本文提供了一种用于调节研磨垫的方法与设备。在一实施例中，提供了一种用于基板研磨处理的垫片调节装置。该垫片调节装置包括光学装置，该光学装置耦接至研磨站中邻近于研磨垫的一部分，该光学装置包括激光发射器，用以对研磨垫的研磨表面发出光束，该光束...

本文所述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基板加热器的设备和方法。在一个实施方式中，一种用于基板处理腔室的基板支撑件包括：主体，所述主体具有顶板，所述顶板具有基板接收表面；和可移动的加热器，所述加热器设置于主体中，所述加热器相对于顶板是可...

一种基板清洁装置可包括：基板支撑构件，用以支撑基板，该基板具有第一侧面和污染的第二侧面；液态二氧化碳源；气态二氧化碳源；及一或更多个喷嘴，该一或更多喷嘴耦合至液态二氧化碳源和气态二氧化碳源，其中一或更多个喷嘴配置为接收液态二氧化碳及排放...

本发明的实施例大体为涉及大容量蓄能装置及制造大容量蓄能装置的方法及设备。在一个实施例中，提供用于形成多层阴极结构的方法。所述方法包含以下步骤：提供导电基板；沉积包含阴极活性材料的第一浆料混合物以在导电基板之上形成第一阴极材料层；沉积包含...

公开了一种通道传递通过设备。该通道传递通过设备包括：传递通过腔室，该传递通过腔室适合于耦接在基板处理系统的第一主机区段与第二主机区段之间，该传递通过腔室包括入口及出口，该入口及出口每个都具有狭缝阀；以及通道处理腔室，该通道处理腔室定位于...

揭示包括盖组件的处理腔室，该盖组件在注入器组件之上形成空间，以减少该注入器组件由于该注入器组件的处理侧与该注入器组件的大气侧之间的压力差所导致的偏移。

双磁控管，特别有用于RF等离子体溅射，包括：径向静止开环磁控管(82)，包括相对磁极(90、92)且绕中央轴(14)旋转以扫描溅射目标(20)的外部区域；和径向可移动式开环磁控管(84)，包括相对磁极(96、98)且与该静止磁控管一起旋...

所述为用于处理半导体晶圆的设备与方法，其中，定位在气体分配组件中的光学传感器于沉积期间测量温度和/或膜参数。

本文所描述的是气体分配组件及由数个扇形(pie-shaped)区段制成的基座组件，该数个扇形区段可以被个别地整平、移动或变换。本文还描述的是包含气体分配组件、基座组件及感测器的处理室，并具有反馈电路来调整该基座和该气体分配组件之间的缝隙...

本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更...

本发明的实施例一般涉及在半导体装置上形成硅外延层的方法。所述方法包括加热安置在处理腔室的处理体积内的基板，及通过将基板暴露于催化剂气体和一或多种沉积气体来执行沉积工艺以在基板上形成硅外延层，所述催化剂气体包含卤素分子，及所述一或多种沉积...

本发明大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层的钝化层或蚀刻终止层允许在并不太致密的背沟道保护层上形成很致密的盖层。所述盖层可以是充分致密的，使得存在很少气孔，并且因此氢可能不穿过通向半导...

描述了一种用于在基板(310)上沉积材料的装置。装置包括真空腔室(300)；基板接收部(305)，基板接收部(305)位于真空腔室中，用以在沉积材料的期间内接收基板；靶材支撑件(320)，靶材支撑件(320)用以在沉积材料于基板(305...

提供了基板处理腔室以及用于处理多个基板的方法，并且所述基板处理腔室大体包括电感耦合的饼形等离子体源，所述电感耦合的饼形等离子体源定位成使得在压板上旋转的基板将穿过与所述等离子体源相邻的等离子体区域。

一种基板位置对准器包括基板保持组件、多个辊、旋转机构及传感器。基板保持组件被配置成将基板保持在竖直方向上。所述多个辊包括至少两个惰轮辊及驱动辊。各辊具有在该辊的周边上的点，该点与基板旋转中心间隔公共半径，该基板旋转中心界定于该基板保持组...

一种整合的极紫外(EUV)坯料生产系统，包括：用于将基板放置在真空中的真空腔室；用于沉积平坦化层于该基板之上的第一沉积系统，该平坦化层具有平坦化的顶表面；以及用于在不需将该基板从真空移出的情况下来沉积多层堆叠物于该平坦化层上的第二沉积系...

提供了在相对于电介质表面的基板表面上选择性地形成外延膜的方法。预处理所述基板表面以形成差异化的靶表面封端，所述差异化的靶表面封端可进一步反应以产生一个或更多个保护基。所述保护基抑制随后的所述外延膜在所述受保护表面上的生长。

本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

本文提供用于保护基板处理系统的前级管线的内壁的方法和设备。在一些实施方式中，用于在基板处理系统的前级管线中处理废气的设备包括气体套管发生器，所述气体套管发生器包括：主体，所述主体具有设置成穿过所述主体的中心开口；气室，所述气室设置在所述...

一种极紫外线镜或坯料生产系统包括：第一沉积系统，用于在半导体基板之上沉积平坦化层；第二沉积系统，用于在该平坦化层之上沉积超平滑层，该超平滑层具有经重组的分子；以及第三沉积系统，用于在该超平滑层之上沉积多层堆叠物。该极紫外线坯料包括：基板...