制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离...

本揭示案的实施方式涉及用于溅射腔室的溅射靶材，该溅射腔室用于处理基板。在一个实施方式中，提供用于溅射腔室的溅射靶材。溅射靶材包含具有背部表面的溅射板及安装至溅射板的环形背板，该背部表面具有径向内部、中间及外部区域。该背部表面具有多个圆形...

本实用新型公开了配置成用于真空腔室隔振的设备以及具有该设备的系统。本公开提供了配置成用于真空腔室(10)隔振的设备(100)。所述设备(100)包括：基部装置(110)，所述基部装置(110)具有第一侧(112)和第二侧(114)，其中...

本文提供电感耦合式等离子体(ICP)反应器的实施例。在一些实施例中，用于电感耦合式等离子体反应器的电介质窗包括：主体，该主体包括第一侧、与第一侧相对的第二侧、边缘和中心，其中，该电介质窗具有在空间上变化的介电系数。在一些实施例中，用于处...

本揭示案的实施方式提供具有方位角温度控制的静电夹具(ESC)。在一个实施方式中，静电夹具包含：绝缘基部；介电层，该介电层设置于该绝缘基部上，该介电层具有基板支撑表面；电极组件，该电极组件设置于该绝缘基部与该基板支撑表面之间；及多个加热元...

一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2的至少一者。或者，所述固体烧结...

本公开一般涉及用于处理腔室中的电场、气流及热分布中的对称性以实现处理均匀性的设备及方法。本公开的实施例包括等离子体处理腔室，该等离子体处理腔室具有沿着同一中心轴对准的等离子体源、基板支撑组件和真空泵，以在等离子体处理腔室中创建基本上对称...

本文所提供的实施方式大体涉及静电卡盘(ESC)。静电卡盘可包括减少数目的应力起始点，诸如穿过静电卡盘的孔，此举可改良静电卡盘的机械完整性。设置在静电卡盘中的电极可经由导电导线连接至电触点及电源，这些导电导线可被耦接成或形成为沿着静电卡盘...

本文提供基板支撑环的实施方式，所述基板支撑环使基板上所沉积或生长的层有更均匀的厚度。一些实施方式中，基板支撑环包括：内环，所述内环具有置中的支撑表面，以支撑基板；以及外环，所述外环从所述支撑表面径向向外延伸，其中所述外环包含反应表面区域...

本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积(CVD)、脉冲式CVD或原子层沉积(ALD)。在一实施例...

一个示例提供一种用于形成包括压印有图案以形成隔离器件区域的基板的装置的方法。一种方法可包括：用图案压印基板的未图案化区域，以便形成具有处于第一级的多个凹陷区域和处于第二级的多个隆起区域的图案化基板；以及将第一导电材料层沉积在该图案化基板...

根据本公开案，提供一种用于清洁柔性基板处理装置的处理腔室而不破坏处理腔室中的真空的方法。用于清洁处理腔室的所述方法包括：将牺牲箔引导至所述处理腔室中；在所述处理腔室中发起第一泵工艺；当所述牺牲箔被设置在所述处理腔室中时，等离子体清洁所述...

本公开内容的实施方式大致关于一种用于在热处理腔室中使用的反射体。在一个实施方式中，所述热处理腔室大致包含上圆顶；下圆顶，所述下圆顶与上圆顶相对，上圆顶及下圆顶界定处理腔室的内部空间；基板支撑件，所述基板支撑件设置在内部空间内；以及反射体...

一种用于真空沉积设备的串联式沉积控制设备，所述真空沉积设备具有用于在基板上沉积一个或多个沉积层的一个或多个沉积源，所述串联式沉积控制设备包括：一个或多个光源，适用于照射具有所述一个或多个沉积层的基板；检测布置，适用于对测量信号进行光谱解...

制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。

公开了包含钴沉积的电子装置处理系统。一个系统包含主机、一或多个处理腔室、以及一或多个沉积处理腔室，该主机具有传送室与至少两个小面，该一或多个处理腔室用以对基板进行金属还原或金属氧化物还原处理、以及可能也进行退火处理，而该一或多个沉积处理...

本发明一般涉及用于处理基板的方法和设备。本发明的实施例包括用于处理包括陶瓷反射板的设备，该陶瓷反射板可为光学地透明。反射板可包括反射涂层，且反射板为反射板组件的一部分，其中反射板组设至底板。

一种材料处理系统包括热处理腔室和宽带微波电源。所述电源包括恒温箱型小信号RF电路、高功率微波放大器、以及彼此由隔离器来分开的正向和反射功率检波器。所述功率检波器也优选地是恒温箱型(ovenized)。控制系统提供控制信号给小信号电路中的...

描述了一种用于在由滚筒(170)支撑的基板(160)上沉积材料的蒸发装置(100)。所述蒸发装置包括：第一组蒸发坩埚(110)，所述第一组蒸发坩埚在沿第一方向(121)的第一线(120)上对齐，并且用于将经蒸发的材料沉积在所述基板上；第...

描述一种用于处理基板、特别是用于处理大面积基板的设备和方法。用于处理大面积基板的方法包括：以一传输速度传输处于基本上竖直地布置的状态的大面积基板通过用于处理大面积基板的设备的腔室布置；使用用于处理大面积基板的设备的处理装置来处理大面积基...