提供了一种等离子体源，所述等离子体源包括沿第一轴从第一端延伸到第二端的核芯元件。等离子体源进一步包括围绕核芯元件的相应的一个或多个第一部分而设置的一个或多个线圈。等离子体源进一步包括具有一个或多个内壁的等离子体块，所述一个或多个内壁至少...

在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构...

本文描述的实施例提供使用具有可移动式孔的离子蚀刻腔室来蚀刻基板的设备及方法。离子蚀刻腔室具有腔室主体，腔室主体包围处理区域、基板支撑件、等离子体源、离子‑自由基屏蔽件及可移动式孔部件。基板支撑件布置于处理区域中且具有基板接收表面。等离子...

本文所述的实现方式提供一种像素化静电夹盘，该像素化静电夹盘能够对静电夹盘与置于该静电夹盘上的基板之间的RF耦接进行侧向调谐和方位角调谐。在一个实施例中，像素化静电夹盘(ESC)可包括：电介质体，具有工件支撑表面，该工件支撑表面配置成在其...

在此所提供的实施方式一般涉及用于将气体输送至半导体处理腔室的设备。外延半导体处理腔室的上部石英圆顶具有被形成于其内的多个孔洞且前驱物气体通过上部圆顶的孔洞而被提供进入处理腔室的处理空间。气体输送管件从圆顶内的孔洞延伸至凸缘板，在凸缘板中...

本公开涉及一种拐角式扰流件，所述拐角式扰流件被设计成通过改变气体流动来使基板拐角区域上的较高沉积速率降低。在一个实施方式中，一种用于处理腔室的拐角式扰流件包括电介质材料制成的L形主体，其中所述L形主体被配置成改变在处理腔室中的基板的拐角...

本公开的实施例包括处理腔室，所述处理腔室包括：沉积腔室，所述沉积腔室具有主体；背板，所述背板耦接至所述主体，所述主体从所述背板处支撑扩散器；以及多个温度控制设备，所述多个温度控制设备耦接至所述主体、所述背板和所述扩散器中的一个或多个的外...

本公开涉及一种气体限制器组件，所述气体限制器组件被设计成通过限制气流并改变在基板边缘区域附近的局部气流分布来降低不均匀的沉积速率。所述气体限制器组件的材料、尺寸、形状和其他特征可基于处理要求以及相关联的沉积速率而变化。在一个实施方式中，...

在本文中提供用于处理例如电子器件中使用的光敏聚酰亚胺(PSPI)膜的方法和装置。在一些实施方式中，一种用于固化光敏聚酰亚胺(PSPI)膜的方法包括：在所选基板上沉积PSPI膜；以及在包含从约20ppm至200,000ppm的氧浓度的所选...

本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面...

本文描述的实施方式一般涉及一种批处理腔室。批处理腔室包括界定处理区域的盖、腔室壁和底部。在处理区域中安置盒，所述盒包括用于支撑基板的基座堆叠。将盒的边缘耦接到多个轴，并将轴耦接到转子。在操作期间，转子旋转盒以改善沉积均匀性。在腔室壁上安...

本公开涉及用于器件制造的原子层沉积(ALD)处理腔室的方法和设备，以及用于替换所述设备的气体分布板和掩模的方法。所述ALD处理腔室具有狭缝阀，配置成允许气体分布板与掩模的移除与替换。所述ALD处理腔室还可具有致动器和基板支撑组件，所述致...

提供一种用于形成在3D存储器装置中使用的膜层的堆叠的方法。所述方法开始于在沉积反应器的处理腔室中提供基板。然后，将适合于形成电介质层的一种或更多种工艺气体供应至所述沉积反应器的处理腔室内，从而在所述基板上形成电介质层。然后，将适合于形成...

本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径...

提供用于基板热处理的灯装置。所述灯装置包括密封灯丝的灯泡，所述灯丝具有一对导线。所述灯装置进一步包括灯基座。所述灯基座包括：将灯泡连接到灯基座的密封件；具有一个或多个壁以及两个端部的衬套，所述两个端部中的一个端部围绕所述密封件；填充衬套...

提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块...

描述了一种用于沉积一层或多层(特别地，在其中包含有机材料的层)的系统。所述系统包含：装载锁定腔室，用于装载待处理的基板；传递腔室，用于传送所述基板；真空摆动模块，在所述装载锁定腔室和所述传递腔室之间提供；至少一个沉积设备，用于在所述至少...

本发明涉及用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件，大体上提供了高效率的静电夹盘，该夹盘包括挠性堆叠件，该挠性堆叠件具有设置于介电材料的两个层之间的电极。这些层中的至少一个层是标准的或高纯度的热塑性膜。该挠性堆叠件可以在基板支撑表面上具有...

本发明所述实施方式一般涉及加热夹盘。夹盘包括第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第一表面包括由实质非球形表面所界定的凹陷部。非球形表面经配置而支撑凹基板且以用于处理的稳定方式夹持凹基板。

提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。