本发明提供用于处理半导体晶片的装置和方法，所述装置和方法包括具有真空能力的两轴升降旋转电动机的中央基座。晶片经受在顶表面和底表面之间的差压以使得足够的力防止晶片在处理期间移动，所述差压通过经由与电动机组件的接口施加减小的压力至晶片背侧来...

提供可调谐环组件、具有可调谐环组件的等离子体处理腔室以及用于调谐等离子体工艺的方法。在一个实施例中，可调谐环组件包含：外陶瓷环所述外陶瓷环具有被暴露的顶表面和底表面；以及内硅环，所述内硅环经配置以与所述外陶瓷环配合以限定重叠区域，内硅环...

根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约-1V至约-6V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离...

根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约-0.5V至约-4V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金...

本实用新型涉及用于支撑基板的装置及基板真空腔室装置。本文描述的实施方式大体涉及用于在真空腔室中支撑大面积基板的基板支撑装置。所述基板支撑件包括具有磁体设置在其中的外壳组件，以及耦接至所述外壳组件的支撑构件。磁性柱构件可固定地耦接至所述真...

一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅...

描述了一种处理腔室。该处理腔室包括：腔室，该腔室具有内部空间；光管窗结构，该光管窗结构耦接到该腔室，该光管窗结构具有第一透明板，该第一透明板设置在该腔室的该内部空间内；及辐射热源，该辐射热源在该腔室的该内部空间外面的位置耦接到该光管窗结...

制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5...

本发明公开一种用于在基板上形成电池活性材料的方法及装置。在一个实施例中，一种用于在基板的表面上沉积电池活性材料的装置包括：基板输送系统；材料电喷雾分配器组件，安置在所述基板输送系统上方；及第一加热元件，邻接于所述材料喷雾组件而安置在所述...

本公开的诸实施例包括用于使用经由匹配网络耦合至工艺腔室的RF电源在该工艺腔室中进行等离子体处理的方法与设备。在一些实施例中，该方法包括：当匹配网络处于保持模式时，由RF电源以第一频率将RF功率提供给工艺腔室；在第一时期期间，使用RF电源...

描述一种用于处理柔性基板的设备。所述设备包括：真空腔室，所述真空腔室具有第一腔室部分、第二腔室部分以及第三腔室部分；退绕轴和缠绕轴，所述退绕轴用于支撑待处理的所述柔性基板，所述缠绕轴支撑具有薄膜沉积在其上的柔性基板，其中所述退绕轴和所述...

本文论述的实施方式大体涉及用于线锯装置中的具有轮箍的滑轮。所述滑轮一般由底座、轮箍和盖板组成，考虑到如果轮箍在线锯装置中使用之后变得磨损以容易更换所述轮箍。本文论述的一个实施方式大体涉及用于线锯装置中的滑轮。滑轮通常包含具有环形伸出部和...

本公开案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板，所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器...

本文描述的实施方式保护基板支撑件免受在高温下使用的腐蚀性清洁气体的腐蚀。在一个实施方式中，基板支撑件具有心轴和加热器。所述加热器具有主体。所述主体具有顶表面、侧面和底表面。所述顶表面是配置用于在基板的等离子体处理期间支持基板。提供遮罩以...

本发明涉及通过原位反馈的晶片放置和间隙控制最佳化。本发明描述了在工艺夹具和基座之间的尺寸控制和监控，和晶片位置测定的装置和方法。所述装置包含：处理夹具；至少一个接近传感器；和基座。所述处理夹具包含处理夹具主体，所述处理夹具主体具有处理夹...

本文所公开的实施例大体涉及具有一个或多个沟槽的薄膜晶体管及其制造方法，所述一个或多个沟槽用于控制阈值电压与关态电流。在一个实施例中，半导体器件可包括：基板，所述基板包括表面，所述表面具有形成于其上的薄膜晶体管；第一钝化层，所述第一钝化层...

提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉...

本文公开的实施方式关于用于半导体处理腔室中的经涂布的衬里组件。在一个实施方式中，一种用于半导体处理腔室中的衬里组件包括：衬里主体，该衬里主体具有圆柱环形状；以及涂层，该涂层涂覆该衬里主体，其中该涂层在介于约200nm与约5000nm之间...

本发明公开了一种用于与处理腔室一起使用的等离子体源组件，所述等离子体源组件包括区隔板，所述区隔板具有在所述区隔板的内部电气中心内的第一组孔，以及围绕所述外周缘的较小孔。所述孔的直径可从所述电气中心向外至所述周缘逐渐减小，或者可以离散地递...

描述了一种于真空处理的基板工艺腔室中支撑基板(101)的载具。载具包括基板固定组件，其中基板固定组件包含一或多个固定单元(120)，各固定单元包括：边缘接触表面(121)，配置用以接触基板的边缘并定义接触位置；第一固定元件(122)，具...