描述用于热处理半导体基板的方法与设备。固态辐射发射器用以提供热处理能量场。第二固态辐射发射器用以提供活化能量场。将热处理能量及活化能量导向基板的处理区域，在所述处理区域活化能量增加基板中热处理辐射的吸收，造成由活化能量所照射的区域中基板...

一种极紫外线掩模及制造该极紫外线掩模的方法，包括：提供玻璃陶瓷块体；从该玻璃陶瓷块体形成玻璃陶瓷基板；及沉积平坦层于该玻璃陶瓷基板上。

本文所述的实施例涉及基板处理系统。处理系统可以包括多个子系统或群集工具。所述处理系统的每个群集工具可以包括掩模腔室以及一个或多个处理腔室。所述掩模腔室可配置成对在所述处理腔室中的各种沉积工艺期间所利用的掩模加热。在一个实施例中，可在所述...

一种半导体工艺设备。提供了一种用于处理基板的系统，所述系统包括第一平面电动机、基板载件、第一处理腔室以及第一升降器。第一平面电动机包括沿第一水平方向设置的第一线圈布置、平行于第一水平方向的顶表面、第一侧和第二侧。基板载件具有平行于第一水...

本发明公开了对多个晶片提供加热和冷却以减少在处理腔室中的晶片切换之间的时间的晶片和使用方法。晶片被支撑在能够使所有晶片一起移动的晶片升降装置上，或者被支撑在能够移动多个单独的晶片以进行加热和冷却的独立的升降杆上。

一种沉积膜的方法，所述方法包含以下步骤：在具有多个处理区域的处理腔室中的基板支撑件上定位多个基板，通过气幕使每一个处理区域与相邻的区域分开。在处理区域中的至少一个处理区域中交替向第一反应性气体、净化气体、第二反应性气体和净化气体的暴露以...

提供一种用于将AC电源(20)与装置(30)连接的AC电力连接器。AC电力连接器包括可与AC电源连接的至少一个第一元件(11)以及可与装置连接的至少一个第二元件(12)，所述第一元件与所述第二元件相对于彼此以第一距离(13)布置以限定电...

提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分...

提供用于半导体处理的支撑环。支撑环包含环形主体，该环形主体由内边缘及外边缘来界定。该内边缘及该外边缘同心的绕着中央轴。该环形主体进一步包含第一侧、第二侧、及突起环状肩部，该突起环状肩部在该内边缘处由该环形主体的该第一侧延伸。该支撑环也包...

一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，该方法包括在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆叠上的模具层。模具层设置于一个或多个互连件之间，且模具层的干蚀刻的工艺暴露互连件的至少一部分。该方法还包括在互连件的所暴露的部分上沉积衬垫层。在另一个...

本文描述的实施方式涉及用于基板处理腔室的基环组件。在一实施方式中，所述基环组件包括环形主体、上环与下环，所述环形主体的尺寸被设计以容置在所述基板处理腔室的内圆周内，所述环形主体包括装载端口以使基板通过、气体入口以及气体出口，其中所述气体...

在此所描述的具体实施方式涉及基板的快速热处理。光纤耦合激光二极管阵列设置于光学系统中，所述光学系统经配置以在基板表面上产生均匀辐照图案。多个单独可控的激光二极管经由多个光纤而与一个或多个透镜光学耦接。所述光纤耦合激光二极管阵列产生高斯辐...

描述了用于对准基板尺度的掩模的方法和系统。所呈现的对准方法可以改善受基板尺度的掩模与基板的相对侧向位置影响的工艺的均匀性和可重复性。所述方法涉及测量所述基板在围绕所述基板尺度的掩模的外围的多个位置处的“悬伸”。基于所述测量，通过调节所述...

描述了一种用于有机材料的蒸发源。所述蒸发源包括蒸发坩埚，其中所述蒸发坩埚配置成蒸发所述有机材料；具有一个或多个出口的分布管，其中所述分布管与所述蒸发坩埚流体地连通，并且其中所述分布管可在蒸发期间绕轴旋转；以及用于所述分布管的支撑件，其中...

描述了划切半导体晶片的方法以及用于划切半导体晶片的载具，每一个晶片都具有多个集成电路。在示例中，用于在蚀刻工艺中支撑晶片或基板的载具包含框，所述框具有环绕内开口的周界。所述载具也包含带，所述带耦合至所述框，并且设置在所述框的所述内开口下...

本公开的实施例提供了用于在半导体基板上制造具有最小的光刻覆盖误差的膜层的方法和系统。在一个实施例中，一种用于在基板上形成膜层的方法包括：将沉积气体混合物供应到设置在处理腔室中的基板支撑件上的基板上，所述沉积气体混合物包括含硅气体和反应气...

通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金...

本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

本文描述的实施方式涉及一种用于固定及传送基板的设备及方法。其中设置有一或更多个静电夹持电极的基板载具静电地将基板耦接至该载具。视情况地，也可将掩模静电地耦接至载具，且该掩模可设置于未由基板占据的载具的一区域之上。在一实施方式中，提供多个...