反射性衬里制造技术

本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述灯具之间。所述灯具在区域中被供电，且控制器基于从热传感器接收的数据而调整所述灯具区域的电力。反射性衬里可提供用于改善的基板的温度测量及加热。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文公开用于半导体处理的装置。更具体而言，本文公开的实施方式与用于半导体处理腔室中的反射性衬里相关。
技术介绍
外延(epitaxy)是一种广泛用于半导体处理中以在半导体基板上形成非常薄的材料层的工艺。所述层经常定义某些最小的半导体装置的特征，且若结晶材料的电学特性是所需的，则所述层可具有高质量的晶体结构。沉积前驱物(deposit1n precursor) 一般提供至处理腔室，所述处理腔室内设置基板，所述基板被加热至促成具有所需特性的材料层的生长的温度。通常希望薄膜具有非常均匀的厚度、成分及结构。由于局部基板温度、气体流动、及前驱物浓度的变化，因此要形成具有均匀且可重复特性的薄膜是相当具挑战性的。所述处理腔室一般是能够维持高真空(通常低于1Torr)的容器，且热量一般由设置于所述容器的外的加热灯提供，以避免引入污染物。高温计(pyrometers)可被提供以测量所述基板的温度。基板温度的控制及测量(且因此局部层形成状况的控制及测量)因腔室部件的热吸收及发射以及传感器及腔室表面暴露于所述处理腔室内的薄膜形成状况而复杂化。现仍需要具有改善的温度控制、温度测量、以及操作外延腔室的方法的外延腔室，以改善均匀性及可重复性。
技术实现思路
本文公开的实施方式与用于半导体处理腔室中的反射性衬里相关。所述反射性衬里可改善处理腔室中的基板的温度控制及测量。本文所述的实施方式提供了用于半导体处理腔室中的装置。所述装置包括正圆柱环状(right circular cylindrical annulus)反射性衬里，所述反射性衬里具有外部部件、内部部件，及介于所述外部部件及所述内部部件之间的空间。反射性构件可移动地设置于所述空间中。【附图说明】通过参考实施方式(一些实施方式在附图中说明)，可获得在上文中简要总结的本专利技术的更具体的说明，而能详细了解上述的本专利技术的特征。然而应注意，附图仅说明本专利技术的典型实施方式，因而不应将这些附图视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可容许其它等效实施方式。图1是根据本文描述的一个实施方式的处理腔室的截面示意图。【具体实施方式】—种能够将基板分区温度控制同时执行外延工艺的腔室，具有处理容器，所述处理容器具有上部分、侧边部分，及下部分，所述上部分、所述侧边部分及所述下部分全部由具有在所述容器内建立高真空时维持其形状能力的材料制成。至少所述下部分对于热辐射实质上透明的，且热灯具可定位在锥形灯头结构中，所述锥形灯头结构在所述处理容器的外侧耦合到所述处理容器的所述下部分。热传感器设置在所述处理容器内的各个位置，所述处理容器具有用于减少热噪声进入所述传感器及减少所述传感器上的材料沉积的手段。图1是根据一个实施方式的处理腔室100的截面示意图。处理腔室100可被用以处理一个或更多个基板，包含在基板108的上表面上的材料沉积。处理腔室100通常包含腔室主体101及辐射加热灯具102的阵列，所述辐射加热灯具的阵列用于加热，除了其他部件之外，基板支撑件107的背侧104，所述基板支撑件设置在处理腔室100内。所述基板支撑件107可为:如图所示的，从基板108的边缘支撑基板108的环状基板支撑件、碟状或盘状的基板支撑件，或多个支撑销，例如，三个支撑销或五个支撑销。基板支撑件107位于上圆顶128及下圆顶114之间的处理腔室100内。基板108可通过装载口 103而被带到处理腔室100中并定位在基板支撑件107上。基板支撑件107图示于升高的处理位置中，但所述基板支撑件可通过致动器(未图示)垂直移动到低于所述处理位置的装载位置，以允许升降销105接触下圆顶114。升降销105穿过基板支撑件107中的孔洞并将基板108从基板支撑件107升起。机械手(未图示)接着可进入处理腔室100，通过装载口 103从所述处理腔室接合并移除基板108。基板支撑件107接着可向上被致动至所述处理位置，以将基板108放置到基板支撑件107的前侧110上(所述基板的装置侧116朝上)。当基板支撑件107位于所述处理位置时，所述基板支撑件将处理腔室100的内部空间分成处理气体区156 (所述基板的上方)及净化气体区158 (基板支撑件107的下方)。在处理时，基板支撑件107通过中央轴132旋转，以将处理腔室100内的热及处理气流的空间不均匀效应最小化，且因此有助于基板108的均匀处理。基板支撑件107由中央轴132所支撑，所述中央轴在装载及卸除时(且某些情况中，在处理基板108时)，将基板108在上下方向134上移动。基板支撑件107通常由具有低热质量或低热容量的材料形成，使得基板支撑件107所吸收及释放的能量最小。基板支撑件107可由碳化硅或涂布碳化硅的石墨所形成，以吸收来自灯具102的辐射能量，并将所述辐射能量传导至基板108。基板支撑件107如图1所示为具有中央开口的圈环，以有助于将所述基板暴露至自来灯具102的热辐射。基板支撑件107也可以是没有中央开口的盘状构件。一般而言，上圆顶128及下圆顶114通常由诸如石英的光学透明材料形成。上圆顶128及下圆顶114是薄的，以将热记忆最小化，所述上圆顶及所述下圆顶通常具有介于大约3mm及大约1mm之间的厚度，例如大约4mm。上圆顶128可被调节温度，所述温度调节(thermal control)通过输入口 126将温度调节流体(例如冷却气体)引入到温度调节空间136，并通过输出口 130抽出所述温度调节流体。某些实施方式中，通过温度调节空间136的冷却流体循环可减少上圆顶128的内部表面上的沉积。—个或更多个灯具，诸如灯具102的阵列，可在中央轴132的周围以所需的方式设置在下圆顶114的邻近处及下方，以随着处理气体经过基板108上方而加热基板108，从而有助于材料沉积到基板108的所述上表面。在不同的例子中，沉积至基板108上的所述材料可以是三族、四族和/或五族材料，或可以是包含三族、四族和/或五族掺杂剂的材料。例如，所述沉积材料可包含砷化镓、氮化镓，或氮化招镓(aluminum gallium nitride) ο灯具102可被适配以将基板108加热到大约摄氏200度至大约摄氏1200度的温度范围，诸如大约摄氏300度至大约摄氏950度。灯具102可包含灯泡141，所述灯泡被可选的反射体143包围。每个灯具102耦合至电力分配板(未图示)，且电力通过所述电力分配板供应到每个灯具102。灯具102配置在灯头145内，在处理时或处理后，所述灯头可通过例如将所述冷却流体引入至灯具102之间的通道149而被冷却。灯头145传导式地冷却下圆顶114，部分因为灯头145靠近下圆顶114。灯头145也可冷却灯具壁及反射体143的壁。若有需要，灯头145可与下圆顶114接触。衬里组件162可设置于基座环160的内部周围之内，或所述衬里组件可被所述内部周围包围。基座环160可形成腔室主体101的一部分。衬里组件162可由石英材料所形成，且所述衬里组件通常将处理空间(即处理气体区156及净化气体区158)屏蔽于处理腔室100的金属壁。所述金属壁可与前驱物反应并造成所述处理空间中的污染。开口可穿过衬里组件162而设置并与装载口 103对准，以允许基板108通过。虽然衬里组件162显示为单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理腔室中的装置，所述装置包括：正圆柱环状(right circular cylindrical annulus)反射性衬里，所述正圆柱环状反射性衬里包括：外部部件、内部部件，及介于所述外部部件及所述内部部件之间的空间；及反射性构件，所述反射性构件可移动地设置于所述空间中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·M·拉内什，保罗·布里尔哈特，苏拉吉特·库马尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US