描述了一种用于制造用于触摸屏面板的透明体的工艺。所述工艺包括以下步骤：在柔性透明基板上方沉积第一透明层堆叠，其中所述第一透明层堆叠包括至少第一电介质膜以及第二电介质膜，所述第一电介质膜具有第一折射率，所述第二电介质膜具有与所述第一折射率...

一种用于等离子体处理腔室的处理配件。该处理配件包含多个陶瓷弧形部件。各个弧形部件具有凹形第一端及凸形第二端，且各个弧形部件的该第一端配置成与邻近弧形部件的相邻端配对以形成环形内隔离器。

本文中描述的实施方案提供一种升降杆致动器。所述升降杆致动器具有外壳。所述外壳具有内部容积。轨道设置在所述内部容积中并耦接到所述外壳。中心轴至少部分设置在所述外壳的所述内部容积中。导向件可移动地耦接到所述轨道。至少一个内波纹管设置在所述内...

本公开提供了用于利用期望材料形成半导体芯片的水平全环栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的方法。在一个实例中，一种将纳米线结构形成在基板上的方法包括：将含氧的气体混合物供应到处理腔室中的基板上的多材料层，其中所述多材料...

描述了具有可变像素化加热的静电夹具。例如，静电夹具(ESC)包括具有前表面和背表面的陶瓷板，所述前表面用于支撑晶片或基板。基座耦合至陶瓷板的背表面。光承载介质设置在基座中，光承载介质经配置以为ESC提供像素化的基于光的加热能力。

本文公开了一种借助使用真空系统及气体输送系统的用于安全地使设施中的至少一个气体线能够被输送至至少一个使用点的系统及方法，其中该气体输送系统被容纳在该真空系统内。包含至少一个气体线于其中的管道的内部体积维持处于降低的压力，同时气体线的一端...

一种抛光模块，所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周界；以及一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界定位，其中所述一个或更多个抛光垫的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可以动的，并且所...

于此公开用于支撑基板的装置的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的装置包含：支撑构件；及多个基板接触元件，该多个基板接触元件由该支撑构件突出，其中该多个基板接触元件的每一个包含：第一接触表面，在基板放置于该第一接触表面上时支撑该基板...

本发明涉及气体分配系统和处理腔室，具体提供一种用于引入气体到处理腔室中的装置，所述处理腔室包含具有气体注入孔的一或多个气体分配管，所述气体注入孔可在需要通过气体注入孔更大气体传导的气体引入管的管段处尺寸更大、数目更多，和/或彼此间隔更紧...

一种电镀处理器，所述电镀处理器具有头部，所述头部包括晶片夹具，其中所述头部为可移动的以将所述晶片夹具中的晶片放入储存第一电解液并具有一个或多个阳极的容器中。取样电极组件可定位成邻近所述容器下端、或在所述阳极下方。取样电流通道从所述取样电...

一种极紫外(EUV)掩模底板生产系统包括：基板操控真空腔室，该基板操控真空腔室用以产生真空；基板操控平台，该基板操控平台位在该真空中，该基板操控平台用以传送被装载在该基板操控真空腔室中的超低膨胀基板；及多个子腔室，该多个子腔室可由该基板...

提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7...

本文揭示用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含：基板支撑件，基板支撑件具有基板支撑表面，基板支撑表面包含电绝缘涂层；基板升降机构，基板升降机构包含多个升降销，所述多个升降销被配置为在第一位置与第二位置之间移动...

本公开内容的实施方式涉及半导体器件，例如用于放大或切换电子信号的晶体管。在一个实施方式中，在形成于基板上的介电层中形成第一沟槽，以暴露出该基板的表面；在该第一沟槽内形成多堆叠层结构；及在第二半导体化合物层上形成第三半导体化合物层，其中该...

提供了一种用于在基板表面上溅射材料的溅射布置。所述溅射布置包括：至少一个溅射阴极，所述至少一个溅射阴极包括第一端部与第二端部，其中，所述溅射阴极沿第一轴线延伸；至少一个基板支撑件，配置成用于支撑基板并与所述至少一个溅射阴极相对地布置，其...

本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。所述方法可以包括触发等离子体区域中的等离子体放电。所述方法还可包括使含氟的前驱物流入所述等离子体区域中，以便形成等离子体出流。所述等离子体出流可流入混合区域中。所述方法可进一步包括将含氢...

描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形...

本公开内容的实施方式一般涉及用于热处理腔室中被用作热辐射源的灯的经改良的固持及绝缘特征结构。在一个实施方式中，提供处理腔室。该处理腔室包括用于半导体基板热处理的灯组件、灯组件壳体、功率分配组件及分隔板，灯组件具有灯电连接器及第一侧向操作...

本发明公开的实施方式涉及用于半导体基板的热处理的光导管结构。在一个实施方式中，用于热处理腔室的光导管窗结构包括透明板及多个光导管结构，多个光导管结构以与透明板耦接的透明材料形成，多个光导管结构的各个包含反射表面且具有纵轴，该纵轴以与透明...

本公开内容的实施方式一般涉及全面、可扩充基板检测系统。检测系统包括多个测量单元，这些测量单元经调适以检测、探测或测量基板的一或更多个特征，这些特征包括厚度、电阻率、锯痕、几何形状、污点、碎屑、微裂纹、晶体分数及光致发光。可使用检测系统鉴...