本发明公开一种用于在基板上形成电池活性材料的方法及装置。在一个实施例中，一种用于在基板的表面上沉积电池活性材料的装置包括：基板输送系统，用于在装置内运输基板；材料喷雾组件，安置在基板输送系统上方；及第一加热元件，邻接于材料喷雾组件而安置...

兹描述用于处理半导体晶圆，使晶圆于处理期间仍保持在适当位置的装置和方法。晶圆受到顶表面与底表面间的压差作用，因而有足够的力防止晶圆于处理时移动。

在一个方面，揭示了一种等离子体蚀刻设备，该等离子体蚀刻设备包括具有处理腔室的腔室主体，该处理腔室适用于接收基板；耦接至射频(RF)电极的射频(RF)源；位于该处理腔室中并适用于支撑基板的基座；数个导电销，适用于在处理过程中接触及支撑该基...

本发明提供一种能使生长速度提高的外延生长装置。外延生长装置包括：反应室，由载置基板的基板载置部、具有透光性的顶板及侧壁部而划分；加热单元，设置于反应室外部，且将载置于反应室内的基板经由所述顶板来进行加热；以及反应气体导入单元，与基板的水...

本文提供基板传送系统的实施方式，所述基板传送系统能够加热和/或冷却移入和移出多个基板处理腔室的基板批量。本文还提供基板传送的方法，以及提供许多其他方面。

提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀...

本发明实施例大体上包括薄膜晶体管(TFT)和其制造方法。TFT的栅极介电层会影响TFT的临界电压。经由在沉积主动通道材料前处理栅极介电层，可改进临界电压。处理栅极介电层的一方法涉及使栅极介电层暴露于N2O气体。处理栅极介电层的另一方法涉...

本发明的实施方式提供在处理腔室内处理基板的方法。在一个实施方式中，方法包含提供前驱物气体混合物至处理腔室内，前驱物气体混合物包含沉积前驱物气体和蚀刻前驱物气体、使前驱物气体混合物受到出自热源的热能作用，以在基板的表面上沉积材料层，其中热...

本发明涉及一种CVD腔室的流体控制特征结构。本发明提供用于气体散布组件的设备与方法。在一方面中，提供一种气体散布组件，其包含：环形本体，其包含：环形圈，其具有内环形壁、外壁、上表面与底表面；上凹部，其形成到该上表面内；及座部，其形成到该...

提供一种用于制造能量存储器件以及器件部件的方法和装置。已经发现，将包含电活性的材料的浆料喷涂到柔性基板上并随后将所述基板暴露于增加温度梯度下产生具有减小的表面粗糙度的干燥或几乎干燥的膜的沉积。所述增加温度梯度可由所述基板横越过的多个加热...

本实用新型涉及一种处理系统和用于工艺腔室中的基板载体。该处理系统包含电磁掩膜夹盘。电磁掩膜夹盘包括主体，具有多个电磁体形成于所述主体内。电磁体可随后传递磁力至掩膜以在基板上方或基板上定位和固持掩膜以便进一步沉积。使用电源控制电磁体，以将...

一种光刻胶气相沉积系统包含：真空腔室，真空腔室具有加热元件以及用于固持基板的冷却卡盘，真空腔室具有加热的入口；以及气相沉积系统，气相沉积系统连接至加热的入口，以使前驱物挥发进入真空腔室中，以在由冷却卡盘冷却的基板之上凝结光刻胶。沉积系统...

一种数据分析方法与系统，包括产生第一节点，确定所述第一节点的第一超立方体，确定样本是否存在于所述第一超立方体内。若所述样本不存在于所述第一超立方体内，则所述方法包括确定所述样本是否存在于第一超球体内，其中所述第一超球体具有与所述第一超立...

本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中，处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面，其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分，以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构，每个所述至少...

本新型的实施例提供了单环，所述单环包括具有内部表面的圆环状的主体，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；所述主体亦包括相对于所述内部表面的外部表面。所述主体具有底表面及顶表面，所述底表面具有形成于其中的凹槽，所述顶表面具有相邻于所述外...

一种制品包括涂覆有陶瓷涂层的体。该陶瓷涂层可以包括：在约45摩尔％到约99摩尔％之间的范围内的Y2O3、在约0摩尔％到约55摩尔％之间的范围内的ZrO2、以及在约0摩尔％到约10摩尔％之间的范围内的Al2O3。或者，该陶瓷涂层可以包括：...

本发明的多个实施例与用于在基板中激光形成多个孔洞的设备与方法有关。在一实施例中，激光扫描设备包含可移动运输组件以及放置邻近于该可移动运输组件的光学装置，其中该光学装置包括多面镜、致动器与激光源，该多面镜具有数个反射切面以及旋转轴，该致动...

一种基板清洁设备可包括：基板支撑件，该基板支撑件具有支撑表面，以支撑待清洁的基板，其中该基板支撑件可围绕垂直于支撑表面的中心轴旋转；第一喷嘴，当基板支撑件的支撑表面支撑该基板时，该第一喷嘴将第一清洁气体提供至内部空间的区域，该区域对应于...

所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法，其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承，以举起该晶圆往气体分配组件。

在某些实施方式中，一种用于处理腔室的溅射源可包括：第一围绕体，所述第一围绕体具有顶部、多个侧部和开放的底部；靶材，所述靶材耦接至所述开放的底部；电馈入器，所述电馈入器耦接至所述第一围绕体的所述顶部、靠近所述第一围绕体的中心轴，以经由所述...