本发明的实施方式提供适于抛光静电夹盘的抛光环组件及使用的方法。在一个实施方式中，抛光环组件具有保持环组件及静电夹盘固定装置。该保持环组件包含内径及顶部表面、多个外部驱动环，其中所述多个外部驱动环被放置于陶瓷保持环的顶部表面上。该静电夹盘...

提供一种用于在真空层沉积期间保持基板(20)的保持布置(10)。所述保持布置(10)包括：框架(30)，所述框架具有两个或更多个框架元件(31、32、33、34)，所述框架元件(31、32、33、34)形成孔开口；以及弹性构件(40)，...

精细特征结构的形成方法和装置在小于STED耗尽激光光束的直径或横截面的区域中提供光子诱发的沉积、蚀刻及基于热或光子的处理。至少两个STED耗尽光束被导引到基板上的反应位置，其中形成面积小于光束的激发部分的光束重叠区域。被引导到反应区域的...

本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的支撑圆柱。在一个实施方式中，支撑圆柱包括具有内周表面和外周表面的环形主体，其中环形主体包括不透明石英玻璃材料且其中环形主体被光学透明层涂布。光学透明层具有与不透明石英玻璃材料实质匹配或相似的...

本发明公开一种处理装置，该处理装置确定多个初始的流量设定点命令，多个设定点命令的每一设定点命令对应到多个阀门中的一个阀门。处理装置发送多个初始的设定点命令的每一初始的设定点命令至多个阀门中的相对应的阀门。处理装置接收来自多个阀门中的每一...

本公开的实施例总体上提供了用于具有微结构的抛光制品或抛光垫的方法和设备，所述微结构在暴露于激光能时促进均匀的调节。在一个实施例中，提供包含第一材料与第二材料的组合的抛光垫，所述第一材料比所述第二材料对激光能更具反应性。在另一实施例中，提...

本发明的实施方式大体涉及从基板表面移除污染物和原生氧化物的方法。方法一般包括利用等离子体工艺移除设置于基板表面上的污染物，并接着通过利用远程等离子体辅助干式蚀刻工艺清洁基板表面。

一种磁场导引式晶体方向系统以及一种操作磁场导引式晶体方向系统的方法包括：工作平台；加热元件，所述加热元件在所述工作平台之上，所述加热元件用于选择性地加热在晶片基板上的基底层，所述基底层具有晶粒，其中所述晶片基板是所述工作平台上的晶片的一...

为了制造用于处理腔室的腔室部件，在具有杂质的金属制品上形成第一阳极化层，所述第一阳极化层具有大于约100nm的厚度，并且在所述第一阳极化层上形成铝涂层，所述铝涂层基本上没有杂质。可在所述铝涂层上形成第二阳极化层。

本发明的实施方式大体提供由耐受热及水的材料封装的磁控管。所述封装的磁控管被描述于上以及所附附件中。在一个实施方式中，整个磁控管被封装。在另一个实施方式中，磁控管包含磁极片，且磁极片未被封装材料覆盖。

提供了一种用于在真空层沉积期间支承基板(20)的支承布置(10)。支承布置(10)包括：框架(30)，配置以支撑基板(20)；以及一个或多个支承装置(40)，附连至框架(30)并且配置以将支承力提供至基板(20)。每一个支承装置(40)...

本文描述包含工厂接口环境控制的电子器件处理系统。一个电子器件处理系统具有工厂接口，所述工厂接口具有工厂接口腔室、与所述工厂接口耦接的装载锁定装置、与所述工厂接口耦接的一个或更多个基板载具及与所述工厂接口耦接的环境控制系统，且所述环境控制...

一种用于在制品上形成抗等离子体的陶瓷涂层的方法，包括以下步骤：将制品放置到等离子体喷涂系统的腔室或喷涂单元中。随后，以粉末馈送速率将陶瓷粉末馈送至等离子体喷涂系统中，并且在等离子体喷涂工艺中，由所述等离子体喷涂系统将抗等离子体的陶瓷涂层...

为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包...

本申请公开了使用基于飞秒的激光及等离子体蚀刻的晶圆切割。本发明描述切割半导体晶圆的方法，其中每一晶圆具有多个集成电路。一种方法包括以下步骤：在所述半导体晶圆上形成掩模。所述掩模由覆盖且保护所述集成电路的层组成。用基于飞秒的激光划线工艺将...

提供用于减少处理腔室中的热信号噪声的方法和设备，这些方法和设备使用非接触温度感测装置来测量处理腔室中的部件的温度。在某些实施方式中，用来支撑处理腔室中的基板的基座包括第一表面，所述第一表面包括基板支撑表面；和与所述第一表面相对的第二表面...

电路制造使用多级掩模来图案化多层电路的第一导体层。第一导体图案化是要提供第一导体层与覆在多级掩模上面和位于多级掩模下中的一者的第二导体层之间的电隔离。在第二导体层覆盖多级掩模的情况下，通过底切多级掩模来提供电隔离。替代地，在第二导体位于...

本公开案一般涉及具有模块化设计的处理腔室，以提供可变的处理容积以及改良的流动传导性及均匀性。根据本公开案的模块化设计利用简化的腔室结构实现改良的处理均匀性和对称性。该模块化设计根据本公开案进一步通过替换模块化处理腔室中的一个或多个模块来...

本文提供用于混合及传送处理气体的装置与方法。在一些实施方式中，一种气体注入装置包括：长形顶部气室，顶部气室包括第一气体入口；长形底部气室，底部气室设置于顶部气室之下并且支撑顶部气室，底部气室包括第二气体入口；多个第一导管，多个第一导管设...

本公开案的各实施方式提供一种用于等离子体增强化学气相沉积的装置。该装置包括：腔室主体；气体分布板，所述气体分布板设置在所述腔室主体中；背板，所述背板设置在所述腔室主体中，并且与所述气体分布板分隔；区隔板组件，所述区隔板组件设置在所述腔室...