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塙广二专利技术

塙广二共有2项专利

保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺制造技术

一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约１０兆赫大小...

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：120
保形性、应力和化学气相沉积层成分独立可变的甚低温化学气相沉积工艺制造技术

一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约１０兆赫大小...

最后更新日期：2012-04-11 18:40 访问量：183