用于高温RF应用的静电吸盘制造技术

一种静电吸盘，包括圆盘、主体、DC电压感测电路和电感器，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于圆盘上时，支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于圆盘中，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆盘，所述DC电压感测电路设置于所述圆盘的支撑表面上，所述电感器设置于所述主体中且靠近所述主体的支撑表面，其中所述电感器电耦接至DC电压感测电路，并且其中所述电感器被配置为过滤高频电流以准确地测量所述基板上的DC电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高温RF应用的静电吸盘
本公开内容的实施方式大体涉及用于在微电子器件制造过程中固持基板的静电吸盘。
技术介绍
在高温和高功率水平操作的物理气相沉积(PVD)腔室为处理基板提供了若干优势。虽然在高温和高功率下操作改善了膜性质(例如，应力密度rho及类似性质)且提供良好的RF接收器效率，但是高温和高功率导致过热、基板背侧电弧以及腔室变化。具体而言，当与RF功率一起使用时，当前用于高温/高功率物理气相沉积(PVD)应用的现有静电吸盘(ESC)具有限制性。这些限制可包括，但不限于，1)在高功率处理期间电极中的RF电流变得太高时，ESC过热，2)在超高频率(VHF)应用中，基板背侧形成电弧(arcing)至DC电压感测电路(即，在本文中被称为Vdc感测终端或中心抽头(c-tap)电路)，DC电压感测电路设置于ESC的表面上，以及3)由提供功率给各种部件(如加热器与设置于ESC中的电极)的无屏蔽配线引起的处理过程变化。基于上述限制，存在对改善的静电吸盘的需求以消除或减少与高温/高功率PVD处理相关的前述问题。
技术实现思路
一种静电吸盘包括圆盘(puck)、主体、DC电压感测电路和电感器，所述圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸盘，包括：圆盘，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于所述圆盘上时，所述支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于所述圆盘中；主体，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆盘；DC电压感测电路，所述DC电压感测电路设置于所述圆盘的支撑表面上；及电感器，所述电感器设置于所述主体中且靠近所述主体的支撑表面，其中所述电感器电耦接至DC电压感测电路，并且其中所述电感器被配置为过滤高频电流以准确地测量所述基板上的DC电位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.11 US 62/090,8581.一种静电吸盘，包括：圆盘，所述圆盘具有支撑表面以及相对的第二表面，当基板设置于所述圆盘上时，所述支撑表面支撑所述基板，其中一或多个吸附电极嵌入于所述圆盘中；主体，所述主体具有耦接至所述圆盘的所述第二表面的支撑表面以支撑所述圆盘；DC电压感测电路，所述DC电压感测电路设置于所述圆盘的支撑表面上；及电感器，所述电感器设置于所述主体中且靠近所述主体的支撑表面，其中所述电感器电耦接至DC电压感测电路，并且其中所述电感器被配置为过滤高频电流以准确地测量所述基板上的DC电位。2.如权利要求1所述的静电吸盘，其中所述圆盘是介电盘。3.如权利要求1所述的静电吸盘，其中所述DC电压感测电路包括导电金属迹线，所述导电金属迹线靠近所述圆盘的中心部分且部分设置于所述圆盘的所述中心部分附近。4.如权利要求3所述的静电吸盘，其中所述导电金属迹线包括从所述圆盘的所述中心部分径向向外延伸约0.5英寸至约2.5英寸的线性迹线部分，其中所述线性迹线部分电耦接至电端子，且其中所述电端子与所述电感器电耦接。5.如权利要求1所述的静电吸盘，其中所述电感器被设置成距离所述圆盘的支撑表面约0.5英寸至约2.5英寸。6.如权利要求1-5的任一项所述的静电吸盘，其中所述电感器是陶瓷电感器。7.如权利要求1-5的任一项所述的静电吸盘，其中所述一或多个吸附电极包括嵌入于所述圆盘中的两个独立受控的电极。8.如权利要求1-5的任一项所述的静电吸盘，其中所述一或多个吸附电极的每一个的厚度是所述一或多个吸附电极的计算出的趋肤深度的约3倍至约5倍。9.如权利要求1-5的任一项所述的静电吸盘，所述一或多个吸附电极被配置为承载约13.56MHz的功率至约40MHz...

【专利技术属性】
技术研发人员：瑞安·汉森，曼朱纳塔·科普帕，维贾伊·D·帕克赫，约翰·C·福斯特，基思·A·米勒，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US