本文所述的实施方式大体上是关于处理腔室中的流量控制。所述处理腔室可包括流量控制排放器与宽注入器的组合。当多种处理气体进入和离开所述腔室时，所述流量控制排放器与所述宽注入器可提供所述多种气体的受控流量，以及控制已经存在于所述腔室中的所述多...

提供了一种用于在基板中进行激光钻孔的方法。多边形镜切割面的位置是由第一传感器确定的，以及设置在运输带上的基板的位置是由第二传感器确定的。所述镜切割面和所述基板的位置是基于分别用第一传感器和第二传感器确定的时间输入而同步的。可通过移动运输...

本公开内容的实施方式提供一种衬垫组件，所述衬垫组件包括多个各自分开的气体通道。所述衬垫组件能实现遍及待处理的基板上的流动参数的可保持性，这些流动参数诸如速度、密度、方向和空间位置。可利用根据本公开内容的实施方式的衬垫组件，对遍及待处理的...

本公开案涉及具有分隔的供气管线的等离子体处理腔室及等离子体处理系统。本公开案公开了用于将前驱物气体分别提供到等离子体处理系统的方法与设备，所述等离子体系统包括第一前驱物源和第二前驱物源，以及第三前驱物源，所述第一前驱物源和第二前驱物源通...

在此公开一种结合有氢量减少的含硅层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。所述薄膜晶体管可包括基板、金属氧化物半导体层、基本不含氢的沟道接合面层以及所述沟道接合面层上形成的含硅的覆盖层。用于制造薄膜晶体管的方法可以包括：将金属氧化物半导体层...

本文公开的实施方式涉及用于在膜形成工艺期间进行分区温度控制的方法与设备。在一个实施方式中，提供基板处理设备。该基板处理设备包括真空腔室、与多个热灯耦接的多个电源、以及基于来自辐射传感器的输入而调节电源的控制器。该腔室包括侧壁，该侧壁界定...

在此所描述的实施方式一般涉及在热处理腔室内具有吸收性上表面的灯头组件。在一个实施方式中，处理腔室可包括：上部结构；下部结构；基座环，该基座环将该上部结构连接至该下部结构；基板支撑座，该基板支撑座设置于该上部结构与该下部结构之间；下部结构...

本文所公开的实施方式大致上是有关于一种精细金属掩模的主动对准。所述精细金属掩模通过多个微致动器和框架连接。微致动器可以作用在精细金属掩模上，用以拉伸精细金属掩模、重新定位精细金属掩模或进行上述动作的组合。通过这样的方式，可以维持精细金属...

本文公开了用于处理腔室的盖体组件及包括盖体组件的处理腔室。盖体组件包括高温盖体模块及外壳。高温盖体模块设置成邻近处理腔室的处理衬里。柔性外壳设置在高温盖体模块的周围，且使用弹性环连接到所述高温盖体模块。

在一种用于电镀半导体晶片与类似衬底的处理系统中，从电镀处理器的旋转器移除该处理器的接触环，并以先前褪镀的接触环予以替换。这使接触环能在系统的环件服务模块中被褪镀，同时该处理器继续工作。晶片处理量得以提升。该接触环可以附接至夹盘，该夹盘用...

一种抛光制件，所述抛光制件具有抛光表面及孔，所述孔包括第一区段及第二区段。抛光制件包括向内延伸至孔中的突出部。抛光制件在远离抛光表面的第一表面的侧上包括下部。窗具有位于孔的第一区段中的第一部分及延伸至孔的第二区段中的第二部分。窗具有大体...

一种处理系统，该处理系统包括：真空腔室；多个处理系统，这些多个处理系统附接于真空腔室的周围；以及晶片传送系统，该晶片传送系统位于该真空腔室中，用于在多个处理系统之间移动晶片，而不从真空中离开。一种用于制造极紫外线坯料的物理气相沉积系统，...

本文提供一种供串联基板处理工具中使用的门和包括所述门的串联基板处理工具。在一些实施方式中，位于成线性排列耦接至彼此的第一基板处理模块与第二基板处理模块之间供串联基板处理工具中使用的门可包括反射体，所述反射体设置在实质透明材料的两个盖板之...

提供了一种基板载体，该基板载体上设置有类金刚石碳涂层。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如，使用NF3等离子体的清洁工艺)的性质。

本文公开用于处理基板的方法及装置。在某些实施方式中，用于在处理腔室中支撑基板的基板支撑件包括：介电绝缘体板；支撑于所述介电绝缘体板的导电板，所述导电板包括顶表面及底表面，所述顶表面及所述底表面限定了介于所述顶表面及所述底表面之间的厚度，...

本发明涉及一种大面积可溶解模板光刻。本发明提供一种用于图案化基板的方法和装置。通过涂覆前体材料到主基板和固化或凝固所述前体材料，来形成模板。使用载板将模板与主基板分离，所述载板具有弯曲表面。用图案化材料涂覆模板，之后将模板与载板分离并将...

衬垫调节器可包含多个独立安装的调节元件，这些调节元件经配置以调节用于例如化学机械抛光(CMP)处理的抛光衬垫。在某些实施例中，该衬垫调节器可包含主组件盘和主组件基座板，该主组件基座板经由环架连接附接至主组件盘。多个衬垫调节器组件可附接至...

基板支撑组件包括陶瓷定位盘与导热基底，该导热基底具有与陶瓷定位盘的下表面接合的上表面。该导热基底包括数个热区与数个热隔离器，该数个热隔离器从导热基底的上表面朝向导热基底的下表面延伸，其中该数个热隔离器中的每一个提供导热基底的上表面处的数...

描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板...

示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力...