本文所描述的实施方式大体涉及一种用于热处理腔室中的灯头组件的改良的功率分配组件。在一个实施方式中，灯头组件包括用于半导体基板的热处理的多个灯和具有多个开口的功率分配组件，所述功率分配组件向多个灯提供功率且各个开口被调整尺寸以允许灯从中通过。

公开了采用具有可移除接口的电介质导管组件的等离子体生成源以及相关组件和方法。所述等离子体生成源(PGS)包含具有多个内部表面的封闭主体，所述内部表面形成内部腔室，所述内部腔室具有输入端口和输出端口以分别接收用于生成等离子体的前体气体以及...

本发明提供了用于在腔室中感测基板的方法、设备与系统。本发明包含发出至少两种不同波长的辐射；向着腔室的内部引导所发出的第一波长的辐射通过该腔室的视口；向着基板载具的叶片中的孔的位置引导所发出的第二波长的辐射通过该腔室的该视口；检测由该叶片...

一种控制抛光的方法，所述方法包括以下步骤：以第一抛光速率抛光基板的区；在抛光期间，用原位监测系统测量基板的区的序列特征值；对于抛光终点时刻之前的多个调整时刻中的每一个调整时刻，确定抛光速率调整；以及调整抛光参数，以便以第二抛光速率抛光基...

本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置...

一种电子装置制造系统可包括腔室端口组件，该腔室端口组件提供传送腔室与处理腔室之间的接口。在某些实施方式中，该腔室端口组件可配置来导引净化气流至该腔室端口组件的基板传送区域中。在其他实施方式中，处理腔室及/或该传送腔室可配置来导引净化气流...

本文所述的实施方式一般涉及用于加热基板的设备。一个实施方式中，一种基座包括环形主体，该环形主体具有中央开口以及唇部，该唇部从该主体的边缘延伸且环绕该中央开口。该基座包括碳纤维或石墨烯。另一实施方式中，一种用于形成基座的方法包括利用有机粘...

本文提供具有温度分布控制的基板支撑件的方法及装置。在一些实施方式中，基板支撑件包括：板，所述板具有基板接收表面及相对的底表面；及轴，所述轴具有第一端及第二端，所述第一端包括轴加热器，其中所述第一端耦接至所述底表面。亦提供了制造具有温度分...

提供用于在电子器件制造系统的系统部件之间传送基板的包含气动终端受动器的系统、装置与方法。在一个方面中，终端受动器具有适于与机器人部件连接的基部，及定位于所述基部上的一个或多个气动吸力元件。将气动源应用于气动吸力元件以吸引基板与终端受动器...

本文所述的实施方式提供一种热处理设备，该热处理设备具有热源以及旋转基板支座，该旋转基板支座与该热源相对，该旋转基板支座包括支撑构件，该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件，或可移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透...

提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在一个实施例中，用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤：通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺，所述基板具有设置在所述基板上的所述氮...

提供一种用于控制对工艺腔室(301)的气体供应的方法(200)。此方法(200)包括以下步骤：由在工艺腔室(301)中提供的两个或更多个传感器(35、36、313、314)中的每一个测量(210)气体参数；从所测量的气体参数确定(220...

公开了传送腔室气体净化装置。该传送腔室气体净化装置具有传送腔室，该传送腔室适于容纳至少一部分的传输机械手，该传送腔室包括侧壁、腔室盖及腔室底面，其中腔室盖具有多个分散的腔室入口。多个分散的腔室入口可包括扩散元件。可在基板上方提供层状净化...

本文公开了用于沉积和固化可流动电介质层的方法。方法可包括：形成可流动电介质层，将可流动电介质层浸入含氧气体中，净化腔室，以及利用UV辐射来固化所述层。通过在含氧气体预浸透之后固化所述层，可在UV照射期间更完全地固化所述层。

一种适用于在处理系统中使用的基板载体包括电极组件和支撑底座。电极组件配置成生成静电夹持力以将基板固定至基板载体。支撑底座具有形成在其中的加热/冷却槽。电极组件和支撑底座系形成单一主体，所述单一主体配置成在处理系统内传输。快断器耦接至主体...

本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源...

一种用于在保持环上形成牺牲表面的固定装置包括：固定板，所述固定板被定尺寸以实质匹配所述保持环的外径；以及夹紧装置，所述夹紧装置适于提供侧向负载至所述保持环的下部部分的内径侧壁或外径侧壁之一。

一种电子装置制造系统可包括主框架，不同尺寸的一或多个处理腔室可与其耦接。不同数量的处理腔室可与主框架的各个小面(即侧壁)耦接。与一个小面耦接的处理腔室相较于与其他小面耦接的处理腔室可为不同尺寸。例如，第一尺寸的一个处理腔室可与第一小面耦...

提供一种化学机械抛光系统。所述化学机械抛光系统包含台板、装载罩、枢纽、第一抛光臂以及第二抛光臂，所述第一抛光臂从所述枢纽悬伸，并且绕所述台板与所述装载罩之间的所述枢纽的中心线是可旋转的，所述第二抛光臂从所述枢纽悬伸，并且绕所述台板与所述...

本发明涉及一种用于从种晶层表面去除污染的系统和方法。在本公开内容的一个实施方式中，一种用于在工件上电化学沉积的方法包括：(a)获得工件，所述工件包括特征结构；(b)将第一导电层沉积在所述特征结构中；(c)将所述工件移动至集成式电化学沉积...