具有封装的光阻隔件的支撑环制造技术

本文所述的实施方式提供一种热处理设备，该热处理设备具有热源以及旋转基板支座，该旋转基板支座与该热源相对，该旋转基板支座包括支撑构件，该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件，或可移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透明及/或反射性，且可为耐火金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】具有封装的光阻隔件的支撑环所述的实施方式一般涉及半导体基板的热处理。更详言之，本文所述的实施方式涉及控制热处理腔室中光噪声(light noise)的设备与方法。罝量在半导体工业中常见热处理。热处理用于激活(activate)半导体基板中化学与物理的变化，以重组基板的原子结构与组成。在常用的方法(已知为快速热处理)中，基板以多达每秒400°C的速率加热至目标温度，保持在目标温度达诸如I秒的短暂时间，之后快速冷却至一温度，低于该温度则不会有进一步的变化发生。为了增进基板所有区域的均匀处理，一般会布置温度传感器以监视基板多个位置的温度。广泛使用高温计测量基板温度。基板温度的控制与测量因热吸收与光发射而复杂化，因此原位(local)层形成条件也复杂化，而热吸收与光发射是由腔室部件以及传感器与腔室表面暴露于处理腔室内的处理条件所造成。仍持续需要具改良的温度控制、温度测量的热处理腔室，以及操作此类腔室以改善均匀度与再现性的方法。本文所述的实施方式提供一种热处理设备，该热处理设备具有热源以及旋转基板支座，该旋转基板支座与该热源相对，该旋转基板支座包括支撑构件，该支撑构件具有光阻挡构件。光阻挡构件可以是封装的部件，或可以移动式设置在支撑构件内侧。光阻挡构件可以是不透明及/或反射性，且可为耐火金属。本文所述的实施方式进一步提供一种用于在热处理腔室中的旋转基板支座的支撑构件，该支撑构件具有磁性转子、连接该磁性转子的壁、以及光阻挡构件，该磁性转子与该壁共同限定内部空间，而该光阻挡构件移动式设置在该内部空间内侧。该光阻挡构件可以是具伸缩接头(expans1n joint)的金属片，且该壁可具有多个定位件，所述定位件将该金属片定位在该内部空间内。附图简要说明通过参考实施方式(一些实施方式绘示于附图中)，可得到上文简短总结的本专利技术的更特定的描述，而可详细了解前述的本专利技术特征。然而，应注意附图仅绘示本专利技术的典型实施方式，因此不应被视为限制本专利技术的范围，因为本专利技术可容许其他同等有效的实施方式。图1是根据一个实施方式的热处理腔室的截面视图。图2是根据另一实施方式的支撑构件的截面视图。为助于了解，如可能则已使用同一标号指定各图共通的同一元件。应考虑一个实施方式中公开的元件可有益地用于其他实施方式而无须特定记叙。具体描述图1是根据一个实施方式的热处理腔室100的截面视图。热处理腔室100包括腔室主体35，该腔室主体35限定处理空间14，该处理空间14配置成处理在该处理空间14中的基板12。腔室主体35可由不锈钢制成，且可衬有石英。处理空间14配置成由加热灯组件16辐射式加热，该加热灯组件16配置成邻近石英窗18。一个实施方式中，石英窗18可为水冷式。狭缝阀30可形成于腔室主体35的一侧上，以提供基板12至处理空间14的通道。气体入口 44可连接气源45以提供处理气体、净化气体、及/或清洁气体至处理空间14。真空栗13可流体连通式(fIuidly)通过出口 11连接处理空间14，而用于栗抽(pump out)处理空间14ο环形通道27形成于接近腔室主体35的底部处。磁性转子21可配置在环形通道27中。支撑构件39可安置于磁性转子21上或耦接该磁性转子21。基板12可由边缘环20于该基板12的边缘处支撑，该边缘环20设置在支撑构件39上。磁性定子23可位在磁性转子21的外侧，且可穿过腔室主体35而磁性耦合，以诱导磁性转子21旋转，从而诱导边缘环20与支撑在边缘环20上的基板12旋转。磁性定子23也可配置成调整磁性转子21的高度，从而升举正受处理的基板12。腔室主体35可包括反射体22，该反射体22定位成面向基板12。反射体22具有面向基板12的光学反射表面28，以增进基板12的发射率。一个实施方式中，反射体22为水冷式。反射表面28与基板12的表面限定处理空间14。一个实施方式中，反射体22的直径可稍微大于正受处理的基板12的直径。举例而言，若热处理腔室100配置成处理12英寸直径的圆形基板，则反射体22可具有约13英寸的直径。其他实施方式中，反射体22的直径可小于基板12的直径。一个实施方式中，外环19可耦接在腔室主体35与边缘环20之间，以将处理空间14与加热区15分开。加热区15由基板12与加热灯组件16限定，该加热灯组件16定位在基板12对面且与反射体22相对。加热灯组件16可包括加热元件37的阵列。加热元件37的阵列可以是UV灯、卤素灯、激光二极管、电阻式加热器、微波赋能加热器、发光二极管(LED)、或任何其他适合的加热元件，可单独使用也可相互组合使用。加热元件37的阵列可设置于反射体主体43中所形成的孔洞中。一个实施方式中，加热元件37可排列成六边形图案。冷却通道40可形成于反射体主体43中。诸如水的冷却剂可从入口 41进入反射体主体43，邻近垂直孔行进而冷却加热元件37的阵列，并且从出口42离开反射体主体43。此申请中的“垂直”大体上是意味与由基板12或石英窗18限定的平面正交的方向。“垂直”不为相对于重力或地表的绝对方向，而是相对于腔室100的对称，且可平行腔室100的轴。类似地，“水平”大体上是与“垂直”正交，而非绝对的方向。加热元件37的阵列连接控制器52，该控制器52调整加热元件37的阵列的加热效果。一个实施方式中，加热元件37的阵列可分成多个加热群组，以由多个同心区加热基板12。每一加热群组可受独立控制，以提供横跨基板12半径的期望温度分布曲线。一个实施方式中，区群组57的每一者连接电源55，该电源55个别控制每一区。多个温度探针24可通过反射体22中的多个开口25耦接反射体22，每一温度探针24对应一个开口。温度探针24可包括一或多个高温计，所述高温计感测基板12发射的热辐射，且发送代表温度的信号给控制器52。控制器52可根据来自对应的温度探针24的信号而控制加热区群组57。支撑构件39可由石英制成，且可为半透明(translucent)。一个实施方式中，支撑构件39的大部分是气泡石英，或其他白色半透明材料。通过气泡石英材料，接触支撑构件39的内表面50的光在整个支撑构件39中传播。当边缘环20于处理期间升高至外环19上方时，传输的光可传播进入处理空间14，且有效地不被可用作温度探针24的高温计探知，或减少该高温计的效用。为了减少光传输至处理空间14，支撑构件39可包括光阻挡构件。光阻挡构件阻挡光以避免传输通过支撑构件39。光阻挡构件可以是不透明构件及/或反射性构件。支撑构件39可包括不附着支撑构件39的任何表面的光阻挡构件。一个态样中，光阻挡构件可封装于支撑构件39中，且可为移动式设置于支撑构件39内侧。图2是根据另一实施方式的支撑构件200的截面视图。支撑构件200可用作为图1的设备中的支撑构件39。支撑构件200具有壁206，该壁206限定内部空间208。光阻挡构件210可设置在内部空间208中，使得光阻挡构件210移动式设置于内部空间208内侧。内部空间208具有一尺寸204，该尺寸大于光阻挡构件210的厚度，使得在光阻挡构件210的任一侧上于光阻挡构件210与壁206之间可维持间隙。壁206具有一厚度，该厚度提供加热区15与内部空间208之间的热绝缘，使得光阻挡构件210的热暴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理设备，包括：热源；以及旋转基板支座，与所述热源相对，所述旋转基板支座包括支撑构件，所述支撑构件具光阻挡构件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫·M·拉内什，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US