用于直接形成纳米尺度的特征结构的方法及设备技术

一种设备及使用该设备以在工件上形成纳米尺寸特征结构包括了多个可个别偏压的尖端，且各尖端具有10nm的尺度或更小的直径。通过在反应物存在的情况下在工件表面之上移动尖端，特征结构可以次微米尺寸且小于当前光刻术的分辨率而直接形成于工件上。特征结构可蚀刻进工件或形成于其上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】领域本文中的实施方式涉及在工件表面上或中形成次微米尺寸特征结构的领域。更特定而言，实施方式涉及在工件(例如制造集成电路装置中所使用的半导体基板)上或中形成纳米尺度特征结构，而不使用以下的传统光刻步骤：涂布光胶、通过掩模对光胶进行电磁能暴露、显影光胶、将所显影的光胶用作掩模来蚀刻下层材料的一或更多个层，及接着移除掩模。相关技术的描述对于较小集成电路的持续需求以及对于这些电路中装置的较大密度的持续需求，已在装置中造成一半间距(也就是晶片上相邻装置间的一半距离，今日达到22nm)的进化性降低，及造成进一步降低装置一半间距(及尺寸)的需求。为了以此间距形成装置及为了允许互连使用用以暴露光刻胶的192nm电磁波长的分辨率(resolution)限制来隔开(且大小是在192nm电磁波长的分辨率限制以下)的如此特征结构，已创造了特殊光刻术及掩模范例。然而，虽然这些技术能够形成在用以暴露光刻胶的电磁能的分辨率限制以下的尺寸(及间距)的装置，造成的装置中的变化是不可接受地高的，良好装置的生产率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在工件上形成次微米尺度化特征结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供尖端阵列，所述尖端阵列在其上具有多个个别尖端，各尖端具有尖端尺度；直接相邻于所述尖端阵列中的多个尖端来安置工件；在所述工件的表面处提供反应物；通电所述尖端中的一或更多者；及在所述工件处，在所述尖端的位置处在所述工件上形成初始特征结构；以小于所述尖端尺度的距离，相对于所述尖端改变所述工件的位置，在所述工件的表面处提供反应物；通电所述尖端中的一或更多者；及在所述工件处，在所述尖端的位置处在所述工件上形成额外特征结构，所述额外特征结构至少部分地重叠所述特征结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.20 US 61/880,5211.一种在工件上形成次微米尺度化特征结构的方法，所述方法包括以下
步骤：
提供尖端阵列，所述尖端阵列在其上具有多个个别尖端，各尖端具有尖端
尺度；
直接相邻于所述尖端阵列中的多个尖端来安置工件；
在所述工件的表面处提供反应物；
通电所述尖端中的一或更多者；及在所述工件处，在所述尖端的位置处在
所述工件上形成初始特征结构；
以小于所述尖端尺度的距离，相对于所述尖端改变所述工件的位置，在所
述工件的表面处提供反应物；
通电所述尖端中的一或更多者；及
在所述工件处，在所述尖端的位置处在所述工件上形成额外特征结构，所
述额外特征结构至少部分地重叠所述特征结构。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：在所述工件上形成线。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述初始特征结构形成进所述工件的
表面。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述初始特征结构形成于所述工件的
表面上。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述尖端尺度是所述尖端的直径。
6.如权利要求5所述的方法，其中在所述尖端的末端处的尖端直径小于
或等于10nm。
7.如权利要求5所述的方法，其中在所述尖端的末端处的尖端直径小于
或等于5nm。
8.一种用于将特征结构写入于工件上的直接写入设备，其中所述特征结构
具有至少一个侧向尺度，所述侧向尺度小于用以暴露光刻胶的电磁辐射的分辨
率，所述直接写入设备包括：
工件支架；及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯·弗朗西斯·麦克，斯蒂芬·莫法特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US