用于基板背侧变色控制的支撑组件制造技术

于此披露用于处理基板的处理腔室。在一个实施方式中，处理腔室包括支撑轴组件。支撑轴组件具有环形基座、盘形加热板和支撑轴系统。支撑轴系统支撑基座和加热板，使得基座被支撑在加热板上方，在加热板和基座之间限定有间隙。在另一实施方式中，加热板包括多个沟槽且基座包括多个鳍片。鳍片被配置成座落于沟槽内，使得基座被支撑在加热板上方，在加热板和基座之间限定间隙。在另一个实施方式中，于此披露处理在上述实施方式中的基板的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板背侧变色控制的支撑组件
于此披露用于处理基板的处理腔室。更具体地，于此披露的实施方式涉及用于在基板上沉积外延层中使用的基座和加热板。
技术介绍
用于处理半导体基板的一种类型的设备是单一基板处理器，其中一次一个基板被支撑在处理腔室中的基座上。基座将腔室划分为在基座下方的一个部分及在基座上方的第二部分。基座通常被安装在轴上，轴绕轴的中心而旋转基座以增强基板的均匀处理。处理气体的流动提供在腔室的顶部并跨越基板的表面。腔室通常具有在腔室的一侧的气体入口端口(inletport)和在相反侧的气体出口端口，以实现处理气体跨越基板的流动。基座被加热，以将基板加热到所需的处理温度。用以加热基座的一个方法是通过使用围绕腔室而提供的灯。灯引导光进入腔室并引导至基座上。为了控制基板被加热达到的温度，不断地测量基座的温度。可使用红外温度传感器来测量温度，红外温度传感器检测从被加热的基座所发射的红外辐射。在处理期间，一些处理气体可围绕基座的边缘流动并将材料层沉积在基板的背表面上。沉积在基板的背表面上的层导致基板的背侧变色，此为被污染的背表面的证据。基板的背表面的污染导致总产出降低。因此，存在有提供用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理的处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；支撑轴组件，所述支撑轴组件设置在所述内部容积中，所述支撑轴组件包括：支撑轴系统，所述支撑轴系统包括：轴；多个臂，每个臂具有第一端和第二端，每个臂的所述第一端耦接至所述轴，每个臂的所述第二端具有销接收凹槽；和多个可移动的支撑销，每一个销被放置在所述销接收凹槽的相应端内；盘形加热板，所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑；和环形基座，所述环形基座由在所述支撑轴系统中的所述多个销支撑，使得在所述加热板与所述基座之间存在间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.12 US 62/102,3751.一种用于半导体处理的处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；支撑轴组件，所述支撑轴组件设置在所述内部容积中，所述支撑轴组件包括：支撑轴系统，所述支撑轴系统包括：轴；多个臂，每个臂具有第一端和第二端，每个臂的所述第一端耦接至所述轴，每个臂的所述第二端具有销接收凹槽；和多个可移动的支撑销，每一个销被放置在所述销接收凹槽的相应端内；盘形加热板，所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑；和环形基座，所述环形基座由在所述支撑轴系统中的所述多个销支撑，使得在所述加热板与所述基座之间存在间隙。2.如权利要求1所述的处理腔室，其中在所述多个臂中的每个臂包括：底座构件，其中所述底座构件支撑所述盘形加热板。3.一种用于半导体处理的处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有内部容积；支撑轴组件，所述支撑轴组件设置在所述内部容积中，所述支撑轴组件包括：支撑轴系统，所述支撑轴系统包括：轴；和多个臂，每个臂具有第一端和第二端，每个臂的所述第一端耦接至所述轴；盘形加热板，所述盘形加热板由所述支撑轴系统支撑，所述加热板具有顶表面，所述顶表面进一步包括多个沟槽；和环形基座，所述环形基座具有多个鳍片，所述鳍片设置在所述加热板的所述多个沟槽内，使得在所述加热板和所述基座之间存在间隙。4.如权利要求1或3所述的处理腔室，其中所述盘形加热板包括：形成在所述盘形加热板中的多个孔。5.如权利要求4所述的处理腔室，其中形成在所述盘形加热板中的所述多个孔的一部分具有每平方厘米5.25个孔的孔密度。6.如权利要求1或3所述的处理腔室，其中所述环形基座具有形成在所述环形基座中的多个孔。7.如权利要求6所述的处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：大木慎一，青木裕司，彼得·德蒙特，森義信，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US