一种设备及使用该设备以在工件上形成纳米尺寸特征结构包括了多个可个别偏压的尖端，且各尖端具有10nm的尺度或更小的直径。通过在反应物存在的情况下在工件表面之上移动尖端，特征结构可以次微米尺寸且小于当前光刻术的分辨率而直接形成于工件上。特征...

根据本公开内容一个实施例的一种电化学沉积镀覆工具，包括一个或多个电化学沉积腔室和氢自由基H*生成腔室。

提供一种改进的隔离阀，以及用于隔离阀的可移除式屏蔽插入组件。在一个实施方式中，提供用于隔离阀的屏蔽插入组件，屏蔽插入组件包含形状为平环的石墨第一屏蔽插入件。第一屏蔽插入件具有圆形外径。形成穿过第一屏蔽插入件的长孔。形成穿过第一屏蔽插入件...

一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第...

描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与...

在将等离子体喷洒的含钇氧化物涂层施加到物件上的最优化方法中，选择介于约89–91千瓦(kW)之间的等离子体功率用于等离子体喷洒系统。气体以约115-130升/分的选择的气体流动速率流经该等离子体喷洒系统。以约10–30克/分的选择的粉末...

本文中所揭露的实施方式涉及用于半导体处理腔室中的圆形灯阵列。利用设置于反射槽中且以同心圆图案布置的一或更多个环形灯的圆形灯阵列可提供改进的快速热处理。可安放环形灯的反射槽可相对于被处理的基板表面而以不同角度设置。

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流...

一种用于基板工艺腔室的基板支撑系统的方法与设备，所述腔室包括：封闭处理区域的腔室主体；至少部分地设置在处理区域中的主基板支撑件与次基板支撑件，所述次基板支撑件外接所述主基板支撑件，其中所述主基板支撑件与所述次基板支撑件中的一个或两个相对...

本发明公开了改善气流的喷头支撑结构。本发明的实施例大致上提供用以支撑工艺腔室中的气体分配喷头的设备与方法。在一个实施例中，提供一种用于真空腔室的气体分配喷头。所述气体分配喷头包含：主体，所述主体具有第一侧与第二侧以及多个气体通道，所述第...

在一个实施例中，一种其中形成有密封槽的表面。该密封槽被配置成接受弹性体密封件。该密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的燕尾轮廓，以及至少第二部分，该第二部分具有半燕尾轮廓。

描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件，所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极...

描述了使用光学传感器对脉冲等离子体的监测。在一个示例中，本发明包括：接收由半导体等离子体处理腔室中的脉冲等离子体所发射的光；以比脉冲等离子体的脉冲速率高的采样率对所接收的光进行采样，其中所采样的光具有周期性的振幅波形并且采样率比振幅波形...

本文所描述的实现方式提供一种基板支撑组件，所述基板支撑组件允许对静电夹盘与加热组件之间的热传递的横向调谐与方位角调谐两者。基板支撑组件包含：主体，具有基板支撑表面和下表面；一个或更多个主电阻加热器，设置在主体中；多个空间可调谐加热器，设...

本文所述的实现方式提供了像素化基板支撑组件，所述像素化基板支撑组件允许对静电夹盘与加热组件之间热传递的侧向调谐和方位角调谐两者。像素化基板支撑组件包括：上表面和下表面；设置在像素化基板支撑件中的一个或更多个主电阻式加热器；以及多个像素加...

本文描述的实施例提供在部件的表面的改变之前使用电磁束进行表面制备的方法，该方法有利地改善那些位置中的最终纹理的质量且相应地减少粒子污染。在实施例中，提供一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法。该方法包含：在部件的该表面上界...

本文中公开的是用于生产超致密和超平滑的陶瓷涂层的方法。一种方法包括：将陶瓷颗粒浆料馈送到等离子体喷涂器中。所述等离子体喷涂器生成被引导向基板的颗粒流，从而在接触时在所述基板上形成陶瓷涂层。

本文提供用于内联基板处理工具的窗组件和内联基板处理工具。在一些实施方式中，一种用于内联基板处理工具的窗组件可以包括：具有内表面和外表面的窗主体，所述窗主体包括：中心半透明的部分，所述中心半透明的部分被配置成使得从辐射加热灯发射出的辐射热...

本文描述了用于处理基板的方法及设备。真空多腔室沉积工具可包括具有加热机构及变频微波源两者的脱气腔室。本文所述的方法使用变频微波辐射以在不损害各部件的情况下提高脱气工艺的质量及速度。

本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第...