本申请公开了用于等离子体处理的装置和等离子体处理腔室。一种用于等离子体处理的装置包括：第一等离子体源；第一平面电极；气体分配设备；等离子体阻挡筛网；以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物，所述第一等离子体产物从所述第一等离...

本申请公开了基于光谱的监测化学机械研磨的装置及方法。本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点...

一种薄膜电池所述可包括：基板、阴极集电体层、阳极集电体层、阴极层、电解质层和阳极层，其中阳极集电体的阳极接触区域的一部分未被阳极层覆盖，且其中电解质层中的电气绝缘缓冲区域未被阳极层覆盖，所述电气绝缘缓冲区域位于阴极集电体层的接触区域与阳...

提供了用于形成多孔硅层的方法和装置。在一些实施方式中，阳极化浴槽包括：外壳，具有用于保持化学溶液的第一容积；阴极，设置在外壳的第一侧处的第一容积之内；阳极，设置在与第一侧相对的外壳的第二侧处的第一容积之内，其中阴极和阳极的每一个的表面具...

本文公开了在形成半导体器件中使用的纳米结晶金刚石层以及用于形成所述纳米结晶金刚石层的方法。所述器件可包括：基板，所述基板具有处理表面与支撑表面；器件层，所述器件层形成于所述处理表面上；以及纳米结晶金刚石层，所述纳米结晶金刚石层形成于所述...

本文描述的实施方式关于圆顶组件。圆顶组件包括上圆顶与上周边凸缘，所述上圆顶包含凸形弧中央窗，所述上周边凸缘在所述中央窗的周缘处啮合所述中央窗。

在此公开一种用于延长处理配件部件的处理寿命的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、在内壁和外壁之间的上表面以及在内壁和外壁之间的相对的下表面，其中靠近内壁的上表面的第一部分是凹...

描述了一种等离子体源组件，所述等离子体源组件包含具有RF热电极和返回电极的壳体。所述壳体包括界定流动路径的气体入口和正面。所述RF热电极包括基本上平行于所述流动路径定向的第一表面。所述返回电极包括第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流...

一种电镀处理器，所述电镀处理器具有头部，所述头部包括晶片夹具，其中所述头部为可移动的以将所述晶片夹具中的晶片放入储存第一电解液并具有一个或多个阳极的容器中。取样电极组件可定位成邻近所述容器下端、或在所述阳极下方。取样电流通道从所述取样电...

描述一种用层堆叠涂布柔性基板(10)的沉积设备(100)。所述沉积设备包含：第一卷筒腔室(110)，配置用于容纳存储卷筒，所述存储卷筒用于提供柔性基板；第一沉积腔室(120)，布置在第一卷筒腔室下游且包含第一涂布滚筒(122)，所述第一...

本文提供的实施方式一般地涉及在半导体处理腔室中用于气体递送的装置。该装置可以是气体分配板，该气体分配板具有形成于该气体分配板中的多个通孔与多个盲孔。提供工艺气体穿过该气体分配板的这些通孔至半导体处理腔室的处理空间中。这些盲孔用于使用相变...

本申请公开了利用二次等离子体注入的等离子体蚀刻系统及方法。一种等离子体处理装置包括：第一等离子体源；第一平面电极；气体分配设备；等离子体阻挡筛网；以及工件卡盘。所述第一等离子体源产生第一等离子体产物，所述第一等离子体产物从所述第一等离子...

本文中所述的实施方式揭露了外延沉积腔室及其部件。在一个实施方式中，腔室可包括定位于处理区域中的基板支撑件、包括多个辐射能量源的辐射能组件、具有上衬垫及下衬垫的衬垫组件及定位于所述基板支撑件与所述辐射能组件之间的拱形结构组件。本文中所述的...

本实用新型描述了用于涂覆可移动基板(20)的沉积源(100、200、300、400)和沉积设备(500)。所述沉积源包括：源外壳(120)，通过可以在沉积期间移动基板(20)经过工艺腔室的敞开的前侧的方式而固定到所述工艺腔室；气体入口(...

描述了一种用以测试柔性基板上的数个电子装置的设备。此设备包括至少两个滚轴（110）、至少一探测器（122）、至少一探测支座（124）及测试装置，此至少两个滚轴用以导引柔性基板沿着传输方向进入测试区及离开测试区，此至少一探测器用以电性接触...

这里所描述的实施方式提供用于以均匀的激光能量处理半导体基板的设备和方法。激光脉冲或光束被导引至空间均化器，该空间均化器可为多个透镜，这些透镜沿着平面布置，该平面垂直于激光能量的光学路径，一个实例是微透镜阵列。该空间上均匀的能量由空间均化...

描述了切割半导体晶片的方法及设备，每一晶片具有多个集成电路。在示例中，切割具有多个集成电路的半导体晶片的方法涉及将基板载体所支撑的基板引入等离子体蚀刻腔室中。基板在其上具有经图案化的掩模，该经图案化的掩模覆盖集成电路并暴露基板的划道。基...

提供了一种用于化学机械研磨的研磨垫。研磨垫包括具有支撑表面的基底区。研磨垫进一步包括多个研磨特征，该等特征形成研磨表面，该研磨表面与支撑表面相对。研磨垫进一步包括一个或多个通道，该等通道形成于研磨垫的内部区域中，且至少部分地围绕研磨垫的...

在一些实施方式中，一种串联基板处理工具可以包括：具有多个槽的基板载体，这些槽被构造为当彼此平行的多个基板设置在槽中时保持这些基板；设置成直线布置的第一基板处理模块和第二基板处理模块，其中每个基板处理模块包括外壳和轨道，所述轨道支撑基板载...

在此提供一种装置的实施方式，所述装置用于控制处理腔室中的静电夹具的温度。在一些实施方式中，装置包含：静电夹具，所述静电夹具设置于处理腔室中，所述静电夹具包含陶瓷板，所述陶瓷板具有基板支撑表面；以及冷却组件，所述冷却组件包含多个冷却板，所...