中，一种用于具有处理屏蔽件的基板处理腔室中使用的靶组件可包括：背板，具有第一侧和相对的第二侧，其中该第二侧包含具有第一直径的第一表面，由第一边缘约束该第一表面；靶材料，具有粘合至背板的第一表面的第一侧；其中第一边缘为背板与...

本文中所述的实施方式大体涉及在半导体基板的热处理期间的高温测量。更具体地，实施方式是关于用于热处理腔室的高温测量过滤器。在某些实施方式中，高温测量过滤器选择性地过滤选定的能量波长以改良高温计测量。高温测量过滤器可具有多种几何形状，这些几...

一种处理屏蔽件，该处理屏蔽件可包括伸长环形主体，该伸长环形主体具有外表面和内表面；唇，该唇自该主体的外表面(位于该主体的第一端附近)向外径向延伸，使得该主体的第一部分向该第一端延伸超过该唇；多个开口，所述多个开口位于唇中；和销，该销设置...

本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述...

本文公开加热灯及加热灯组件的实施方式。在一些实施方式中，加热灯可包括：灯泡；反射体，所述反射体在所述灯泡的第一端附近限制所述灯泡；基座，所述基座耦接至所述反射体的与灯泡相对的侧面上；柄，所述柄耦接至所述基座的与所述反射体相对的侧面上，其...

本发明的基座支撑部包括基座轴及基板升降部。基座轴包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基板升降部包括支撑柱及从支撑柱径向延伸的多个臂，基座轴的臂从基座轴的支撑柱侧起包括第一臂、耦接至第一臂的第二臂及耦接至第二臂的第三臂，第二臂提供有通孔...

本发明描述了一种用于形成OLED器件的方法。具有夹在阻挡层之间的缓冲层的封装层沉积在OLED结构上。所述缓冲层沉积在第一阻挡层上，并在低于100摄氏度的温度下利用含氟等离子体进行固化。接着，所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。

本文提供用于支撑基板的设备。在一些实施方式中，基板支撑件包括：基座板，所述基座板具有顶表面；凹槽，所述凹槽形成于顶表面内，其中所述凹槽由边缘界定；和多个倾斜支撑元件，所述多个倾斜支撑元件设置于凹槽内，且所述多个倾斜支撑元件沿凹槽的边缘设...

本发明公开了用于形成OLED器件的方法。将具有有机缓冲层夹在阻挡层之间的封装结构沉积在OLED结构上。所述缓冲层是利用含氟等离子体形成。随后，将所述第二阻挡层沉积在所述缓冲层上。另外，为了确保良好的粘附性，在所述缓冲层与第一阻挡层之间形...

一种自动再填充安瓿及其使用方法。本文描述用于向处理腔室供应气体的设备和方法。所述设备包括与安瓿形成流体连通的入口管线、出口管线和填充管线。所描述的设备和使用方法容许在处理期间再填充前体安瓿，而无需拆下或更换安瓿及中断工艺。