【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例一般而言涉及铝涂覆的制品以及一种用于将铝涂层施加至基板 的工艺。
技术介绍
在半导体工业中,通过生产愈加减少的尺寸的结构的许多制造工艺来制造器件。 一些制造工艺(诸如,干法蚀刻)可能在正在处理的基板上生成粒子和金属污染,从而造成 器件缺陷。随着器件的几何形状缩小,对这些缺陷的敏感性增加,并且粒子和金属污染要求 变得更严格。因此,随着器件的几何形状缩小,可允许的粒子缺陷和金属污染的水平可能显 著地降低。
技术实现思路
在一个实施例中,在包括杂质和夹杂物的金属制品上形成具有大于约l〇〇nm的厚 度的第一阳极化层,并且在所述第一阳极化层上形成基本上没有杂质和夹杂物的铝涂层, 所述铝涂层基本上没有杂质。 铝涂层可以具有在从约20微米到约80微米的范围内的厚度。阳极化金属制品在阳 极化后可不经受去离子水密封(DI密封)。当在阳极化层上形成铝涂层之前,可将经阳极化 的金属制品加热至在从约60摄氏度到约150摄氏度的范围内的温度达在从约2小时到约12 小时的范围内的时间。可在铝涂层上形成第二阳极化层,并且所述第二阳极化层可具有在 从约5微米到约30 ...
【技术保护点】
一种制造用于处理腔室的腔室部件的方法,所述方法包含以下步骤:阳极化包含杂质的金属制品以形成第一阳极化层,其中,所述第一阳极化层具有大于约100nm的厚度;以及在所述第一阳极化层上形成铝涂层,所述铝涂层基本上没有杂质。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·Y·孙,B·P·卡农戈,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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