基板处理系统技术方案

技术编号:13482062 阅读:57 留言:0更新日期:2016-08-06 03:48
本文所述的实施例涉及基板处理系统。处理系统可以包括多个子系统或群集工具。所述处理系统的每个群集工具可以包括掩模腔室以及一个或多个处理腔室。所述掩模腔室可配置成对在所述处理腔室中的各种沉积工艺期间所利用的掩模加热。在一个实施例中,可在所述第一群集工具中,将第一层沉积在基板上;并且可在所述第二群集工具中,将第二层沉积在基板上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本文所述的实施例涉及基板处理系统。处理系统可以包括多个子系统或群集工具。所述处理系统的每个群集工具可以包括掩模腔室以及一个或多个处理腔室。所述掩模腔室可配置成对在所述处理腔室中的各种沉积工艺期间所利用的掩模加热。在一个实施例中,可在所述第一群集工具中,将第一层沉积在基板上;并且可在所述第二群集工具中,将第二层沉积在基板上。【专利说明】基板处理系统
本公开的实施例大体设及基板处理系统。更具体而言,本文所述实施例设及具有 诸个子系统的处理系统,并且每一个子系统可W具有掩模腔室。
技术介绍
有机发光二极管(0LED)用于制造用于显示信息的电视机屏、计算机监视器、移动 电话等。典型的化抓可W包括位于两个电极之间的诸个有机材料层,运些层全都W形成具 有单独可供能的像素的矩阵显示面板的方式被沉积在基板上。OLm)-般被置于两个玻璃面 板之间,并且密封运两个玻璃面板的边缘W在其中封装0LED。 随着市场对平板技术的接受,对更大的显示器、增加的产量W及更低的制造成本 的需求已驱使设备制造商为平板显示器制造方开发适应更大尺寸的玻璃基板的新系统。另 夕h将各种系统部件高效且W具有成本效益的方式集成到复杂处理操作中的能力减少了拥 有成本。然而,由于采用了此类大型设备来处理大面积的基板,因此要集成系统的各种部件 变得耗时且困难。另外,当考虑到与各种处理操作相关联的复杂度时,有效地利用工厂地板 空间的系统架构仍具有挑战。 因此,本领域中需要的是用于高效且W具有成本效益的方式来处理基板的改进的 处理系统。
技术实现思路
在一个实施例中,提供了基板处理系统。所述基板处理系统包括第一群集工具和 第二群集工具。所述第一群集工具包括:第一传送腔室;第一掩模腔室,其禪接至所述第一 传送腔室;W及一个或多个第一处理腔室,其禪接至所述第一传送腔室。所述第二群集工具 包括:第二传送腔室;第二掩模腔室,其禪接至所述第二传送腔室;W及一个或多个第二处 理腔室,其禪接至所述第二传送腔室。通路可W设置在所述第一群集工具与所述第二群集 工具之间。 较佳地,所述通路包括:转动腔室;W及第一通路腔室,所述第一通路腔室禪接在 所述第一传送腔室与所述转动腔室之间。更较佳地,所述通路进一步包括:第二通路腔室, 所述第二通路腔室禪接在所述第二传送腔室与所述转动腔室之间。 较佳地,所述通路进一步包括:缓冲腔室,所述缓冲腔室被配置成用于:在使所述 通路可操作W在所述第一群集工具与所述第二群集工具之间传送基板的同时,使多个基板 排成队列。[000引较佳地,所述第一群集工具所具有的第一处理腔室比所述第二群集工具所具有的 第二处理腔室更多。更较佳地,所述第一群集工具具有5个第一处理腔室。更进一步较佳地, 所述第二群集工具具有4个第二处理腔室。较佳地,所述第一处理腔室和所述第二处理腔室被配置成沉积一个或多个薄膜 层。 较佳地,所述第一掩模腔室包括:掩模加热元件。 在另一实施例中,提供了基板处理系统。所述基板处理系统包括第一群集工具,其 禪接至第二群集工具。所述第一群集工具包括:第一传送腔室;第一装载锁定腔室;第一掩 模腔室,其禪接至所述第一传送腔室;W及一个或多个第一处理腔室,其禪接至所述第一传 送腔室。所述第一掩模腔室可操作W与所述第一传送腔室的真空环境隔离时从大气装载掩 模。所述第二群集工具包括:第二传送腔室;第二装载锁定腔室;第二掩模腔室,其禪接至所 述第二传送腔室;W及一个或多个第二处理腔室,其禪接至所述第二传送腔室。所述第二掩 模腔室可操作W在与所述第二传送腔室的真空环境隔离时从大气中装载掩模。 较佳地,上述系统进一步包括:转动腔室,所述转动腔室设置在所述第一群集工具 与所述第二群集工具之间,所述转动腔室可操作W在所述第一群集工具与所述第二群集工 具之间传送基板的同时将所述基板旋转180°。更较佳地,所述系统进一步包括:第一通路腔 室和第二通路腔室,其中,所述第一通路腔室设置在所述第一群集工具与所述转动腔室之 间,所述第二通路腔室设置在所述第二群集工具与所述转动腔室之间。 较佳地,所述第一群集工具包括N个第一处理腔室,并且所述第二群集工具包括N- 1个第二处理腔室。更较佳地,所述第一群集工具具有5个第一处理腔室。更进一步较佳地, 所述第二群集工具具有4个第二处理腔室。 较佳地,所述第一群集工具被配置成将第一层沉积在基板上,并且所述第二群集 工具被配置成将第二层沉积在所述基板上。 较佳地,所述第一掩模腔室和所述第二掩模腔室都被配置成加热一个或多个掩 模。 在又一实施例中,提供了基板处理系统。所述基板处理系统包括第一群集工具,其 禪接至第二群集工具。所述第一群集工具包括:第一传送腔室;第一装载锁定腔室;第一掩 模腔室,其禪接至所述第一传送腔室;W及一个或多个第一处理腔室,其禪接至所述第一传 送腔室。所述第一掩模腔室可操作W从大气中装载一个或多个第一掩模,并且在所述第一 掩模腔室与所述第一传送腔室的真空环境隔离时加热所述第一掩模。所述一个或多个第一 处理腔室可配置成将第一含娃层沉积在基板上。所述第二群集工具包括:第二传送腔室;第 二装载锁定腔室;第二掩模腔室,其禪接至所述传送腔室;W及一个或多个第二处理腔室, 其禪接至所述第二传送腔室。所述第二掩模腔室可操作W在与所述第二传送腔室的真空环 境隔离时从大气中装载一个或多个第二掩模并加热所述第二掩模。所述一个或多个第二处 理腔室可配置成将第二含娃层沉积在基板上。 较佳地,所述第二群集工具所具有的第二处理腔室比所述第一群集工具所具有的 第一处理腔室更少。【附图说明】 因此,为了详细地理解本公开的上述特征的方式,可W通过参照实施例来获取对 上文简要概述的本公开的更具体的描述,在所附附图中说明了运些实施例中的一些。然而, 应当注意,所附附图仅示出示例性实施例,并且因此不应被视为限制本公开的范围,因为本 公开可W允许其他等效实施例。 图1示出处理系统的示意性立体图。 图2示出具有形成于其上的各种特征的基板的示意性横截面图。 图3示出用于处理基板的方法的操作。 为了促进理解,在可能的情况下,已使用了完全相同的附图标记来指定各图所共 有的完全相同的元件。构想了一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例,而无需 进一步叙述。【具体实施方式】 本文所述的实施例设及用于处理基板的方法和装置。处理系统可W包括多个群集 工具。所述处理系统的每一个群集工具都可W包括掩模腔室W及一个或多个处理腔室。所 述掩模腔室可配置成用于加热在所述处理腔室中的各种沉积工艺期间所利用的掩模。在一 个实施例中,可在所述第一群集工具中,将第一层沉积在基板上,并且可在所述第二群集工 具中,将第二层沉积在基板上。 图1示出处理系统100的示意性立体图。处理系统100包括通过通路(pass t虹OU曲)106联结的第一群集工具102和第二群集工具104。群集工具102、104可视为作为处 理系统100的单独部件的子系统。一般来说,将下述处理系统部件的尺寸设计为适于且将下 述处理系统部件配置成用于操纵化andle)、传送W及处理大面积基板。还构想了系统100可 配置成用于操纵其他尺寸和/或类型的基板。系统部件中的一些还可配置成在基板上执行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统,所述基板处理系统包括:第一群集工具,所述第一群集工具包括:第一传送腔室;第一掩模腔室,耦接至所述第一传送腔室;以及一个或多个第一处理腔室,耦接至所述第一传送腔室;第二群集工具,所述第二群集工具包括:第二传送腔室;第二掩模腔室,耦接至所述第二传送腔室;以及一个或多个第二处理腔室,耦接至所述第二传送腔室;以及通路,所述通路设置在所述第一群集工具与所述第二群集工具之间。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:S·安瓦尔T·松本
申请(专利权)人:应用材料公司
类型:新型
国别省市:美国;US

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