本发明专利技术公开一种用于处理基板的设备，且在一个实施例中，该设备包括：双腔室壳体，该双腔室壳体具有穿过该双腔室壳体形成的两个开口，第一泵接口构件，该第一泵接口构件与该双腔室壳体中形成的该两个开口中的一个开口同轴地对齐，以及第二泵接口构件，该第二泵接口构件与该双腔室壳体中形成的该两个开口中的另一个开口同轴地对齐，其中该泵接口构件的各者包含与该两个开口的中心线同心的三个通道。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于下一代先进等离子体技术的腔室主体设计架构背景
本文所述实施例一般涉及模块化的两腔室设计，该设计在两腔室的各者中提供独立处理。更具体来说，本文公开的实施例涉及蚀刻等离子体腔室技术与硬件设计架构，其提供了双腔室架构中用于多个工艺配方的独立可变间隙处理容积。
技术介绍
随着技术节点进步与器件几何形状大小的缩小，需要有精准输入参数控制的蚀刻等离子体处理腔室。输入参数包括电、射频(RF)、气体流量与热控制。输入参数中的一或多个的对称性对于改善晶片上的均匀性与产量是重要的。可通过改善腔室硬件来提供输入参数的对称性。因此，在本
中对于改良的腔室以及使用该改良的腔室的方法是有所需求的。
技术实现思路
本专利技术公开一种用于处理基板的设备，且在一个实施例中，该设备包括：双腔室壳体，该双腔室壳体具有穿过该双腔室壳体形成的两个开口，第一泵接口构件，该第一泵接口构件与该双腔室壳体中形成的该两个开口中的一个开口同轴地对齐，及第二泵接口构件，该第二泵接口构件与该双腔室壳体中形成的该两个开口中的另一个开口同轴地对齐，其中该泵接口构件的各者包含与该两个开口的中心线同心的三个通道。在另一个实施例中，提供一种用于处理基板的设备。该设备包括双腔室壳体，模块化泵接口，该模块化泵接口具有至少两个分开的内部容积，该至少两个分开的内部容积耦接至该双腔室壳体并且在该双腔室壳体内提供两个分开的处理容积。在另一个实施例中，提供一种双容积基板处理腔室。该双容积基板处理腔室包括腔室主体，该腔室主体具有穿过该腔室主体形成的第一开口与第二开口，第一泵接口构件，该第一泵接口构件与该第一开口的中心线同轴地对齐，该第一泵接口构件具有平行于该中心线而于该第一泵接口构件中形成的多个第一通道，及第二泵接口构件，该第二泵接口构件与该第二开口的中心线同轴地对齐且与该第一泵接口构件流体地分隔，该第二泵接口构件具有平行于该中心线而于该第二泵接口构件中形成的多个第二通道。附图说明因此，以能详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例来获得对上面所简要概述的本公开的更具体的描述，所述实施例中的一些图示于所附附图中。然而，要注意的是，所附附图只描绘了本公开的典型实施例，并且由于本公开可允许其他等效的实施例，所以所附附图不应被视为对本公开的范围的限制。图1A描绘双腔室壳体的等角视图。图1B表示图1A中所示的双腔室壳体的分解视图。图2A是腔室主体的顶视平面图。图2B是图2A的腔室主体的侧视图。图2C是沿着图2A的线2C-2C的腔室主体的侧视截面图。图3A是双腔室壳体的顶视平面图，该双腔室壳体具有与腔室主体的开口轴向对齐的泵接口构件。图3B是泵接口构件的一个实施例的等角视图。图4A是腔室主体的截面平面图。图4B是沿着图4A的线4B-4B的腔室主体的等角截面图。图5是根据一个实施例的处理腔室系统的示意性截面图。图6是耦接至泵接口的一个实施例的两个泵接口构件的部分的示意性侧视截面图。图7是耦接至泵接口的另一个实施例的两个泵接口构件的部分的示意性侧视截面图。图8是耦接至泵接口的另一个实施例的两个泵接口构件的部分的示意性侧视截面图。为便于理解，在可能的情况下，已使用相同的数字编号代表附图所共有的相同的组件。可以预期，一个实施例中的要素与特征可被有利地纳入其他实施例中而无需赘述。具体实施方式本文所述的实施例一般涉及具有对称流动设计的腔室硬件与相关的方法以将处理后的副产品从腔室内部抽出并维持真空而能够改善流动传导性。本说明书所述的实施例亦提供具有用于在依轴向方向抽出气体之前的气流行进的较短平均自由路径的腔室。本专利技术提供的轴向对称的腔室硬件帮助减少晶片偏斜以及改善流动传导性。本专利技术公开的实施例包括双腔室主体设计，其包含处理部分与流动阻挡部分(flowblockportion)。流动阻挡部分提供轴对称流且能够提供用于多个应用与工艺配方的可变处理容积。流动阻挡设计还可实现模块化设计解决方案和/或具有成本效益的制造。图1A描绘双腔室壳体100的等角视图。图1B表示图1A中所示的双腔室壳体100的分解视图。双腔室壳体100包括具有双处理容积110A与110B的腔室主体105。处理容积110A与110B的各者可由腔室侧壁115与盖件(未图示)界定，盖件耦接至盖件接口120。双腔室壳体100亦包括模块化泵接口125，模块化泵接口125包含两个泵接口构件130，其形成处理容积110A与110B的边界。可将双腔室壳体100安装或改装于现有的半导体基板制造平台上，其中使用了可自加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司商业取得的处理系统。在其中可使用双腔室处理壳体100的平台的示例包括可自加利福尼亚州圣克拉拉的应用材料公司取得的平台。双腔室处理壳体100的实施例亦可用于具有绕中心传送腔室设置的处理腔室的其他适用的处理系统或平台，其包含来自于其他制造商的处理系统或平台。如本说明书所述的双腔室壳体100可以耦接至平台或处理系统，而不增加平台或处理系统的占地面积。双腔室壳体100包括分开的双处理容积110A与110B，其中个别的半导体基板可通过在基板上沉积材料、移除基板上的材料、加热基板或在基板上执行其他处理而被处理。处理容积110A与110B的各者可装配有喷头与基板支撑件(皆未图示)以实现诸如蚀刻、沉积或其他热处理之类的处理。处理容积110A与110B是环境分离的，使得处理参数可在各处理容积110A与110B中分别被控制。双腔室壳体100可由铝或其他处理兼容金属制成。可调整处理容积110A与110B的各者的大小以处理具有200毫米(mm)直径、300mm直径或450mm直径的基板。盖件接口120可包括密封构件135(如o型环)，其利于盖件(未图示)之间的密封，盖件耦接至腔室主体105。在一些实施例中，可以铰链将盖件耦接至腔室主体105。在其他实施例中，可利用紧固件将盖件耦接至腔室主体105，紧固件耦接至形成于腔室主体105中的螺纹孔140。还在腔室主体105中形成开口145，用于传输基板进出处理容积110A和110B。如图1B所示，泵接口构件130的各者可包括在其相对的两端上的凸缘142A和凸缘142B。第一凸缘142A(上凸缘)可包括形成于其中的开口145，以利于将个别的泵接口构件130耦接至腔室主体105。第二凸缘142B(下凸缘)可包括形成于其中的开口145，以利于将个别的泵接口构件130耦接至真空泵(未示出)。泵接口构件130包括形成于其中的沟槽150，且沟槽150被个别泵送通道155所环绕。在所示的实施例中，泵接口构件130的各者具有三个沟槽150与三个泵送通道155。沟槽150和/或泵送通道155可相对于彼此等间距。双腔室壳体100包括于腔室主体105中形成的一对第一开口160A以及一组第二开口160B(对应于泵接口构件130的泵送通道155)，该组第二开口160B形成处理容积110A与110B(如图1A所示)。泵送通道155各者的容积在一些实施例中可以是实质上相等的。作为与泵送通道155有关的“实质上相等”包括彼此相同或在约1％至约5％内的体积度量。双腔室壳体100的中心线165由第一开口160A的各者与泵接口构件130的各者共享。泵送通道155与中心线165同心或同轴。因此，由第一开口160A与多本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于处理基板的设备，所述设备包括：双腔室壳体，所述双腔室壳体具有穿过所述双腔室壳体形成的两个开口；第一泵接口构件，所述第一泵接口构件与所述双腔室壳体中形成的所述两个开口中的一个开口同轴地对齐；及第二泵接口构件，所述第二泵接口构件与所述双腔室壳体中形成的所述两个开口中的另一个开口同轴地对齐，其中所述泵接口构件的各者包含与所述两个开口的中心线同心的三个通道。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.26 US 62/108,052;2015.04.22 US 14/693,2541.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：双腔室壳体，所述双腔室壳体具有穿过所述双腔室壳体形成的两个开口；第一泵接口构件，所述第一泵接口构件与所述双腔室壳体中形成的所述两个开口中的一个开口同轴地对齐；及第二泵接口构件，所述第二泵接口构件与所述双腔室壳体中形成的所述两个开口中的另一个开口同轴地对齐，其中所述泵接口构件的各者包含与所述两个开口的中心线同心的三个通道。2.如权利要求1所述的设备，其中所述三个通道的各者具有实质上相等的容积。3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一泵接口构件的三个通道的各者选择性地与真空泵连通。4.如权利要求3所述的设备，其中所述第二泵接口构件的三个通道的各者选择性地与真空泵连通。5.如权利要求3所述的设备，其中所述第一泵接口构件的三个通道的各者选择性地与第一真空泵连通以及所述第二泵接口构件的三个通道的各者选择性地与第二真空泵连通。6.如权利要求1所述的设备，其中所述第一泵接口构件与所述第二泵接口构件耦接至具有内部容积的配接器壳体。7.如权利要求6所述的设备，其中所述内部容积在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·恩古耶，B·J·霍华德，N·J·布莱特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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