本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头...

一种系统包括用于生成命令的处理装置，所述命令具有在传导性通信链路上可传输的第一格式。所述系统进一步包括耦接至所述处理装置的第一转换器，用于接收所述命令并将所述命令转换为在非传导性通信链路上可传输的第二格式。所述系统进一步包括第二转换器，...

本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。

本发明公开的实施方式包括一种具有传感器组件的基板支撑件，以及具有所述基板支撑件的处理腔室。在一个实施方式中，基板支撑件具有定位盘。所述定位盘具有工件支撑表面以及排出所述工件支撑表面的气孔。传感器组件被设置在所述气孔中，且经配置以检测一度...

本发明公开的实施方式包括一种具有传感器组件的基板支撑件，以及具有所述基板支撑件的处理腔室。在一个实施方式中，基板支撑件具有定位盘。所述定位盘具有工件支撑表面以及排出所述工件支撑表面的气孔。传感器组件被设置在所述气孔中，且经配置以检测一度...

本发明所述的实施例大体关于一种用于将材料均匀溅射沉积至基材上具有高深宽比的特征结构的底部及侧壁的设备及方法。在一个实施例中，提供一种定位在溅射靶材与基材支撑座间而用于与屏蔽构件机械及电气连接的准直器。该准直器包含中央区域及周边区域，其中...

本发明公开了用于减少在具有冷却气体进料块的高温处理腔室中的粒子污染形成的方法和设备的技术。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外...

一种制造研磨垫的研磨层的方法及设备，该方法包括使用3D印刷机相继地沉积多个层，通过从喷头喷出垫材料前驱物、并固化该垫材料前驱物以形成固化的垫材料的方式来沉积该多个研磨层的每一层。

本发明描述了一种用于热处理衬底的方法和装置。该装置包括配置为通过磁驱动线性移动和/或旋转移动的衬底支架。该衬底支架还配置为接收辐射热源在腔室的一部分中提供加热区。包括冷却板的有源冷却区与加热区相对设置。衬底可以在该两个区域之间移动以便于...

在一个实施方式中，一种用于将金属沉积到基板表面上的电镀单元包括：电镀腔室，所述电镀腔室被配置成接收含有金属离子的电解质和具有表面被设置成接触所述电解质的基板，其中所述基板的表面被配置成用作阴极，并且其中所述基板的表面包括在所述基板的所述...

本文中提供了用于全卷绕多孔硅形成的方法和系统。在一些实施方式中，用于全卷绕多孔硅形成的基板保持器可以包括：主体，所述主体沿主体的第一边缘具有锥形开口，其中锥形开口被配置为释放在由基板保持器支撑的基板上的多孔硅形成期间产生的副产物气体；第...

一种静电吸盘，包括圆盘、主体、DC电压感测电路和电感器，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于圆盘上时，支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于圆盘中，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆...

本文描述了电子装置处理系统，包括工厂接口的环境控制、载体净化腔室，和一个或多个基板载体。一个电子装置处理系统具有工厂接口，工厂接口具有工厂接口腔室、耦合至工厂接口的一个或多个基板载体、和环境控制系统；所述环境控制系统耦合至所述工厂接口、...

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾...

在此提供一种用于电介质材料的物理气相沉积的设备。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室的腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件耦接至外部靶材组件，其中内部磁控管组件和内部靶材组件与...

本文描述一种用于减量来自处理腔室的含有PFC气体的流出物的等离子体减量工艺。等离子体减量工艺从处理腔室(诸如蚀刻腔室)提取气态前级管道流出物，且与设置在前级管道路径中的等离子体腔室内的流出物反应。所述等离子体分解PFC气体且使它们与试剂...

一种用于供应等离子体产物的装置，包括等离子体生成阻件，该等离子体生成阻件在其中定义了环状等离子体腔。该等离子体腔在环轴周围基本对称，且该环轴定义该等离子体生成阻件的第一及第二轴向侧。磁构件，相对于该环轴以一个方位位置至少部分地围绕该等离...

等离子体处理系统包括处理腔室及等离子体源，该等离子体源在等离子体腔中产生等离子体。该等离子体腔围绕环轴是实质对称的。该等离子体源在该等离子体腔的第一轴向侧上限定多个出口孔。由该等离子体所产生的等离子体产物在轴向方向上通过该多个出口孔从该...

半导体处理腔室可包含远程等离子体区域，及与远程等离子体区域流体耦接的处理区域。处理区域可被配置为在支撑基座上容纳基板。支撑基座可包含在基座的内侧区域处的第一材料。支撑基座也可包含与基座的远程部分耦接的或在基座的外侧区域处的环形构件。环形...

一种用于将晶片的缺陷分类的方法可通过以下步骤由计算机化系统执行：获取关于缺陷候选者群组的缺陷候选者信息，其中缺陷候选者信息包含群组的每一缺陷候选者的属性的值；由计算机化系统的处理器选择所选缺陷候选者子群组，此系响应于至少属于所选子群组的...