公开用于组合放大的辐射光束的设备和方法。光束组合器具有准直光学元件，该准直光学元件被定位成相对于准直光学元件的光轴以恒定的入射角接收多个相干辐射光束。各自的入射角度在某些实施方式中亦可为不同的。准直光学元件具有使光束准直的光学特性。该光...

本文公开的实施方式大体涉及等离子体消除工艺和装置。等离子体消除工艺从诸如注入腔室之类的处理腔室获得前级管道流出物，且使流出物与反应物反应。所述流出物包含自燃副产物。放置在前级管道路径之内的等离子体发生器可将流出物和反应物离子化以促进流出...

公开了用于外延生长装置的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在所述反应腔室中的所述反应气体的流动方向上的水平分量对应于从所述反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对所述...

描述了一种用于真空处理系统的粒子去除装置(200)，所述真空处理系统用于处理支撑在载体(40)上的基板。粒子去除装置(200)包括：基体(210)，所述基体具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述载体(40)的部分可被移动通过所述凹槽；以及...

描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控...

本文所述实施方式一般涉及一种用处理具有不同厚度的基板的设备。在无切缝式基板处理中，模板可重复使用多次以形成基板。受工艺气体的流动动态性影响的许多沉积工艺通常会对许多变量敏感，诸如正被处理的基板与其内可设置基板的基座表面有关的厚度。所述基...

在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除...

本公开内容的实施方式涉及降低异质外延生长薄膜中的位错密度，以及包括具有降低的位错密度的异质外延薄膜的装置。根据本公开内容的实施方式，高深宽比沟槽的侧壁可倾斜或具有倾角，以允许形成于高深宽比沟槽中的结晶材料中的缺陷终止于倾斜的侧壁中，所述...

在一个实施例中，公开一种处理腔室，其中所述处理腔室的至少一个表面具有包含SivYwMgxAlyOz的涂层，其中v的范围从约0.0196至0.2951，w的范围从约0.0131至0.1569，x的范围从约0.0164至0.0784，y的范...

提供了一种用于柔性基板(260；560)的真空处理系统(100)。所述真空处理系统包括：第一腔室(110)，适用于容纳供应辊和收卷辊中的一者，所述供应辊用于提供柔性基板，所述收卷辊用于储存柔性基板(260；560)；第二腔室(120)，...

描述一种用于在进行真空处理的基板处理腔室中支撑基板的载体。所述载体包括至少两个固持件，其中每个固持件包括：固定部分，所述固定部分被配置成附接到载体主体，并且具有相对于所述载体主体的固定位置；浮动部分，所述浮动部分可相对于所述固定部分沿至...

公开了用于终点检测的动态或适应性追踪光谱特征。一种控制研磨的方法包括以下步骤：研磨基板；以及接收选定光谱特征的识别、具有宽度的波长范围，及该选定光谱特征的特性以在研磨期间进行监视。在研磨该基板的同时测量来自该基板的光的一系列光谱。根据该...

本发明涉及浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺。在一个实施方式中，一种装置包括处理腔室，所述处理腔室包括：基板支撑件，所述基板支撑件具有基板支撑表面；热源，所述热源嵌入在所述基板支撑件中，配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热；电极组...

保持环的一些实施方式具有内表面，所述内表面具有由多个平面刻面形成的第一部分和沿边界邻接第一部分的第二部分，并且保持环包括从外部朝内向下倾斜的截头圆锥形表面。保持环的一些实施方式具有锯齿状内表面或蜿蜒内表面和/或具有不同表面性质或不同倾斜...

描述一种用于真空处理系统的负载锁定腔室(122；422；522)。所述负载锁定腔室包括形成负载锁定腔室容积的负载锁定壁和用于将所述负载锁定腔室抽空的真空产生装置(425)。所述负载锁定腔室还进一步包括颗粒捕集器(127；427；527)...

本发明公开一种用于使半导体基板退火的方法及设备。设备具有退火能量源及基板支撑件以及遮蔽构件，所述遮蔽构件设置于退火能量源与基板支撑件之间。遮蔽构件为实质平坦构件，所述实质平坦构件具有比在基板支撑件上处理的基板大的尺寸，窗覆盖所述实质平坦...

本发明的实施例包括用于在化学机械平面化处理之后预清洁基板的系统、方法及设备。实施例提供：外壳；夹盘组件，该夹盘组件被配置成将基板固定地保持在该外壳内；以及抛光垫组件，该抛光垫组件被配置成抵靠该基板旋转同时被支撑在该外壳内。该抛光垫组件包...

本实用新型涉及一种腔室盖装置、传送腔室装置以及用于提升盖的装置，提供腔室盖装置。所述腔室盖装置可以包括：盖体；一个或多个臂，所述一个或多个臂耦接至所述盖体；以及一个或多个齿轮箱，所述一个或多个齿轮箱通过一个或多个第一轴耦接至所述一个或多...

一种切割具有多个IC的基板的方法。一种方法包括形成多层掩模，该多层掩模包含位于半导体基板上的可溶于溶剂中的第一掩模材料层及位于该第一掩模材料层上的不溶于该溶剂中的第二掩模材料层。使用激光划线工艺对该多层掩模进行图案化以提供具有间隙的图案...

固定环包括大体环状主体。该主体包括顶表面、底表面、外表面及内表面，该外表面在外顶部周边处与顶表面连接及在外底部周边处与底表面连接，该内表面在内顶部周边处与该顶表面连接及在内底部周边处与底表面连接。内表面包含七或七个以上的平坦刻面。邻近的...