描述了一种用于外延腔室的基板载体，所述基板载体具有细长基底构件，所述细长基底构件支撑具有角度关系的两个基板支撑件、以及中心基板支撑件，所述中心基板支撑件在所述两个基板支撑件之间。所述中心基板支撑件具有一或多个开口，在所述一或多个开口处定...

本公开内容的实施例一般关于用以调节远程等离子体产生器的内壁表面的方法。在一个实施例中，提供了一种用以处理基板的方法。所述方法包括下列步骤：将远程等离子体源的内壁表面暴露于处在激发态的调节气体，以钝化远程等离子体源的内壁表面，其中该远程等...

本文中公开的实施例一般涉及一种适于夹紧基板及可选地掩模的基板载体系统，该基板载体系统具有可移除的保护层的堆叠。在一个实施例中，提供基板载体系统，该基板载体系统包括基板载体主体，该基板载体主体具有设置于该基板载体主体的外部安装表面上的保护...

依据一般的方面，本揭示内容的实施方式涉及专用掩模设计，所述掩模设计不仅提高沉积的LiPON层的离子电导率，而且还通过减少由RF等离子体对沉积层造成的损伤来提高装置产率。在实施方式中，掩模包括在沉积期间面向基板的导电底表面及不导电的相对顶...

本申请公开了机器人和基板处理系统。提供用于传送基板的机器人、处理系统以及方法。在一个实施方式中，提供机器人，所述机器人包括：可旋转主体；第一终端受动器；以及直通束检测器，所述直通束检测器安装至所述机器人。所述第一终端受动器被安装至所述主...

本文提供用于将能量提供至处理腔室的设备。在一个实施方式中，所述设备包括支撑基板、设置于支撑基板的第一表面上的第一多个固态光源和设置于支撑基板的顶表面上的第二多个固态光源，其中第一多个固态光源与第二多个固态光源对准且彼此电隔离，并且第一多...

在对半导体表面的软性等离子体表面处理中使用电子束等离子体源，所述半导体表面包含Ge或III-V族化合物半导体材料。

在本文中，公开了一种用于处理腔室的组合基板下罩框。在一个实施例中，所述框架具有两个较短主体以及配置成与短框对接以形成矩形形状的两个较长主体，其中所述两个较长主体中的每个包括两个或更多个区段，并且至少一或多个区段具有形成升降杆孔至少一部分...

电化学处理器可包括具有转子的头部，头部构造成支承工件，头部可移动而将转子定位于容器中。内部与外部阳极位于容器内的内部与外部阳极电解质腔室中。容器中的上杯具有弯曲上表面和内部与外部阴极电解质腔室。电流取样器设置成邻接该弯曲上表面。该弯曲上...

一种用于涂覆在用于等离子体蚀刻的半导体制造腔室中使用的部件的方法包括以下步骤：提供用于半导体制造腔室中的部件；将所述部件加载到沉积腔室中；将金属粉末冷喷涂覆到所述部件上以在所述部件上形成涂层；以及阳极化所述涂层以形成阳极化层。

处理腔室气流控制设备可包含处理腔室或被包含于处理腔室，所述处理腔室经配置以在处理腔室中处理基板。所述气流控制设备可包含阀，所述阀经配置以密封所述处理腔室中的排气口。所述阀可在X、Y及Z方向上相对于所述排气口为可移动的，以调整所述处理腔室...

一种适用于在处理系统中使用的基板载体包括电极组件和支撑底座。电极组件配置成生成静电夹持力以将基板固定至基板载体。支撑底座具有形成在其中的加热/冷却槽。电极组件和支撑底座形成单一主体，所述单一主体配置成在处理系统内传输。快断器耦接至主体，...

本公开案总体涉及一种用于处理基于网的基板的方法和设备。当所述基板在辊之间行进时，所述基板可被拉伸并且因而扭曲。一旦所述基板到达所述辊处，所述基板扭曲就会固定。通过调整处理参数，所扭曲的基板得以处理，而不需要校正所述扭曲。

本发明的实施例总体上提供用于在基板上形成氮化硅层的方法。在一个实施例中，公开了一种用于在低于300摄氏度的温度下，使用远程等离子体化学气相沉积(CVD)来形成氮化硅层的方法。用于远程等离子体CVD工艺的前体可包括：三(二甲胺基)硅烷(T...

兹描述一种用于移动电子器件制造系统的部件的万用部件升降装置。所述万用部件升降装置包含：轨道；台车，所述台车可沿着所述轨道移动；以及升降装置，所述升降装置适于耦接于所述台车，所述升降装置包含轮件基座、升降部、以及悬臂，所述悬臂适于耦接于所...

本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形...

公开了一种利用等离子体点源的阵列处理工件的等离子体反应器。一种等离子体源，由等离子体点源的阵列组成，该等离子体源对用户界定的区域在空间上和时间上控制带电粒子和自由基的产生。

描述了一种用于在基板(110；640)上沉积材料的沉积配置(100；600)。该沉积配置包括：真空腔室(120)；辊装置(200；300；400；500；604)，该辊装置位于所述真空腔室(120)内；以及电加热装置(61；220；32...

本公开大体上涉及一种半导体处理装置。在一个实施方式中，在本文中公开一种处理腔室。所述处理腔室包括：腔室主体和盖，所述腔室主体和盖限定内部容积，所述盖被配置成支撑具有帽的外壳；基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中；蒸发器，所述蒸...

本发明的实施方式一般涉及具有用于将图案成像于基板上的光学元件的激光退火系统。光学元件可包含将图像整形以暴露于基板的表面上的多个孔或一个孔。该图像可由光学元件系统内的孔的形状加以确定。