提供一种基板载体系统。该基板载体系统包括基板载体主体、电极组件、支撑基底及控制器。该基板载体主体具有基板支撑表面，且电极组件设置于该基板载体主体中。该电极组件包括多个横向间隔开的电极组。每个电极组包括与第二电极交错的第一电极。该支撑基底...

本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可...

描述了光学系统，所述光学系统能够跨越包含于衬底的表面上的退火区域可靠地递送数量均匀的能量。所述光学系统经调适以在衬底的表面上的所要区域上递送或投射具有所要二维形状的数量均匀的能量。用于光学系统的能量源通常为多个激光，所述多个激光经组合以...

这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化...

本发明公开了一种用于电化学处理微特征工件的方法，所述方法包括：使所述微特征工件的第一表面与电镀腔室中的电镀电解液接触，其中所述电镀电解液包括至少一种金属离子；使所述电镀电解液从在所述工件的第一端部处的第一电镀电解液入口经过所述工件的中点...

描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222)，所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122)，其中所述沉积阵列包括：第一外侧沉积组件(301)，所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极；第二外侧...

描述一种用于处理基本上竖直地定向的基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一双轨传输系统，所述第一双轨传输系统具有第一传输轨道和第二传输轨道；至少一个横向位移机构，所述至少一个横向位移机构被配置成用...

本发明公开了在写入大型基板时运用偏移修正的多光束图案产生器以及相关方法。多光束图案产生器可包括空间光调制器(SLM)，空间光调制器具有独立可控制的反射镜以将光反射至基板上，以写入图案。图案可在写入周期中写入，其中基板移动至写入周期区域位...

诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。

本发明的实施方式大体关于一种改进的适配器，所述适配器用于在快速热处理(RTP)腔室中用作热辐射源的简化灯。在一个实施方式中，提供有灯组件。灯元件包含具有灯丝设在所述舱体中的舱体；按压密封件，耦接至舱体；及适配器，具有插座，所述插座经调整...

本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层...

提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间...

提供用于蚀刻设置在基板上的电介质层的方法。所述方法包括：在蚀刻处理腔室中，将基板从静电夹头松开；以及在将基板从静电夹头松开的同时，循环地蚀刻电介质层。循环蚀刻的步骤包括：由供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物远程地生成等离子体，以便在第...

本文中公开了一种用于装载基板于检查站中的方法和装置。在一个实施方式中，本文中公开了一种用于基板检查站的装载模块。所述装载模块包括两个臂、多个基板夹持器、两个可旋转支撑构件、输送装置和至少一个致动器。每个臂具有第一端部和第二端部，其中所述...

描述一种用于有机材料的蒸发源。所述蒸发源包括：蒸发坩锅，其中所述蒸发坩埚被配置成蒸发所述有机材料；分配管道，所述分配管道具有沿所述分配管道的长度而提供的一或多个出口，其中所述分配管道与所述蒸发坩锅流体连通，并且其中所述分配管道具有垂直于...

本文提供一种用以快速冷却基板的方法与装置。在一些实施方式中，冷却腔室包含：腔室本体，具有内部空间；基板支撑件，设置在空间中并具有基板支撑表面；板，相对基板支撑件而设置在腔室本体中且可相对基板支撑件在第一位置和第二位置间移动，其中第一位置...

一种沉积系统及操作所述沉积系统的方法，所述沉积系统包括：阴极；阴极下方的护罩；阴极下方的旋转屏蔽件，用于经由护罩及经由旋转屏蔽件的屏蔽孔暴露阴极；和旋转基座，用于产生材料以在旋转基座之上形成载体，其中所述材料具有小于材料厚度的1％的非均...

描述了一种从图案化的异质结构中选择性地干法蚀刻硅的方法。所述方法在远程等离子体蚀刻之前任选地包括等离子体工艺。所述等离子体工艺可以使用经偏压的等离子体来处理一些结晶硅(例如，多晶硅或单晶硅)以形成非晶硅。之后，使用含氢前体形成远程等离子...

描述一种用于在基板上沉积两种或更多种有机材料的蒸发源阵列。所述蒸发源阵列包括：两个或更多个蒸发坩锅，其中所述两个或更多个蒸发坩锅被配置成蒸发所述两种或更多种有机材料；两个或更多个分配管道，所述两个或更多个分配管道具有沿所述两个或更多个分...

本文提供耦接射频功率及直流功率至电极的电容组件及包含所述电容组件的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，电容组件包含：第一导电板，以接收来自RF功率源的RF功率，第一导电板包含中心孔；至少一个电容，所述至少一个电容耦接至第一导电板并围...