一种气体喷头以及等离子体处理设备制造技术

本实用新型专利技术揭示一种气体喷头以及等离子体处理设备。所述气体喷头具有一中心，所述气体喷头包括至少两个相对所述中心对称设置且互不连通的喷淋区；其中，每个所述喷淋区内设有多个喷嘴，且每个所述喷淋区还包括：中心子喷淋区，靠近所述中心设置；以及边缘子喷淋区，远离所述中心设置。该气体喷头可以通过调节局部区域的气体流量，以此调节通入等离子体处理腔室内的反应气体分布，提高半导体制程工艺的可调节性及灵活性并且改善半导体制程工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种气体喷头以及等离子体处理设备
本技术涉及半导体制程领域，特别涉及一种气体喷头以及具有该气体喷头的等离子体处理设备。
技术介绍
在半导体制造的相关工艺中，如等离子体刻蚀、化学气相沉积等工艺过程，需要对反应气体进行离化以产生等离子体。一般情况下，等离子体都需要在减压气氛下产生及进行工艺，例如对晶片上的膜层产生刻蚀或沉积相关膜层。在这些工艺中，等离子体处理腔室内气流、压强等参数对工艺效果有显著影响，因此，对这些参数的控制就尤为重要。而对这些参数的控制主要是通过气体传输系统及真空控制系统相互配合完成的。其中，气体喷头是气体传输系统的主要部件之一，对工艺的均匀性影响较大。目前等离子体处理设备及其等离子体处理腔室的设计形式多样，根据工艺类型及需求，气体喷头主要有喷淋式和喷注式两类。喷注式应用于超低压(<80mtorr)的工艺过程，喷淋式适用的工艺压强略高(100～2000mtorr)的工艺过程。对于喷注式喷头，是利用气体分子在腔室内的扩散将气体供给晶片表面；而对于喷淋式喷头，则是直接将工艺气体均匀地供给晶片表面。由于半导体制程工艺中对均匀性具有较高的要求，而现有的喷淋式喷头大多无法实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体喷头，其特征在于，所述气体喷头具有一中心，所述气体喷头包括至少两个相对所述中心对称设置且互不连通的喷淋区；其中，每个所述喷淋区内设有多个喷嘴，且每个所述喷淋区还包括：中心子喷淋区，靠近所述中心设置；以及边缘子喷淋区，远离所述中心设置。

【技术特征摘要】
1.一种气体喷头，其特征在于，所述气体喷头具有一中心，所述气体喷头包括至少两个相对所述中心对称设置且互不连通的喷淋区；其中，每个所述喷淋区内设有多个喷嘴，且每个所述喷淋区还包括：中心子喷淋区，靠近所述中心设置；以及边缘子喷淋区，远离所述中心设置。2.如权利要求1所述的气体喷头，其特征在于，所述气体喷头具有一经过所述中心的第一中心线，所述气体喷头包括分别设置于所述第一中心线两侧的两个喷淋区。3.如权利要求2所述的气体喷头，其特征在于，所述气体喷头还具有一经过所述中心的第二中心线，所述气体喷头包括分别设置于所述第一中心线和所述第二中心线之间的四个喷淋区。4.如权利要求3所述的气体喷头，其特征在于，所述第一中心线与所述第二中心线相互垂直。5.如权利要求4所述的气体喷头，其特征在于，所述气体喷头还具有多条与所述第一中心线平行且两两相对所述第一中心线对称的第一分割线以及多条与所述第二中心线平行且两两相对所述第二中心线对称的第二分割线，所述气体喷头包括分别设置于所述第一中心线、第二中心线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟军，顾晓冬，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31