本文描述的实施例大体而言涉及用于热处理在紫外线半导体处理腔室中使用的腔室部件的设备和方法。包含单式陶瓷或玻璃制品的腔室部件的热处理可以减少当腔室部件曝露于腐蚀性环境、诸如曝露于紫外光和臭氧/氧自由基时产生微粒的可能性。一种热处理腔室部件...

描述一种用以在基板上沉积层的边缘排除掩模。边缘排除掩模包括具有边缘的边缘区域，其中边缘适于具有20°或更小的相对于基板的倾斜角。

描述了一种在设在沉积于基板上方的第一层中的通孔或沟槽中沉积材料的方法。所述方法包含以下步骤：提供具有通孔或沟槽的第一层；在具有通孔或沟槽的第一层上沉积第二层的第一部分，其中利用具有第一磁体布置的磁控管溅射阴极执行第二层的第一部分的沉积，...

在制造具有带有多个导电互连件的层的集成电路时，抛光基板的层以提供所述集成电路的所述层。所述基板的所述层包括的导电线以提供导电互连件。所述基板的所述层包括由沟槽中的导电材料形成的封闭的导电环路。使用感应监测系统来监测沟槽中的导电材料的深度...

包括沟槽引导式光纤的基板温度控制设备。基板温度控制设备包括上部和下部构件(其中一者或两者包括沟槽)及多个在沟槽中被引导的光纤。在一个实施方式中，这些光纤适于提供基于光的像素化加热。在另一个实施方式中，嵌入式光温度传感器适于提供温度测量。...

在一个实施方式中，提供用于热处理腔室的底座。该底座包含基座，该基座具有前侧及后侧，该后侧相对于该前侧且由热传导材料制成，其中该基座包含周边区域，该周边区域围绕凹陷区，该凹陷区厚度小于该周边区域的厚度；以及多个突起特征结构，该多个突起特征...

本实用新型公开了一种电镀系统，所述电镀系统具有容纳电解液的容器。所述容器中的惰性阳极具有在阳极膜管道中的阳极导线。头部用于固持晶片，所述晶片与所述容器中的电解液接触。晶片连接到阴极。阴极电解液补充器连接到所述容器。所述阴极电解液补充器通...

本公开内容涉及一种电镀处理器。本公开内容涉及一种用于电镀处理器中的搅拌器。在电镀装置中，桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶片表面处提供高速的流体流动。另外，搅拌器被设计和/或移动以有选择地屏蔽晶片的一部分(例如晶片边缘)免受容器中的电场...

公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配...

本发明提供用于改良的离子过滤的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，基板处理腔室包括：腔室主体和腔室盖，腔室盖安置在腔室主体上，界定腔室主体内于盖下方的处理区域；准直器，安置在处理区域中；电源，耦接至准直器；以及第一组磁体，所述第一组...

本发明提供用于实时控制抛光工艺的系统及方法。在第一数据集及第二数据集中分别辨识第一特性及第二特性，每一数据集对应于实时晶片抛光数据。计算第一特性与第二特性出现在其各个数据集内的时间之间的时间增量，然后基于计算得出的时间增量实时更新抛光参数。

本文提供用于基板处理腔室中的冷却式处理工具配接器的实施方式。在一些实施方式中，冷却式处理工具配接器包括：环绕中央开口的环状主体；设置于环状主体中的冷却剂通道；帮助支撑中央开口内的处理工具的一或多个特征；设置于环状主体中且与冷却剂通道流体...

一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括：半导体主体；设置在所述半导体主体上方的电介质层；导电材料的多个导电线，设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件；以及所述导电材料的封闭的导电环路结构，设置在所...

本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所...

描述一种在基板上方沉积材料的层的方法。所述方法包括以下步骤：以造成第一柱状生长方向的第一沉积方向沉积层的第一部分；以及以造成第二柱状生长方向的第二沉积方向沉积层的第二部分，其中所述第二柱状生长方向不同于所述第一柱状生长方向。

本文中描述的实施方案提供一种升降杆致动器。所述升降杆致动器具有外壳。所述外壳具有内部容积。轨道设置在所述内部容积中并耦接到所述外壳。中心轴至少部分设置在所述外壳的所述内部容积中。导向件可移动地耦接到所述轨道。至少一个内波纹管设置在所述内...

描述一种用于在真空腔室中处理柔性基板的处理设备。所述处理设备包括：处理滚筒，所述处理滚筒用于当在所述处理滚筒上引导所述柔性基板时，处理所述柔性基板；辊布置，所述辊布置具有一或多个辊，所述一或多个辊被配置成当在所述处理滚筒上引导所述柔性基...

本申请提供一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备。在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的管道中的气体的设备包含：介电管，所述介电管被耦接至基板处理系统的管道以允许气体流动经过介电管，其中介电管具有圆锥形的侧壁；以及RF线...

形成半导体结构的示例性方法可包括蚀刻通孔以贯穿半导体结构而暴露出第一电路层互连金属。该方法可包括形成覆盖暴露的第一电路层互连金属的材料层。该方法还包括在通孔内形成阻障层且沿着该通孔的底部具有最少覆盖物。该方法附加地包括形成覆盖该材料层的...

提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在...