具有射频施加器的可旋转的基板支撑件制造技术

一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背景
本专利技术的实施例一般涉及用于半导体器件的制造中的装置及方法。更具体地，本专利技术的实施例一般涉及用于可旋转的基板支撑件的装置及方法，该可旋转的基板支撑件被用于施加在半导体器件的制造中所使用的射频功率。
技术介绍
对于半导体器件的下一代超大规模集成电路(VLSI)与极大规模集成电路(ULSI)而言，可靠地生产亚半微米或更小的特征是关键技术挑战之一。然而，由于推进电路技术的极限，VLSI与ULSI互连技术的收缩尺寸对于处理能力产生额外的需求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI与ULSI成功以及对于增加电路密度与各个基板与管芯的质量的不断努力而言是重要的。用于形成这些结构的一种工艺包括等离子体处理。在这些等离子体工艺之一中，将基板定位在腔室中的基板支撑件上，并且工艺气体被激励，以形成工艺气体的等离子体。等离子体可被用于材料的沉积或材料的蚀刻以便形成结构。可通过向来自腔室内的喷头的气体的射频(RF)施加、耦接至腔室的电感耦合RF设备、由基板支撑件或穿过基板支撑件所施加的RF以及其组合，来促进等离子体形成。能够进行RF施加(即，RF“热(hot)”或偏压功率)的可旋转的基板支撑件遭受严重的缺点。历史上，已经通过例如滚动的RF环、RF刷、RF集电弓和电容结构，来达成任何旋转的零件之间的电连接。然而，当在RF匹配之后进行这些连接时，由于高电压/电流而产生电弧。此电弧通常导致对腔室的损害。因此，需要一种改进的旋转的基板支撑件。
技术实现思路
基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至轴组件的一部分；以及耦接至轴组件的一个或多个旋转连接器，其中该一个或多个旋转连接器中的一个包括旋转的射频施加器。该旋转的射频施加器包括：第一线圈构件，该第一线圈构件围绕可旋转的轴，该可旋转的轴电耦接至轴组件，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号。在另一实施例中，基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至该轴组件的一部分；以及耦接至轴组件的第一旋转连接器。该第一旋转连接器包括：可旋转的线圈构件，该可旋转的线圈构件围绕可旋转的介电轴，该可旋转的介电轴在操作期间与该轴组件电磁耦合；固定的线圈构件，该固定的线圈构件围绕该可旋转的线圈构件，其中该可旋转的线圈构件在可旋转的射频施加器被激励时与固定的线圈构件电磁耦合并且通过轴组件向底座提供射频功率；以及导电外壳，该导电外壳绕该固定的线圈构件设置。在另一实施例中，基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至该轴组件的一部分；以及一个或多个旋转连接器，该一个或多个旋转连接器耦接至该轴组件，其中该一个或多个旋转连接器中的一个包括旋转的射频施加器。该旋转的射频施加器包括：旋转的导电构件，该旋转的导电构件围绕可旋转的轴构件，该可旋转的轴构件在操作期间与该轴组件电磁耦合；以及固定的导电构件，该固定的导电构件至少部分地围绕该旋转的导电构件，其中该旋转的导电构件在可旋转的射频施加器被激励时与固定的导电构件电磁耦合并且通过轴组件向底座提供射频功率；以及导电外壳，该导电外壳围绕该可旋转的射频施加器。附图说明为了可详细理解本专利技术的上述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的本专利技术进行更加详细的描述，该等实施例中的一些实施例图示于附图中。然而应注意的是，这些附图仅图示本专利技术的典型实施例且因此不被视为限制本专利技术的范畴，因为本专利技术可允许其他等效实施例。图1为其中可实践本专利技术的实施例的说明性处理腔室的截面图。图2为图1的基板支撑组件的部分侧截面图。图3为示出分离机构的一个实施例的轴组件的一部分的侧截面图。图4为可被用于图1的腔室中的基板支撑组件的另一实施例的一部分的侧截面图。图5A为可被用于图1的腔室中的基板支撑组件的另一实施例的一部分的侧截面图。图5B为图5A的基板支撑组件的俯视截面图。图6为可与图2的基板支撑组件一起使用的外壳的一个实施例的俯视截面图。图7为可被用于图1的处理腔室中的基板支撑组件的另一实施例的一部分的示意性截面图。图8A和图8B为描绘可被用于图7的基板支撑组件中的内部导电屏蔽件的实施例的俯视截面图。为了便于理解，已经在可能的地方使用相同的附图标记来指示诸图所共有的相同元件。可构想，一个实施例的元件及特征可有利地并入其他实施例而无需进一步详述。具体实施方式本专利技术的实施例涉及处理腔室，该处理腔室具有可旋转的基板支撑件，该可旋转的基板支撑件能够射频(RF)偏置(biasing)。处理腔室和/或基板支撑件可被用于制造电子器件中的基板处理中。基板处理包括用于在基板上制造电子器件的沉积工艺、蚀刻工艺以及其他低压或热工艺。本文中所描述的处理腔室和/或基板支撑件可被用于由加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.ofSantaClara,California)所售的系统中，以及可从其他制造商获得的其它系统中。图1为适合于进行蚀刻或沉积工艺的说明性处理腔室100的侧截面图。在一个实施例中，处理腔室100可被配置成从设置在基板表面上的材料层移除材料。处理腔室100对于执行等离子体辅助干式蚀刻工艺可以是特别有用的。一种可被适配成受益于本专利技术的处理腔室为可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司获得的SiconiTM腔室。要注意的是，可从其他制造商获得的其他真空处理腔室也可被适配成受益于本专利技术。处理腔室100提供对基板表面的加热与冷却两者，而没有破坏真空。在一个实施例中，处理腔室100包括腔室主体102、盖组件104与基板支撑组件106。盖组件104被设置在腔室主体102的上端处，并且基板支撑组件106被至少部分地设置于腔室主体102内。腔室主体102包括狭缝阀开口108，该狭缝阀开口108形成于该腔室主体102的侧壁中，以提供对处理腔室100的内部的访问。选择性地打开和关闭狭缝阀开口108，以允许由晶片传送机械手(未示出)对腔室主体102的内部的访问。在一个或多个实施例中，腔室主体102包括形成于其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板支撑组件，包括：轴组件；底座，所述底座耦接至所述轴组件的一部分；以及第一旋转连接器，所述第一旋转连接器耦接至所述轴组件，其中所述第一旋转连接器包括可旋转的射频施加器，所述可旋转的射频施加器包括：第一线圈构件，所述第一线圈构件围绕可旋转的轴，所述可旋转的轴在操作期间与所述轴组件电磁耦合，所述第一线圈构件在操作期间可与所述可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，所述第二线圈构件围绕所述第一线圈构件，所述第二线圈构件相对于所述第一线圈构件是固定的，其中所述第一线圈构件在所述可旋转的射频施加器被激励时与所述第二线圈构件电磁耦合并且通过所述轴组件向所述底座提供射频功率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.26 US 61/882,942;2013.11.26 US 14/091,0571.一种基板支撑组件，包括：
轴组件；
底座，所述底座耦接至所述轴组件的一部分；以及
第一旋转连接器，所述第一旋转连接器耦接至所述轴组
件，其中所述第一旋转连接器包括可旋转的射频施加器，所述
可旋转的射频施加器包括：
第一线圈构件，所述第一线圈构件围绕可旋转的轴，
所述可旋转的轴在操作期间与所述轴组件电磁耦合，所述
第一线圈构件在操作期间可与所述可旋转的轴一起旋转；
以及
第二线圈构件，所述第二线圈构件围绕所述第一线圈
构件，所述第二线圈构件相对于所述第一线圈构件是固定
的，其中所述第一线圈构件在所述可旋转的射频施加器被
激励时与所述第二线圈构件电磁耦合并且通过所述轴组件
向所述底座提供射频功率。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其特征在于，在操作
期间，形成两个分离的RF回程路径，以建立统一的DC接地参
考。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件，其特征在于，可旋转
的轴构件包括介电材料。
4.如权利要求3所述的基板支撑组件，其特征在于，所述可
旋转的轴包括铁氧体结构。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件，其特征在于，进一步

\t包括：
第二旋转连接器，用于向底座提供冷却剂。
6.如权利要求5所述的基板支撑组件，其特征在于，进一步
包括：
第三旋转连接器，用于向所述底座传输电信号/功率和从所
述底座传输电信号/功率。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件，其特征在于，所述轴
组件进一步包括：
导电中央轴，所述导电中央轴与所述第一线圈构件电磁耦
合，其中所述导电中央轴包括圆形导电板，所述圆形导电板被
设置在所述底座中所设置的所述导电中央轴的一端处。
8.一种基板支撑组件，包括：
轴组件；
底座，所述底座耦接至所述轴组件的一部分；以及
第一旋转连接器，所述第一旋转连接器耦接至所述轴组
件...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林悟，K·H·弗劳德，塙广二，S·朴，D·卢博米尔斯基，J·A·肯尼，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US