多层钝化或蚀刻终止TFT制造技术

本发明专利技术大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层的钝化层或蚀刻终止层允许在并不太致密的背沟道保护层上形成很致密的盖层。所述盖层可以是充分致密的，使得存在很少气孔，并且因此氢可能不穿过通向半导体层。因此，可将含氢的前驱物用于所述盖层沉积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】专利技术的背景
本专利技术的实施方式总体涉及一种薄膜晶体管(TFT)以及一种用于制造TFT的方法。
技术介绍
由于金属氧化物半导体(诸如，氧化锌(ZnO)和氧化铟镓锌(IGZO))载流子迀移率(carrier mobility)较高、处理温度较低且具有光学透明度，因此金属氧化物半导体对于器件制造而言是有吸引力的。金属氧化物半导体制造成的TFT(MO-TFT)在用于光学显示器的有源矩阵寻址方案中尤其有用。金属氧化物半导体的低处理温度允许显示器背板在廉价塑料基板(诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)和聚2，6萘二甲酸乙二酯(PEN))上的形成。氧化物半导体TFT的透明度引起像素孔径改进并且使显示器更亮。金属氧化物半导体易受与氢和/或水的不利反应影响。当金属氧化物半导体材料暴露于氢或水时，半导体层稳定性成为问题。另外，由于氢会与金属氧化物反应，因此难以产生可重复的结果，并且因此每个TFT可为不相同的。因此，本领域中需要能够可靠地且可重复地生产的稳定金属氧化物TFT。
技术实现思路
本专利技术大体上涉及TFT以及用于制造TFT的方法。对于背沟道蚀刻TFT或蚀刻终止TFT而言，多层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基板，所述基板具有栅极电极、栅极电介质层以及半导体层形成在所述基板上；源极电极，所述源极电极设置在所述半导体层上；漏极电极，所述漏极电极设置在所述半导体层上，并与所述源极电极通过包括所述半导体层的暴露部分的有源沟道间隔开来；背沟道保护层，所述背沟道保护层设置在所述有源沟道中的所述暴露半导体层上；以及蚀刻终止层，所述蚀刻终止层设置在所述背沟道保护层上，所述蚀刻终止层具有不同于所述背沟道保护层的组分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：任东吉，元泰景，SM·赵，J·M·怀特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US