根据本公开的一个方面，提供一种用于处理基板(15)上的材料的设备(40)。所述设备(40)包括真空腔室和测量布置，所述测量布置被配置成用于测量所述基板和/或在所述基板上处理的材料的一或多个光学性质，所述测量布置包括位于所述真空腔室中的至...

本文提供在前级去除系统中提供反应物气体的装置及方法。在一些实施方式中，反应物输送系统包含：水槽，该水槽具有内容积，该内容积在设置于该水槽中时容纳反应物液体；以及热交换器，该热交换器具有中央开口，该中央开口设置于该内容积中，并且经构造以在...

本文所述的实施方式涉及具有反射板的喷头，反射板带有用于径向分配气体的气体注入插件。在一个实施方式中，喷头组件包括反射板与气体注入插件。反射板包括至少一个气体注入口。气体注入插件设置于反射板中，且包括多个孔。气体注入插件还包括设置于气体注...

一种研磨系统，该研磨系统包括支座以固持具有将被研磨的基板表面的基板、保持研磨垫与该基板表面接触的载体，及压力施加器，以在研磨垫的背面的选定区域施加压力。该背面与该研磨表面相对。该压力施加器包括致动器及主体，该主体经配置以由该致动器移动来...

提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层...

提供一种用于化学机械平坦化的研磨头。该研磨头包括壳体与固定至壳体的柔性隔膜。至少第一、第二与第三可加压腔室设置于壳体中且各腔室接触柔性隔膜。第一压力传送通道与第一腔室耦接。第二压力传送通道与第三腔室耦接。第一压力馈送线路将第一压力传送通...

于此提供升降销组件的实施方式。在一些实施方式中，升降销组件包含：伸长底座，由第一材料所形成，并具有形成在底座的远端中的第一特征结构，以与尖端接合并可移除地支撑尖端；及尖端，由不同于第一材料的第二材料所形成，并在尖端的第一侧及尖端的相对第...

本文描述的实施方式一般涉及一种用来沉积材料在基板上的设备。设备包含基板支撑组件。基板支撑组件包含基座和设置在基座上的基板支撑环。基板支撑环具有第一表面和第二表面，所述第一表面用以接收基板，第二表面与第一表面相对。第二表面包含至少三个突出...

研磨设备包括外壳、耦接至该外壳的柔性底座、以及设置于该柔性底座的第一侧上的接触区域，其中该柔性底座基于该外壳与该柔性底座的第二侧内含有的压力而膨胀和收缩，以于该第一侧形成接触面积，该接触面积小于该柔性底座的表面面积。

一种控制研磨的方法包括存储基部测量，基部测量是在至少一个层沉积于基板上以后且在外层沉积于该至少一个层上以前的基板的测量。在外层沉积以后且在研磨基板上的外层期间，接收来自实时监控系统在研磨期间的一系列基板原始测量(raw measurem...

在电镀装置中，桨或搅拌器搅拌容器中的电解液以在晶片表面处提供高速的流体流动。另外，搅拌器被设计和/或移动以有选择地屏蔽晶片的一部分(例如晶片边缘)免受容器中的电场影响。有选择地屏蔽可通过将搅拌器的平均位置暂时地朝向晶片的一侧偏移，通过省...

本文提供用于化学品输送的方法与设备。在一些实施方式中，第一贮槽容纳第一容积的流体、接收载气、并且将所述载气连同源自所述第一容积的流体的蒸气一并输出。第二贮槽容纳第二容积的流体，且能够输送所述第二容积的流体的一部分至所述第一贮槽。自行调节...

本文中提供了用于将钴层沉积在形成于基板上的特征结构中的方法和设备。在一些实施方式中，一种将钴层沉积在基板上的方法包括：(a)将基板提供至可在两个处理位置之间旋转的基板支撑件；(b)在第一处理位置处将基板暴露于含钴的前体，以将钴层沉积在基...

基板温度控制装置与电子器件制造系统提供像素型光式加热至处理腔室中的基板。处理腔室中的基板固持件可包括底板。底板具有顶表面，顶表面可具有多个空腔与连接至空腔的多个槽。光纤可接收在槽中，使得每一个空腔具有终止于空腔中的各自的光纤，以传送光至...

本实用新型描述了用于数字平版印刷术的系统。所述系统可以包括：板件、至少一个台架，所述至少一个台架设置在所述板件上及能够支撑基板以便处理、至少一个激光干涉仪，耦接到所述板件的所述至少一个激光干涉仪用于测量所述台架和/或所述基板的位置和取向...

一种制造极紫外反射元件的设备和方法，极紫外反射元件包括：基板；在基板上的多层堆叠，多层堆叠包括多个反射层对，反射层对具有由硅形成的第一反射层和由铌或碳化铌形成的第二反射层，以用于形成布拉格反射器；及覆盖层，所述覆盖层在多层堆叠上和上面，...

一种远紫外反射元件及其制造方法包括：基板；位于所述基板上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述多个反射层对具有由硅所形成的第一反射层和由钼所形成的第二反射层；形成在所述第一反射层与所述第二反射层之间的阻挡层，且所述阻挡层是由硼、...

本公开描述了一种晶片传送机器人、具有其的缓冲腔室，以及群集工具。所述缓冲腔室包括：外壳，所述外壳具有盖子、基底和具有至少两个刻面的侧壁，所述刻面中的每一个包括大小被调节成允许晶片从其间穿过的狭缝阀；转盘，其包括具有至少两个晶片支持位置的...

公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统，所述系统包括：第一气体入口；基座，配置成支撑基板；喷淋头，定位在所述第一气体入口与所述基座之间，所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板；隔板，定位在所述基座与所述喷淋头之间，所述隔板...

本公开的实施例包括被用于减少来自基板周边区域(诸如基板的边缘或斜面)的残余膜层的方法与设备。可在等离子体工艺之后减少基板斜面、背侧与基板周边区域的污染。在一个实施例中，一种边缘环包括：基座圆形环，该基座圆形环具有限定形成在其上的中央开口...