描述用于处理在基板表面上的膜的系统和方法。所述系统具有气溶胶发生器，所述气溶胶发生器从一或多种前驱物的冷凝物质(液体或固体)来形成液滴。载气流过所述冷凝物质，并将液滴推向放在基板处理区域中的基板。与气溶胶发生器连接的直列泵也可以用于将液...

本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环...

本申请公开了制造硅异质结太阳能电池的方法与设备。一种在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备内制造半导体层的方法。该PECVD设备包括界定处理区域的数个壁；基板支座；遮蔽框架；气体分配喷洒头；气源，该气源与该气体分配喷洒头及该处理区...

本公开涉及用于OLED封装结构的有机材料和无机材料的整合方法。本公开的实施方式提供在用于OLED或薄膜晶体管应用的透明基板上使用的界面整合和粘附改进方法。在一个实施方式中，一种增强设置在基板上的膜结构中的界面粘附和整合的方法包括：在处理...

本实用新型描述了可旋转溅射装置和可旋转溅射装置对的布置。描述了一种用于在基板上沉积材料的可旋转溅射装置。所述可旋转溅射装置包括：具有旋转轴的靶材背衬管；磁体组件，所述磁体组件布置在所述靶材背衬管内；冷却通道，所述冷却通道用于提供冷却流体...

本发明通常描述用来在衬底的期望区域上执行退火工艺的设备和方法。在一个实施例中，利用闪光灯或激光设备，将脉冲电磁能量供给到衬底上。该脉冲可以是从约1纳秒到约10毫秒长，并且每个脉冲具有比熔化衬底材料需要的能量小的能量。脉冲之间的能量间隔通...

一种在设备中制造电化学元件的方法，此方法可包含：提供电化学元件基板；在此基板之上沉积元件层；原位施加电磁辐射至元件层以实现元件层的表面重构、再结晶及致密化中的一或更多者；重复此沉积及此施加直至达成所需元件层厚度为止。此外，施加可在沉积期...

在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应...

本文披露一种边缘环以及用于制造边缘环的工艺。一个实施方式中，边缘环包括环状主体以及多个断热件，所述断热件设置在所述环状主体内。所述断热件设置成垂直于边缘环的环状主体的中心线。

公开了用于使用止动器、致动器和发射器/检测器来测量两个部件之间的接近度的设备与方法，所述发射器/检测器使光通过所述致动器中的通路。所述通路提供对光的衰减，所述衰减随部件之间的间隙改变而改变，从而允许对间隙的测量与控制。还描述了使用设备来...

于此披露用于处理基板的处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包括支撑轴组件。支撑轴组件具有环形基座、盘形加热板和支撑轴系统。支撑轴系统支撑基座和加热板，使得基座被支撑在加热板上方，在加热板和基座之间限定有间隙。在另一实施方式中，加热板包括...

在一个实施方式中，一种基板支撑组件包括：基座，所述基座用于支撑基板；和支撑传送机构，所述支撑传送机构耦接于所述基座，所述支撑传送机构具有一表面，所述表面用于支撑所述基板的周围边缘，所述支撑传送机构相对于所述基座的上表面为可移动的。

在一些实施例中，提供一种系统，该系统包括(1)装载位置；(2)干燥位置；(3)可移动槽，该可移动槽配置为：(a)固持至少一个基板；(b)固持清洗化学品，以将可移动槽内的基板暴露至清洗化学品；以及(c)在装载位置与干燥位置之间转移；以及(...

本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

本公开内容的实现方式一般地涉及外延膜上的硅材料的外延生长的方法。在一个实现方式中，该方法包括于半导体鳍片(fin)之上形成外延膜，其中外延膜包括具有第一刻面与第二刻面的顶表面，以及通过在约375℃至约450℃的温度与约5Torr至约20...

本文的实施方式主要涉及包括多层的III‑V族半导体材料的膜堆叠物。所述膜堆叠物包括：含磷层，所述含磷层被沉积在硅基板上方；含GaAs层，所述含GaAs层被沉积在所述含磷层上；及含铝层，所述含铝层被沉积在所述含GaAs层上。介于所述含磷层...

本发明公开一种用于处理基板的设备，且在一个实施例中，该设备包括：双腔室壳体，该双腔室壳体具有穿过该双腔室壳体形成的两个开口，第一泵接口构件，该第一泵接口构件与该双腔室壳体中形成的该两个开口中的一个开口同轴地对齐，以及第二泵接口构件，该第...

一种微波天线，包含：第一螺旋导管，第一螺旋导管具有第一导管端和第一多个口，第一多个口被沿着第一螺旋导管的长度间隔放置于第一螺旋导管的底板中；耦接至旋转式台的轴向导管；以及包含输入和第一输出的分配器波导，输入耦接至轴向导管，且第一输出耦接...

用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏...

在此提供处理配件屏蔽件和含有处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸。